（全球TMT2022年11月8日訊）三星宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。

三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項(xiàng)技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達(dá)到了新的高度?；谧钚翹AND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達(dá)2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。