在上周的財報會議上,臺積電高層再度公開明確,3nm工藝制程一切如期,將在下半年投入量產(chǎn)。
聽聞這一消息,相信作為首批客戶的蘋果、Intel等自然是喜上眉梢,而競爭對手三星那邊廂,恐怕是心情復雜。
據(jù)Digitimes,三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠低于預期,這或許意味著公司需要更多的時間才能投入量產(chǎn)。
所謂GAA晶體管即環(huán)繞柵極晶體管,它取代的是FinFET(鰭式場效應晶體管),前者可以實現(xiàn)四邊充當電流通道,二者則只有三邊。
三星本來想著通過搶占技術制高點“降維”打擊臺積電,沒想到后者堅持在3nm使用FinFET后,結果更務實。
今年早些時候曾有報道稱,半導體設備巨頭Lam Research(泛林)向三星提供了用于3nm GAA芯片蝕刻相關的機器,三星希望在上半年完成全套工藝的質(zhì)量驗證。