本文中，小編將對MPS MP5515電源管理芯片予以介紹，如果你想對它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進(jìn)對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

MP5515 是一款針對企業(yè)級固態(tài)硬盤、NVDIMM 和其他具有備份系統(tǒng)要求應(yīng)用的電源管理芯片。MP5515 具有輸入電流限和輸入反向電流閉鎖保護(hù)功能，它還含有一個(gè)帶單電感的雙向Buck-Boost變換器，該變換器為MPS專利產(chǎn)品，可用來儲(chǔ)存能量，所以當(dāng)輸入電源故障時(shí)，MP5515還可作為系統(tǒng)備用電源。MP5515 還提供 I2C 通訊和模數(shù)轉(zhuǎn)換功能。通過使用 I2C 接口，用戶可以設(shè)置輸入電流限值、軟啟控制和執(zhí)行電容檢測。 MP5515 也可以監(jiān)控系統(tǒng)狀態(tài)，比如輸入電壓、輸入電流、存儲(chǔ)電壓、溫度，和提供錯(cuò)誤的中斷指示。

內(nèi)部輸入電流限模塊可防止系統(tǒng)啟動(dòng)期間的浪涌電流，而反向電流閉鎖功能則可以防止備用能量流向 VIN 端口。MPS 取得的能量存儲(chǔ)和釋放管理控制電路專利，可以最大限度地降低了存儲(chǔ)電容的要求。它將輸入電壓升到更高的備用電壓，并且在輸入中斷的情況下，能將能量釋放到系統(tǒng)總線并保持一段時(shí)間。

MP5515 最大限度地減少了標(biāo)準(zhǔn)外部元器件的使用，采用 30-引腳 QFN (5mmx5mm)封裝。

MP5515 是 QFN-30 (5mmx5mm) 封裝的能源備份和管理單元。 MP5515 為典型的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器或硬盤驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用提供了非常緊湊和高效的能源管理解決方案。 MPS 獲得專利的無損儲(chǔ)能和釋放管理電路使用雙向升降壓轉(zhuǎn)換器來實(shí)現(xiàn)最佳能量傳輸，并提供最具成本效益的儲(chǔ)能解決方案。 集成升壓轉(zhuǎn)換器提高了能量備用電壓水平。后備反饋電阻分壓器設(shè)置后備電壓。如果輸入突然關(guān)閉，內(nèi)部降壓轉(zhuǎn)換器將能量從后備電容器轉(zhuǎn)移到總線，并在系統(tǒng)消耗后備電容器的能量時(shí)保持總線電壓。 MP5515 還具有 I2C 接口?？梢允褂迷摻涌?寫入控制命令和監(jiān)控系統(tǒng)狀態(tài)。一個(gè)集成的 ADC 轉(zhuǎn)換器可轉(zhuǎn)換電壓、電流和溫度傳感器信號。

當(dāng) VIN 功率高于其欠壓鎖定 (UVLO) 閾值時(shí)，VCC 和 I2C 接口被啟用。 經(jīng)過上電復(fù)位延遲時(shí)間后，如果VCC準(zhǔn)備好且VIN比VB高0.2V，則VIN到VB的隔離MOSFET(ISOFET)導(dǎo)通，總線電容從0V充電到VIN，由DVDT控制壓擺率。

當(dāng) DVDT 電壓飽和時(shí)，備用升壓轉(zhuǎn)換器解鎖并可通過寄存器位啟用。在啟動(dòng)升壓轉(zhuǎn)換器之前有一個(gè)約 1.2ms 的延遲時(shí)間定時(shí)器，以確保 ISOFET 完全開啟。 默認(rèn)情況下啟用備用升壓轉(zhuǎn)換器。在預(yù)充電期間，存儲(chǔ)電壓用大約 350mA 的涓流電流充電。一旦儲(chǔ)能電壓接近VB，升壓開關(guān)電路啟動(dòng)，儲(chǔ)能電壓升壓調(diào)節(jié)至目標(biāo)電壓。

啟動(dòng)期后，內(nèi)部升壓轉(zhuǎn)換器自動(dòng)將備用電壓調(diào)節(jié)至設(shè)定值。 MP5515 使用突發(fā)模式來最小化轉(zhuǎn)換器的功率損耗。 當(dāng)存儲(chǔ)電壓低于設(shè)定電壓時(shí)，突發(fā)模式啟動(dòng)并為存儲(chǔ)電容器充電。 在升壓期間，升壓開關(guān)電流限制和低側(cè) MOSFET (LS-FET) 控制升壓。 當(dāng) LS-FET 導(dǎo)通時(shí)，電感電流增加，直到達(dá)到 ICH 設(shè)置的峰值電流水平。 達(dá)到峰值電流水平后，LS-FET 在設(shè)定的最短關(guān)斷時(shí)間內(nèi)關(guān)斷。在此最短關(guān)斷時(shí)間結(jié)束時(shí)，如果反饋電壓保持低于 0.8V 內(nèi)部參考電壓，則 LS-FET 再次導(dǎo)通。 否則，MP5515 會(huì)等到電壓降至參考電壓以下，然后再打開 LS-FET。 在升壓模式下，高邊MOSFET(HS-FET)不導(dǎo)通，電感電流通過HS-FET的體二極管傳導(dǎo)。升壓開關(guān)電流限制由 ICH 電阻器設(shè)置(正常應(yīng)用推薦使用 0.5A 至 2A)。 通過浮動(dòng) ICH，升壓開關(guān)峰值電流默認(rèn)設(shè)置為 2A，ICH 位 = 11(對于典型的 12V 輸入和 10μH 電感應(yīng)用條件)。MP5515 為 VSTRG 應(yīng)用了過壓保護(hù) (OVP) 功能。 如果 FBS 上 VSTRG 的反饋電壓超過 1.1 x VFBS-REF，MP5515 將關(guān)閉升壓轉(zhuǎn)換器的 LS-FET，直到 VSTRG 降至調(diào)節(jié)電壓。沒有必要給 STRG 添加一個(gè)電壓高于 VSTRG 調(diào)節(jié)電壓的外部電源。

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