近日，臺(tái)積電確定要在臺(tái)中的中科園區(qū)建座 100 公頃的工廠(chǎng)，總投資額高達(dá) 8000 億-1 萬(wàn)億新臺(tái)幣 (約 289 億~361 億美元)。這一投資包括未來(lái) 2nm 制程的工廠(chǎng)，后續(xù)演進(jìn)的 1nm 制程的廠(chǎng)區(qū)也會(huì)落在該園區(qū)。業(yè)界預(yù)計(jì)，臺(tái)積電 2nm 工藝將在在 2024 年試生產(chǎn)，并在 2025 年量產(chǎn)，1nm 工藝將在此之后。另外，1nm 之后，臺(tái)積電將進(jìn)入更新世代的“埃米”制程 (埃米是納米的十分之一)，埃米世代制程有意落腳高雄，但臺(tái)積電并未證實(shí)。1月10日早間消息，據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，根據(jù)供應(yīng)鏈業(yè)界消息，臺(tái)積電產(chǎn)能持續(xù)搶手，AMD、蘋(píng)果、英偉達(dá)和高通等數(shù)十家客戶(hù)為確保后續(xù)出貨能力，紛紛預(yù)先支付費(fèi)用，臺(tái)積電今年將可取得超54.2億美元預(yù)付款，年度營(yíng)收有望繼續(xù)創(chuàng)新高。

自2020年以來(lái)，臺(tái)積電和三星電子兩大專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)便一直在明爭(zhēng)暗斗，前者想要讓霸主地位更加穩(wěn)固，而后者則想要利用新工藝在后摩爾時(shí)代彎道超車(chē)。

為了超越臺(tái)積電，三星曾在2020年公布了詳細(xì)的計(jì)劃，并為此投入了巨額資金，甚至于，要冒險(xiǎn)采用全新的GAA工藝。

雖然2021年以來(lái)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)生的種種事件擾亂了旁觀者的注意力，但兩大巨頭之間的競(jìng)爭(zhēng)卻從未停止。

根據(jù)新加坡《聯(lián)合早報(bào)》的報(bào)道，臺(tái)積電總裁魏哲家官宣了臺(tái)積電在芯片代工以及新工藝研發(fā)業(yè)務(wù)上的新進(jìn)展。

據(jù)魏哲家透露，受5G相關(guān)芯片等產(chǎn)品市場(chǎng)需求強(qiáng)勁的影響，目前臺(tái)積電的晶圓代工產(chǎn)能仍然處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。

與此同時(shí)，汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域也在持續(xù)帶動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體元件市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)，所以魏哲家預(yù)測(cè)，今年可能無(wú)法解決缺芯潮。

另外，魏哲家還預(yù)計(jì)，臺(tái)積電將于2025年推出2nm芯片。

從2nm芯片的亮相時(shí)間上來(lái)看，臺(tái)積電似乎與三星電子速度相當(dāng)。

早在今年10月7日，快科技報(bào)道，三星電子在三星代工論壇2021大會(huì)上第一次披露，該公司計(jì)劃2025年量產(chǎn)2nm芯片。

不過(guò)，三星在透露這一消息的同時(shí)還表示，新工藝的進(jìn)度還需要看客戶(hù)的規(guī)劃和部署。

考慮到三星幾乎在之前的每一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)都會(huì)落后臺(tái)積電一步的情況，筆者認(rèn)為三星很有可能在2026年才能夠?qū)崿F(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)及上市。

2021 年 Intel 在半導(dǎo)體芯片上有個(gè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變，除了自建工廠(chǎng)生產(chǎn)自家處理器之外，還要重新進(jìn)入代工市場(chǎng)，同時(shí)也加強(qiáng)與晶圓代工廠(chǎng)的合作，此前有消息稱(chēng)他們已經(jīng)拿了臺(tái)積電 3nm 一半產(chǎn)能，現(xiàn)在又要跟臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā) 2nm 工藝。

爆料這一消息的是 Northland 分析師 Gus Richard，它日前發(fā)布報(bào)告，將 Intel 目標(biāo)股價(jià)上調(diào)到 62 美元，并給出優(yōu)于指數(shù)的評(píng)級(jí)，看好 Intel 未來(lái)發(fā)展。

根據(jù)他的說(shuō)法，Intel 不僅可能會(huì)將 3nm 制程工藝交給臺(tái)積電代工，同時(shí)也開(kāi)始跟臺(tái)積電討論合作開(kāi)發(fā) 2nm 工藝。

不過(guò)這一說(shuō)法還沒(méi)有得到 Intel 或者臺(tái)積電的證實(shí)，考慮到這是高度機(jī)密的信息，一時(shí)間也不會(huì)有官方確認(rèn)的可能。

此前消息稱(chēng)臺(tái)積電 3nm 的量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì) 2022 年四季度啟動(dòng)，且首批產(chǎn)能被蘋(píng)果和 Intel 均分。

至于未來(lái)的 2nm 工藝，臺(tái)積電將在 2nm 節(jié)點(diǎn)推出 Nanosheet/Nanowire 的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，預(yù)計(jì)會(huì)在 2025 年量產(chǎn)。

按照全球最頂尖的兩大代工廠(chǎng)臺(tái)積電、三星的計(jì)劃，今年雙方的工藝都將進(jìn)入3nm。

很多人認(rèn)為，今年將是臺(tái)積電、三星展開(kāi)競(jìng)賽的一年，臺(tái)積電想保住自己大哥的位置，而三星不甘心當(dāng)老二，也想當(dāng)大哥，所以競(jìng)賽必然在3nm上進(jìn)行。

再加上三星押寶GAAFET技術(shù)，相比于臺(tái)積電的FinFET技術(shù)更先進(jìn)，所以三星是來(lái)勢(shì)洶洶。

表面上來(lái)看，確實(shí)是如此，但事實(shí)上，今年雙方并不會(huì)展開(kāi)什么激烈競(jìng)爭(zhēng)，雙方真正的決戰(zhàn)將會(huì)在2025年的2nm工藝上展開(kāi)，現(xiàn)在都只是前期準(zhǔn)備階段。

首先，在3nm上，不管臺(tái)積電的FinFET工藝是不是真的落后于GAAFET工藝，三星是搶不走太多臺(tái)積電份額的。

一方面是當(dāng)前臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)還很明顯，蘋(píng)果、AMD、聯(lián)發(fā)科、nividia、intel們都還站臺(tái)積電，三星的最大客戶(hù)還只有高通，明顯拼不過(guò)。

二是三星剛使用GAAFET技術(shù)，良率不可能很高，成本也不可能低下來(lái)，相比于臺(tái)積電成熟穩(wěn)定的FinFET而言，技術(shù)是先進(jìn)些，但芯片產(chǎn)能規(guī)模化不了，更多的只是前期工作，推動(dòng)技術(shù)落地成熟應(yīng)用而已，所以在3nm時(shí)就搶臺(tái)積電市場(chǎng)，真的難以實(shí)現(xiàn)。

可以說(shuō)，三星之所以在3nm時(shí)使用GAAFET這種技術(shù)，更多的還是在后續(xù)做準(zhǔn)備，提前熟悉、掌握這一技術(shù)，這樣在后續(xù)工藝時(shí)更有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

到2025年時(shí)，臺(tái)積電也要轉(zhuǎn)用GAAFET工藝了，并且在2025年臺(tái)積電、三星都會(huì)進(jìn)入2nm工藝，都使用GAAFET技術(shù)，這時(shí)候才是兩者真正決戰(zhàn)的開(kāi)始。

臺(tái)積電在2025年時(shí)才 算是首次進(jìn)入GAAFET工藝，而三星相當(dāng)于已經(jīng)提前熟悉了3年，三星在GAAFET工藝更有優(yōu)勢(shì)了。

再加上三星前期做的各種準(zhǔn)備工作，三星在2025年時(shí)，也就是都進(jìn)入GAAFET工藝時(shí)，才是真正有希望搶臺(tái)積電市場(chǎng)的時(shí)候，那時(shí)候也將是真正的大決戰(zhàn)時(shí)候。