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[導(dǎo)讀]本文將從內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整體宏觀行情和智能手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)兩部分進(jìn)行解讀。由集邦咨詢舉辦的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)昨日在深圳舉行,詳細(xì)解讀全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境、產(chǎn)業(yè)細(xì)分市場(chǎng)以及技術(shù)演變動(dòng)態(tài),深度分析未來(lái)的驅(qū)動(dòng)因素和應(yīng)用商機(jī)。本文將從內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整體宏觀行情和智能手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)兩部分進(jìn)行解讀。

本文將從內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整體宏觀行情和智能手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)兩部分進(jìn)行解讀。由集邦咨詢舉辦的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)昨日在深圳舉行,詳細(xì)解讀全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境、產(chǎn)業(yè)細(xì)分市場(chǎng)以及技術(shù)演變動(dòng)態(tài),深度分析未來(lái)的驅(qū)動(dòng)因素和應(yīng)用商機(jī)。本文將從內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整體宏觀行情和智能手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)兩部分進(jìn)行解讀。

2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析

整體來(lái)看,全球2020年內(nèi)存市場(chǎng)成長(zhǎng)預(yù)估僅為12.2%,相較于2019年的19.0%有很大的下降。盡管如此,服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)的增長(zhǎng)依舊可觀,預(yù)測(cè)該部分在2020年的同比增長(zhǎng)達(dá)到20.1%。占整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)的比例從2019年的32.6%增長(zhǎng)到2020年的34.9%。(如下圖)


DRAMeXchange研究副總經(jīng)理郭祚榮表示,服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)成長(zhǎng)最高,有望在未來(lái)三到五年內(nèi)超過(guò)行動(dòng)式內(nèi)存市場(chǎng)。


PC內(nèi)存市場(chǎng)一直保持跌勢(shì),從現(xiàn)實(shí)狀況來(lái)看,人們對(duì)筆記本產(chǎn)品的換機(jī)時(shí)間越來(lái)越久,導(dǎo)致市場(chǎng)動(dòng)力不足。


從全球內(nèi)存廠晶圓投片量預(yù)估來(lái)看,2020年Q4與2019年Q4相比總體成長(zhǎng)只有約為5%。在該季度,三星明年約成長(zhǎng)為30K。郭祚榮稱:“以我經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,投片并不多,幾乎沒(méi)有新的產(chǎn)能開(kāi)出?!贝送?,郭祚榮還表示,從三星角度來(lái)看,它并不想做價(jià)格競(jìng)爭(zhēng),而把利潤(rùn)下降,希望一直穩(wěn)住自己30點(diǎn)的毛利。(如下圖)



據(jù)他預(yù)測(cè),三星的舊工廠Line 13在2021或者2022年投片可能歸零,做CMOS Sensor的生意。


2019年Q4到2020年Q4,SK海力士的產(chǎn)能不增反減,其中主要是M10工廠在減產(chǎn),轉(zhuǎn)而做CMOS Sensor生意。郭祚榮表示,SK海力士無(wú)錫C2廠最大容量能做到280K,目前只用了一半產(chǎn)能。可能因?yàn)橹忻狸P(guān)系的復(fù)雜化,擔(dān)心芯片銷售到海外沒(méi)有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。此外,SK海力士新工廠M16預(yù)計(jì)明年Q4完工,實(shí)現(xiàn)大部分量產(chǎn)預(yù)計(jì)到2021年。


美光在今明兩年的Q4都沒(méi)有太多變化,其在中國(guó)臺(tái)灣設(shè)有新工廠,完工時(shí)間與SK海力士M16相差無(wú)幾。南亞科今年還有轉(zhuǎn)折點(diǎn),思考要不要用導(dǎo)入美光制程,所以產(chǎn)能只是預(yù)估。


從全球內(nèi)存廠2020年產(chǎn)出量年成長(zhǎng)預(yù)估來(lái)看,2019年三星和SK海力士同比增長(zhǎng)都超過(guò)20%,明年只剩10來(lái)個(gè)點(diǎn),背后因?yàn)橘Y本支出的減少。SK海力士由于今年轉(zhuǎn)向1x nm制程,所以明年增長(zhǎng)幅度最大。(如下圖)



從全球內(nèi)存廠工藝演進(jìn)來(lái)看,從2018年到2020年1X/1Y nm逐漸成為主流。三星方面,工藝主要集中1x nm。由于1Z nm制程成本太高,三星要維持利潤(rùn),保持收入,所以在1Z nm的投入并不積極。美光方面,雖說(shuō)也有1Z nm制程,毛利卻沒(méi)法和三星抗衡。(如下圖)



郭祚榮表示,從制程先進(jìn)程度來(lái)比較,三星排第一,隨后是SK海力士和美光,目前來(lái)看,同樣的命名方式,美光其實(shí)三星一個(gè)世代。不過(guò)現(xiàn)在美光的1Z nm頗為先進(jìn),能與三星一較高下。


不管怎樣,明年1Xnm依舊是主流產(chǎn)品。


從需求側(cè)分析,與上面所說(shuō)一樣,整體出現(xiàn)微幅縮減,而服務(wù)器還在持續(xù)增長(zhǎng)。智能手機(jī)端今年下降了4%,郭祚榮稱用戶都在期待5G手機(jī),明年智能手機(jī)端內(nèi)存市場(chǎng)將大概與今年持平。(如下圖)



到2020年,全球內(nèi)存需求將增長(zhǎng)17.5%,其中基于智能手機(jī)與服務(wù)器的領(lǐng)域占比最大。從下圖可見(jiàn),兩者相加幾乎占到7成市場(chǎng)。(如下圖)



再看產(chǎn)業(yè)營(yíng)收預(yù)估,2019年,內(nèi)存廠高庫(kù)存水位難以紓解,第三季度日韓問(wèn)題帶動(dòng)拉貨力道,第四季度服務(wù)器需求提成,讓庫(kù)存逐步下降。到了2020年,內(nèi)存廠產(chǎn)出保守,獲利是他們的主要目標(biāo),將帶動(dòng)市場(chǎng)的供需平衡。(如下圖)


2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收成長(zhǎng)與供需預(yù)估


下面這張具體價(jià)格圖就更能表現(xiàn)問(wèn)題,拿PC DRAM DDR4 8GB內(nèi)存來(lái)舉例,年初一月份價(jià)格50塊,下半年只剩一半。明年漲幅不高基本持平,由于英特爾CPU缺貨影響,導(dǎo)致筆記本市場(chǎng)出貨不順,內(nèi)存產(chǎn)品也會(huì)有所影響。



下圖則是個(gè)內(nèi)存產(chǎn)品價(jià)格的預(yù)估,手機(jī)部分的價(jià)格增長(zhǎng)最為平緩,整體而言,供應(yīng)商為了為了維持活力,從而選擇保護(hù)詩(shī)詞,明年價(jià)格會(huì)起漲,最快第二季度可以顯現(xiàn)。




2020年智能手機(jī)發(fā)展與存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)分析


從DRAMeXchange分析師葉茂盛的報(bào)告中可以看出,目前智能手機(jī)發(fā)展已經(jīng)達(dá)到飽和階段,硬件更新減慢,到2020年整體智能手機(jī)生產(chǎn)量將達(dá)到14億臺(tái)。整體格局維持大者恒大狀態(tài),其中由于國(guó)際形勢(shì)復(fù)雜,華為的海外市場(chǎng)開(kāi)拓可能會(huì)受限,但其國(guó)內(nèi)增長(zhǎng)不斷上漲。如果美國(guó)政策利好,華為一年產(chǎn)量達(dá)到2.7億臺(tái)也有可能。



2020年智能手機(jī)發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,攝像頭方面,將會(huì)有更多鏡頭、更高像素、ToF和屏下相機(jī)模組出現(xiàn);屏幕方面,窄邊框和高幀率將提升用戶體驗(yàn);存儲(chǔ)方面,仍然是追求大容量和更快的傳輸速度;此外,生物識(shí)別和屏下指紋將會(huì)更多的滲透。


5G手機(jī)將在未來(lái)兩年加速增長(zhǎng),下圖的紅色部分。



存儲(chǔ)端,UFS將會(huì)更加適合用于5G時(shí)代的智能手機(jī),葉茂盛表示,eMMC將在5G時(shí)代中逐漸淘汰。



從智能手機(jī)存儲(chǔ)的傳輸介面與元件架構(gòu)趨勢(shì)來(lái)看,當(dāng)前uMCP與eMCP已幾乎沒(méi)有價(jià)差,考慮到傳輸速度的提升以及規(guī)格競(jìng)逐的需求,預(yù)計(jì)能夠在2020年起加速滲透入智能手機(jī)市場(chǎng)。


智能手機(jī)存儲(chǔ)的傳輸介面與元件架構(gòu)趨勢(shì),1Q17-4Q20F


此外,隨著NAND Flash技術(shù)發(fā)展到3D NAND階段,每顆die的傳輸速度也有小幅提升,在UFS3.0或以上的產(chǎn)品內(nèi),高層數(shù)3D NAND會(huì)是更匹配的組件。因此,葉茂盛表示,3D 92/96層NAND Flash產(chǎn)品滲透率預(yù)計(jì)將在2020年大幅提升。


從近幾年智能手機(jī)內(nèi)存消耗量與搭載容量趨勢(shì)來(lái)看,不論總量增長(zhǎng)或衰退,平均搭載容量增長(zhǎng)在后續(xù)幾年仍能保持在30% YoY以上。在2020年,不論是以UFS 2.1為主的uMCP或分離式的UFS 3.0,128GB都仍會(huì)是主流或占相當(dāng)比重。供貨商目前致力于推出256GB水平的uMCP,有助于下半年起提升出貨比重。


智能手機(jī)內(nèi)存消耗量與搭載容量趨勢(shì),1Q17-4Q20F


在智能手機(jī)存儲(chǔ)價(jià)格方面,從2019年Q3季度到2020年Q4季度,需求面不斷回穩(wěn),2020年Smarthpone bit consumption回到超過(guò)30%的增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)合約價(jià)將在2020年Q2到Q3季度之間反彈起漲。


智能手機(jī)存儲(chǔ)價(jià)格趨勢(shì),3Q19-4Q20F

總的來(lái)看,智能手機(jī)需求已達(dá)到高原期,集邦咨詢分析指出,未來(lái)幾年內(nèi)除非總體經(jīng)濟(jì)情勢(shì)激烈變化,智能手機(jī)年生產(chǎn)臺(tái)數(shù)將落在14~14.5億之間;大者恒大的趨勢(shì)持續(xù)在前六大品牌發(fā)酵;2020年5G手機(jī)出貨量可望顯著增加,集邦咨詢分析認(rèn)為總量會(huì)達(dá)到智能手機(jī)總數(shù)的14%,即約2億支水平。

伴隨著5G議題帶動(dòng),UFS 2.1/3.0可望大幅取代eMMC比重,2020Q4將超過(guò)50%;2019年行動(dòng)裝置閃存消耗增長(zhǎng)少于30%,2020年在總量止跌下,恢復(fù)至30-35%;平均搭載容量預(yù)計(jì)將在2019年Q4超過(guò)100GB,并在2020Q4超過(guò)128GB,2020年全年均增長(zhǎng)約為35%。

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