在理想元件理論中，電容表現(xiàn)為容性。然而，這僅在特定的工作條件下成立，且取決于頻率范圍。本文重點介紹不同電容的阻抗特性，并說明電容何時會表現(xiàn)為容性，何時不表現(xiàn)為容性。

通常用阻抗和頻率來表示電容的頻率特性。通過研究這些頻譜，可獲得大量電化學、物理和技術(shù)相關(guān)信息 [2]。由于在某些情況下，產(chǎn)品規(guī)格書無法提供所有數(shù)據(jù)，工程師們不得不依靠測得的頻譜為電路設(shè)計選擇合適的元件。為了盡可能完善數(shù)據(jù)庫，伍爾特電子 (Würth Elektronik eiSos, WE) 采用在線工具 REDEXPERT [1] 為用戶提供頻譜和其他測量數(shù)據(jù)。

通過圖 1 所示的電路，幾乎可以對所有類型電容阻抗與頻率的變化關(guān)系進行建模，包括多層陶瓷電容 (MLCC) 和超級電容 (SC)。

圖 1 電容的標準等效電路，包含電容 CS、等效串聯(lián)電阻 RESR、等效串聯(lián)電感 LESL 和漏電阻 RLeak。

公式中的 CS 代表純電容，它并不實際存在于任何電氣元件中。任何實際存在的電容都有損耗，因此會降低充電速度。這種現(xiàn)象可以用純等效串聯(lián)電阻 RESR 來描述，同時負載和導(dǎo)線的電阻也會影響等效串聯(lián)電阻。金屬導(dǎo)體中的任何交變電流都會感應(yīng)出一個與電流方向相反的磁場，這種特性可以用等效串聯(lián)電感LESL描述。

CS、RESR 和 LESL 是描述所有頻譜所需的關(guān)鍵參數(shù)。在最簡條件下它們被假定為常數(shù)，不隨頻率變化。漏電流可由純電阻 RLeak 近似表述。通常情況下，RLeak 比 RESR 大幾個數(shù)量級，可忽略不計 [2]。

通過改變 CS、RESR、LESL 和 RLeak，可以計算出所有電容的基本頻率響應(yīng)。圖 2 和圖 3分別顯示了電容值為 4.7 μF 和 50 F 時的阻抗和電容頻率特性。

圖 2 根據(jù)標準模型計算的阻抗譜|Z ? |：WCAP-FTBE（上），WCAP-STSC（下）。

這兩個示例的參數(shù)分別對應(yīng)于伍爾特電子產(chǎn)品組合中的以下元件：

超級電容 (WCAP-STSC)：CS = 50 F，RESR = 15 m?，LESL = 5 nH，RLeak = 10 M?；

薄膜電容 (WCAP-FTBE)：CS = 4.7 μF，RESR = 5 m?，LESL = 5 nH，RLeak = 10 M?。

圖 3 根據(jù)模型計算得出的電容頻譜 Re(C ?)。WCAP-STSC 曲線（紅）對應(yīng)于左側(cè)縱坐標，WCAP-FTBE 曲線（藍）對應(yīng)于右側(cè)縱坐標。

一般來說，頻譜中的關(guān)鍵點可由以下四個特征頻率表述：

圖 2 和圖 3展示了兩種主要特征：

洛倫茲振蕩：fRC > fLC，CS = 4.7μF 時；以及

德拜弛豫：fRC < fLC，CS = 50 F 時。

圖 2中的黑藍虛線表示純電容和寄生電感部分。RC 元件的特征頻率 fRC 為電容的充放電頻率。

當頻率為 fRC 時，超級電容的頻率特性曲線（圖 3）呈肩狀突起。低于該頻率時，可從圖表中得出容值。高于 fRC 時，下圖 3中所示的阻抗譜在 RESR 時趨于平穩(wěn)。

fLC 為 LC 元件的特征頻率，即寄生電感和電容耦合產(chǎn)生共振的頻率（fRC > fLC ），如上圖 2所示。低于該頻率時，電容器表現(xiàn)為容性，即它可以儲存電荷；高于該頻率時，電容表現(xiàn)為感性。如上圖 2所示，自諧振導(dǎo)致阻抗譜 (WCAP-FTBE) 出現(xiàn)極小值。阻抗譜的最小值即 RESR 值。在具體應(yīng)用中，電容不應(yīng)在 fLC 及以上頻率下工作。物理過程詳見 [2]。

fLeak 是 RLeakC 元件的特征頻率。低于該頻率時，電容表現(xiàn)為阻值為 RLeak 的電阻。

fRL 為 RESRL 元件的特征頻率，高于該頻率時，電容表現(xiàn)為電感值為 LESL 的電感（圖 3，下），導(dǎo)致高頻時阻抗升高。

這兩個例子闡述了一個相對簡單的模型，用于說明高容值和低容值電容的表現(xiàn) [2]。其中，特征頻率是重要的分析工具，可以作為解讀電容實測頻率特性的準則。有關(guān)不同電容的測量頻譜的詳細說明，請參見 Application Note ANP109 [2]。