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[導讀]電磁干擾 (EMI) 及其對組件、電路和系統(tǒng)的影響是許多設計的一個嚴重問題。它可能導致暫時性故障、不穩(wěn)定的性能、間歇性問題、系統(tǒng)故障、組件退化和硬故障。EMI 是許多應用中普遍存在的問題,尤其是工業(yè)和汽車設計,并且有各種行業(yè)和監(jiān)管標準來確保最終產品必須滿足的 EMI 抗性。

電磁干擾 (EMI) 及其對組件、電路和系統(tǒng)的影響是許多設計的一個嚴重問題。它可能導致暫時性故障、不穩(wěn)定的性能、間歇性問題、系統(tǒng)故障、組件退化和硬故障。EMI 是許多應用中普遍存在的問題,尤其是工業(yè)和汽車設計,并且有各種行業(yè)和監(jiān)管標準來確保最終產品必須滿足的 EMI 抗性。

我不會在這里嘗試提供抗 EMI 設計技術的指南。這是一個太大的話題,我們無法掌握,更不用說詳細探討了。此外,它已被廣泛涵蓋從具有有趣理論分析的學術論文(有趣但通常不是直接可操作的)到有關如何調查和“擊倒” EMI 及其后果的實踐文章。其中許多參考資料相對較舊,但仍然非常有效,因為 EMI 的核心是麥克斯韋方程組和其他物理和電子學基本原理的體現(xiàn)。

電氣干擾可以由電源線和信號線傳導,也可以通過電容、磁或其他電磁輻射在空氣中傳播。良好的設計實踐要求遵循一些基本指南和標準技術以最大限度地降低 EMI,包括線路濾波、修改電源設計、正確布局和屏蔽外殼。

EMI防護場所

在添加任何組件來衰減它之前,物理位置在 EMI 問題和解決方案中起著重要作用。基本策略包括在盡可能靠近其源頭的地方阻止干擾——最好在它們進入設備之前——并將它們重定向到地面,并嘗試將可能暴露于 EMI 干擾的部分放置在盡可能遠離敏感電路的地方。

當然,在設計電路時應考慮 EMI 保護,而不是大量留給后期設計/原型測試。盡管如此,在構建和評估電路和系統(tǒng)之后,設計工程師很可能需要做更多工作。除了布局和布線更改外,工程師還經常求助于多種 EMI 衰減組件和技術,包括旁路電容器、電阻器、鐵氧體磁珠、電感扼流圈、屏蔽、改進的接地和接地路徑、壓敏電阻等。

盡管如此,EMI 套件中有一個工具很容易被忽視:使用由于其設計和制造而固有地具有額外 EMI 電阻的組件。羅姆半導體最近推出的兩款新運算放大器讓我想起了這一點,這是最不起眼和最基本的有源模擬元件以及晶體管。單通道BD87581YG-C和雙通道BD87582YFVM-C具有更高的 EMI 抗擾度,適用于汽車和工業(yè)應用。

這些組件加入了 Rohm 于 2017 年首次推出的 BD8758xY EMARMOUR系列軌到軌輸入/輸出高速 CMOS 運算放大器。它們非常適合在惡劣環(huán)境中進行高速傳感,例如車輛發(fā)動機控制單元和異常檢測系統(tǒng)用于工廠自動化設備。這些運算放大器通過結合專有的模擬設計技術和制造工藝來實現(xiàn)增強的 EMI 性能。

當然,說得更好是一回事,但一些數(shù)字使聲明變得切實可行。在這種情況下,Rohm聲稱在汽車制造商進行的ISO 11452-2無線電波發(fā)射測試中,標準運放的輸出電壓在所有頻段波動都在±300 mV以上,而在所有頻段最多只有±10 mV。它的新系列。這個低值通常意味著不需要 EMI 相關的“對策”,例如在每個感興趣的頻率上特定頻率的濾波器組件,從而減少應用設計工作并提高可靠性。

Rohm 還提供了一些有趣的圖表,顯示了在四項國際噪聲評估測試中的表現(xiàn):ISO 11452-2 無線電波發(fā)射測試、ISO 11452-4 大電流注入測試、ISO 11452-9 接近天線抗擾度測試;和 IEC 62132-4 直接射頻功率注入測試。

其他抗電磁干擾元件

這些運算放大器并不是唯一可用的抗 EMI 集成電路。古老的 RS-232 標準有抗 EMI 接口組件;服務于 RS-232 的組件由于其在系統(tǒng)中的物理和電氣位置而最容易受到 EMI 的影響。RS-232 曾經是最常見的接口連接標準,但仍有許多傳統(tǒng)端口在使用。

您是否曾經使用抗 EMI 組件來提高您在抗 EMI 設計中的“勝算”?之后您是否曾切換到此類組件來解決問題?或者您是否認為單源組件存在設計和可用性風險,并且更愿意通過無源濾波器、屏蔽、布局拓撲、接地和其他方法等傳統(tǒng)技術來提高 EMI 抗擾度?


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