技術(shù)突破|瑞森半導(dǎo)體超小內(nèi)阻20mΩ和TO-220F封裝70mΩ的超結(jié)MOSFET上市
瑞森半導(dǎo)體進(jìn)一步壯大和完善超結(jié)(SJ)MOSFET系列，推出600V超結(jié)功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型號。2枚新品各自具備核心優(yōu)勢，為國內(nèi)少有產(chǎn)品型號 ，技術(shù)領(lǐng)航市場。
市場上70mΩ的超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品，芯片面積超出TO-220F載芯面積，常規(guī)均采用TO-247封裝，瑞森半導(dǎo)體新產(chǎn)品RSF60R070F采用專有的晶胞結(jié)構(gòu)和特殊工藝流程，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，在Rdson不變的情況下，有效減小芯片面積，滿足TO-220F/TO-263等封裝外形，從而大幅減少器件在PCB線路板上占用的空間(TO-220F與TO-247封裝外形相比，整體尺寸節(jié)約50%)，助力小型化產(chǎn)品的應(yīng)用。
RSF60R070F實(shí)測耐壓為600V，導(dǎo)通電阻僅為58mΩ，使得MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)更小的功率損耗和更高的效率，同時(shí)成本也隨之下降，為客戶提供低成本設(shè)計(jì)方案。該款產(chǎn)品主要適用于電源、電機(jī)控制、逆變器和其它高壓開關(guān)應(yīng)用等。
產(chǎn)品優(yōu)勢：
?常規(guī)產(chǎn)品封裝為TO-247，而RSF60R070F為TO-220F封裝，做到大電流小封裝;
?有效減小芯片面積，大幅減少器件在PCB線路板上占用的空間;
?內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC線路，并適合多管應(yīng)用;
?具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗;
?極低的柵極電荷(Qg)，大大提高系統(tǒng)效率;
?優(yōu)異的EMI性能
瑞森半導(dǎo)體具備超小內(nèi)阻的新品RSF60R026W，目前市場上硅基超結(jié)MOS最小內(nèi)阻為30mΩ左右。瑞森半導(dǎo)體基于豐富的超結(jié)MOS開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)出實(shí)測耐壓為600V，導(dǎo)通電阻典型值20mΩ的超結(jié)(SJ)MOSFET，導(dǎo)通電阻減少了33% ，提高了開關(guān)性能，進(jìn)一步降低功率損耗，可以極大提升整機(jī)電源的轉(zhuǎn)換效率。RSF60R026W適用于連續(xù)導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正(PFC)、雙管正激、LLC和太陽能升壓等拓?fù)渚€路，典型應(yīng)用于太陽能、服務(wù)器、電信設(shè)備和UPS(不間斷電源)等。
產(chǎn)品優(yōu)勢：
?實(shí)現(xiàn)超小內(nèi)阻,能做到RDS(ON)典型值20mΩ
?導(dǎo)通電阻減少了33% ，降低功率損耗，進(jìn)一步提高效率;
?內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC線路，并適合多管應(yīng)用;
?100%雪崩測試;
?低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻;
?優(yōu)異的EMI性能
瑞森半導(dǎo)體在超結(jié)(SJ)MOSFET系列上持續(xù)投入研發(fā)，現(xiàn)有產(chǎn)品包括內(nèi)置ESD系列(RSE****)、內(nèi)置FRD系列(RSF****)，耐壓涵蓋 600V 、650V、700V、800V 等，導(dǎo)通電阻從20mΩ到1000mΩ，全系列均具有出色的導(dǎo)通電阻特性，可提高效率和易用性，同時(shí)顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。性能對標(biāo)國際品牌，助力國產(chǎn)化，已在市場具備知名度和美譽(yù)度。瑞森半導(dǎo)體將持續(xù)升級超結(jié)(SJ)MOSFET系列，滿足不同客戶的應(yīng)用需求。
瑞森半導(dǎo)體將繼續(xù)開發(fā)導(dǎo)通電阻更低、功能更完善的產(chǎn)品，降低功率損耗，滿足各種應(yīng)用場景，助力客戶提升整機(jī)電源轉(zhuǎn)換效率。瑞森半導(dǎo)體600V超結(jié)(SJ)MOSFET---RSF60R070F型號和RSF60R026W型號已上市，誠邀全球客戶咨詢。
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