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[導(dǎo)讀]制裁中興、制裁華為,深深讓國(guó)人感受到了中國(guó)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的薄弱。美國(guó)對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的精準(zhǔn)打擊,更是讓國(guó)人認(rèn)識(shí)到了中國(guó)在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域的薄弱。而對(duì)于芯片制造來說,最為關(guān)鍵的設(shè)備當(dāng)屬光刻機(jī)。















制裁中興、制裁華為,深深讓國(guó)人感受到了中國(guó)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的薄弱。美國(guó)對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的精準(zhǔn)打擊,更是讓國(guó)人認(rèn)識(shí)到了中國(guó)在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域的薄弱。


而對(duì)于芯片制造來說,最為關(guān)鍵的設(shè)備當(dāng)屬光刻機(jī)。


光刻機(jī)按照用途可以分為IC 前道光刻機(jī)、封裝光刻機(jī)、面板光刻機(jī)以及 LED/MEMS/功率器件光刻機(jī)。而我們經(jīng)常所說的芯片制造所使用的則是IC前道光刻機(jī)。


資料顯示,光刻工藝是芯片制造過程中占用時(shí)間比最大的步驟,約占芯片制造總時(shí)長(zhǎng)的40%-50%。同時(shí),光刻機(jī)也是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本最高的半導(dǎo)體設(shè)備,約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備總成本的27%。目前最先進(jìn)的 EUV 設(shè)備在2018 年單臺(tái)平均售價(jià)高達(dá) 1.04 億歐元。



28nm光刻機(jī),中國(guó)已拿到“入場(chǎng)券”!可制造7nm芯片!


(先看視頻)


近日,央視財(cái)經(jīng)專題節(jié)目《而立浦東》,報(bào)道了上海微電子的最新進(jìn)展。一臺(tái)上海微自研的光刻機(jī)將發(fā)貨。


關(guān)于這臺(tái)光刻機(jī)的具體信息不多。結(jié)合上海微最新官宣信息,這臺(tái)光刻機(jī)基本確定是28nm工藝的。


什么是光刻機(jī)?它是制造集成電路,也就是芯片制造最關(guān)鍵的設(shè)備之一。每顆芯片誕生之始,都要經(jīng)過光刻機(jī)的鍛造。光刻機(jī)利用光刻工藝,將母版上復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)化為硅片上的電路。


可以說,如果沒有“中國(guó)光刻機(jī)”,那么制造“中國(guó)芯”也就無從談起。


中國(guó)早在18年前,02專項(xiàng)中就制定了光刻機(jī)突破的時(shí)間節(jié)點(diǎn),2020年實(shí)現(xiàn)28nm光刻機(jī)的自主研發(fā)。


在02專項(xiàng)光刻機(jī)項(xiàng)目中,設(shè)定的時(shí)間為2020年驗(yàn)收193nmArF浸沒式DUV光刻機(jī), 對(duì)標(biāo)產(chǎn)品為ASML現(xiàn)階段最強(qiáng)DUV光刻機(jī): TWINSCAN NXT:2000i。


以NXT:2000i為例, 各子系統(tǒng)拆分如下:上海微電子負(fù)責(zé)光刻機(jī)設(shè)計(jì)和總體集成,北京科益虹源提供光源系統(tǒng),北京國(guó)望光學(xué)提供物鏡系統(tǒng),國(guó)科精密提供曝光光學(xué)系統(tǒng),華卓精科提供雙工作臺(tái),浙江啟爾機(jī)電提供浸沒系統(tǒng)。


這臺(tái)28nm光刻機(jī),是集全中國(guó)最牛公司的智慧結(jié)晶,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈成熟的真正家底。


193納米ArF浸沒式DUV光刻機(jī),其制程工藝為28納米。


更重要的是這臺(tái)國(guó)產(chǎn)193納米ArF浸沒式DUV光刻機(jī)在經(jīng)過多重曝光下,最高可實(shí)現(xiàn)7nm芯片量產(chǎn),雖然還無法媲美目前最頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備,但這套國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)設(shè)備誕生,絕對(duì)可以完成絕大部分芯片生產(chǎn)。






ASML同時(shí)表態(tài):DUV可供應(yīng)中國(guó)!堅(jiān)決不放棄中國(guó)市場(chǎng)!


美國(guó)以“國(guó)家安全”為由恐嚇、威脅、制裁中國(guó)集成電路技術(shù)自主;光刻機(jī)作為全球高科技智慧的結(jié)晶,一直受制于美國(guó)法律。ASML雖有心供應(yīng)中國(guó),但受限于美國(guó)法律,最先進(jìn)的EUV產(chǎn)品出口,ASML有心無力。


目前全球絕大多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商,都向ASML采購(gòu)TWINSCAN機(jī)型,比如英特爾(Intel)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)、臺(tái)積電(TSMC)、中芯國(guó)際(SMIC)等。


雖受美國(guó)禁令影響,ASML在中國(guó)進(jìn)博會(huì)宣布,可銷售DUV光刻機(jī)。這是在向中國(guó)、向全球表明態(tài)度,堅(jiān)決不放棄中國(guó)市場(chǎng)

ASML的DUV光刻機(jī)不受美國(guó)法律影響,順利供應(yīng)中國(guó),很能說明問題,中國(guó)上海微28nm光刻機(jī)已經(jīng)成熟,EUV技術(shù)再無提防中國(guó)的必要。


美國(guó)對(duì)我們的技術(shù)封鎖方式一直沒變過,只要我們研究出來自己的技術(shù),就開始打開大門!


28nm作為當(dāng)前關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)的性能和技術(shù)優(yōu)勢(shì),光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)替代將迎來新的曙光,打破美國(guó)壟斷制裁。


28nm光刻裝備的成熟,就是中國(guó)進(jìn)入7nm高階芯片的臨門一腳。



集結(jié)優(yōu)勢(shì)力量,“自主7nm”3年可望成熟。


之前,全球前道光刻機(jī)被ASML、尼康、佳能壟斷,中國(guó)根本靠不上邊,上海微光刻機(jī)的突破,給中國(guó)自主7nm帶來機(jī)會(huì)。


我們認(rèn)為光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)替代將迎來新的曙光,尤其是IC前道制造領(lǐng)域,將初步打破國(guó)外巨頭完全壟斷的局面,實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。


刻蝕機(jī)、光刻機(jī)、光刻膠,中國(guó)相繼單點(diǎn)突破,由點(diǎn)及面,中國(guó)7nm之路正在一步一步被打開。

7nm都以為中國(guó)被卡脖子,但很多人還沒意識(shí)到這一點(diǎn),還沉醉在光刻機(jī)ASML獨(dú)一份的舊夢(mèng)中。


中國(guó)28nm光刻機(jī)的突破,迫使美國(guó)同意ASML DUV光刻機(jī)可供應(yīng)中國(guó)。背后壓力有中芯國(guó)際7nm工藝的突破、上海微DUV光刻機(jī)的成熟、中國(guó)政策資本不計(jì)代價(jià)的投入。


中芯國(guó)際利用ASML DUV光刻機(jī)制造出7nm芯片的事情,已被大眾熟知。同時(shí),上海微的28nm DUV光刻機(jī)制造成功,中芯國(guó)際用上國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的時(shí)間不會(huì)太久。


中芯國(guó)際利用ASML DUV光刻機(jī)研發(fā)7nm的技術(shù)積累,改換上上海微DUV光刻機(jī),這個(gè)時(shí)間同樣不會(huì)太久。


2021年,我們就有望看到中芯國(guó)際用上國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)研發(fā)7nm。保守點(diǎn)兒講,再加上一年的技術(shù)積累,小編相信,在政府不計(jì)成本的投入,2023年我們或可看到中國(guó)自主7nm芯片的下線。


芯片要擺脫壟斷,只有將技術(shù)牢牢地掌握在自己的手中,那么芯片局面才有可能扭轉(zhuǎn)。


集結(jié)資本技術(shù)優(yōu)勢(shì)力量,中國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈自主,我相信3年即可成熟突破。



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