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[導讀]荷蘭ASML公司 (全稱: Advanced Semiconductor Material Lithography,該全稱已經不作為公司標識使用,公司的注冊標識為ASML Holding N.V),中文名稱為阿斯麥爾(中國大陸)、艾司摩爾(中國臺灣)。


荷蘭ASML公司 (全稱: Advanced Semiconductor Material Lithography,該全稱已經不作為公司標識使用,公司的注冊標識為ASML Holding N.V),中文名稱為阿斯麥爾(中國大陸)、艾司摩爾(中國臺灣)。這是一家總部設在荷蘭埃因霍芬(Eindhoven)的全球最大的半導體設備制造商之一,向全球復雜集成電路生產企業(yè)提供領先的綜合性關鍵設備。ASML的股票分別在阿姆斯特丹及紐約上市??偛课挥诤商m埃因霍芬(Eindhoven),歐洲人均科研經費排名第二的高科技公司。

2010年,其全球凈銷售收入超過45億歐元。2011年,賣出222套機器 [1] ,全球凈銷售收入56.51億歐元 [1] ,凈利潤14.67億歐元。 [1] ASML在歐洲、亞洲及美國的50多個地區(qū)擁有9245名員工 [1] ,其中固定員工7184 [1] (歐洲4202 [1] ,亞洲1538 [1] , 美國1444 [1] ),男女比例為9:1 [1] 。截止2011年,全球市場占有率75%。

前幾天,歐盟價值約3100億元(超430億歐元)的芯片法案正式亮相。這才沒過多久,光刻機制造巨頭阿斯麥(ASML)又出來念“緊箍咒”了。

就在2月9日,阿斯麥掌門人Peter Wennink表態(tài)稱,歐洲不要想著只靠芯片法案的這點錢就“高枕無憂”,尤其是在芯片產業(yè)整體產能落后的情況下,有必要組建一個芯片聯(lián)盟,從芯片制造、研發(fā)等環(huán)節(jié)提高自身的競爭力。

按照阿斯麥給出的數(shù)據(jù),像中國、歐盟、日本、韓國和美國這些國家,估計在2022年對芯片行業(yè)的總投資有望達到1.9萬億(3000億美元)。而歐盟起碼要投入660億美元的資本,才可能維持8%左右的份額,要實現(xiàn)全球芯片產業(yè)市占比20%的目標,起碼資金投入要增加至2640億美元。

除了列出一堆數(shù)據(jù)“教導”歐盟,阿斯麥還敲響警鐘,指出歐盟再不加緊行動,估計其在全球半導體的產能將跌至4%左右。說得直白些就是,歐盟屆時在全球半導體產業(yè)的地位將變得可有可無。

在過去的40年里,我們逐漸從個人電腦和移動設備時代進化到云時代,我們生活的幾乎每個方面都在網(wǎng)上存儲和管理。ASML CTO Martin van den Brink表示,數(shù)字化未來的下一步將是分布式智能,由通信、計算和人工智能的無縫集成驅動,所有這些趨勢都要求更高的計算能力,這反過來又加速了對更強大、更節(jié)能的微芯片的需求。

隨著芯片工藝制程的不斷演進,芯片的制造變得越來越復雜。當今最先進的處理器基于Logic N5節(jié)點(5nm),包含數(shù)十億個晶體管。下一代芯片設計將包括更先進的材料、新的封裝技術和更復雜的3D設計。

而光刻技術是制造性能更強大、成本更便宜芯片的推動力。ASML的目標一直是減少芯片工藝的臨界尺寸,其整體光刻產品組合(EUV、ArFi、ArF、KrF和i-line系統(tǒng)等)有助于優(yōu)化生產,并通過將光刻系統(tǒng)與計算建模、計量和檢測解決方案集成,幫助優(yōu)化生產并實現(xiàn)成本的降低。

這33家企業(yè)主要包括電子、光學、藥研等高新技術企業(yè)及大學實驗室等,意義很明顯,就是打壓中國高科技,限制這些高精尖的科技發(fā)展。

而這33家企業(yè)中,我國先進光刻機供應商上海微電子亦在其中。

事實上,在北京時間2月7日,上海微電子是有一件大事情發(fā)生的,那就是舉行了中國首臺2.5D/3D先進封裝光刻機的發(fā)運儀式。

這臺最先進的先進封裝光刻機,主要用于高端數(shù)據(jù)中心高性能計算(HPC)和高端AI芯片等高密度異構集成領域,可滿足2.5D/3D的先進封裝,據(jù)稱是行業(yè)內同類產品的最高水平。

光刻系統(tǒng)所能達到的分辨率是光刻收縮的主要驅動因素之一,它主要由所用光的波長和光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑決定。更短的波長就像用于繪畫的更細的刷子,可以打印出更小的特征。更大的數(shù)值孔徑可以更緊密地聚焦光線,也能夠帶來更好的分辨率。

ASML光刻系統(tǒng)的發(fā)展一直是通過減少波長和增加數(shù)值孔徑來進行演進。多年來,ASML做了幾個波長步長,DUV光刻系統(tǒng)范圍從365 nm (i-line), 248 nm (KrF)到193 nm (ArF) ,而EUV光刻機的光波波長僅為13.5nm。

NA是光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑,表示光線的入射角度。使用更大的NA透鏡可以打印出更小的結構。除了更大的透鏡外,ASML還通過在最后一個透鏡元件和晶圓之間保持一層水薄膜來增加ArF系統(tǒng)的NA(即所謂的浸泡系統(tǒng))。在波長步進到EUV之后,ASML正在開發(fā)下一代EUV系統(tǒng),稱為EUV 0.55 NA (HighNA),將數(shù)值孔徑從0.33提高到0.55。

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