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[導(dǎo)讀]最近在調(diào)試AndroidNative層的內(nèi)存泄漏問(wèn)題,整理了一些筆記,分享一下如何查看內(nèi)存信息?在代碼中打印,開啟一個(gè)線程,間隔固定時(shí)間打印出當(dāng)前內(nèi)存信息【有好多種獲取內(nèi)存信息的API,這里只列出其中一種方式,親測(cè)有效】private?void?startMemProfiler(...

最近在調(diào)試Android Native層的內(nèi)存泄漏問(wèn)題,整理了一些筆記,分享一下

如何查看內(nèi)存信息?

  • 在代碼中打印,開啟一個(gè)線程,間隔固定時(shí)間打印出當(dāng)前內(nèi)存信息【有好多種獲取內(nèi)存信息的API,這里只列出其中一種方式,親測(cè)有效】
private void startMemProfiler() {
new Thread(new Runnable() {
@Override
public void run() {
while (true) {
displayMemory();
try {
Thread.sleep(2000);
} catch (InterruptedException e) {
e.printStackTrace();
}
}
}
}).start();
}

private void displayMemory() {
final ActivityManager activityManager = (ActivityManager) getSystemService(ACTIVITY_SERVICE);
ActivityManager.MemoryInfo info = new ActivityManager.MemoryInfo();
activityManager.getMemoryInfo(info);
Log.i(TAG, "系統(tǒng)剩余內(nèi)存:" (info.availMem / (1024 * 1024)) "M");
Log.i(TAG, "系統(tǒng)是否處于低內(nèi)存運(yùn)行:" info.lowMemory);
Log.i(TAG, "當(dāng)系統(tǒng)剩余內(nèi)存低于" (info.threshold / (1024 * 1024)) "M" "時(shí)就看成低內(nèi)存運(yùn)行");
Log.i(TAG, "系統(tǒng)已經(jīng)分配的native內(nèi)存:" (Debug.getNativeHeapAllocatedSize() / (1024 * 1024)) "M");
Log.i(TAG, "系統(tǒng)還剩余的native內(nèi)存:" (Debug.getNativeHeapFreeSize() / (1024 * 1024)) "M");
Log.i(TAG, "系統(tǒng)的所有native內(nèi)存大小:" (Debug.getNativeHeapSize() / (1024 * 1024)) "M");
}
  • 使用adb命令行
adb shell dumpsys meminfo /
adb shell dumpsys meminfo tv.danmaku.bili
dumpsys meminfo顯示的信息如圖所示:


Android 關(guān)鍵內(nèi)存項(xiàng)介紹

這里僅介紹我們需要重點(diǎn)關(guān)注的字段:


  • Dalvik Heap:虛擬機(jī)占用的內(nèi)存,可以理解為Java層占用的內(nèi)存。


  • Native Heap:Native層占用的堆內(nèi)存,可以理解為C/C 側(cè)占用的內(nèi)存?!疚覀冃枰攸c(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)】


  • Private Dirty/Clean:進(jìn)程私有的內(nèi)存,進(jìn)程銷毀后,該部分內(nèi)存可以被回收【Dirty/Clean:該頁(yè)面是否被修改過(guò),如果被修改過(guò),即dirty,在頁(yè)面被淘汰的時(shí)候,就會(huì)把該頁(yè)面換出?!?


  • VSS(Virtual Set Size):表示一個(gè)進(jìn)程可訪問(wèn)的全部?jī)?nèi)存地址空間的大小。這個(gè)大小包括了進(jìn)程已經(jīng)申請(qǐng)但尚未使用的內(nèi)存空間。在實(shí)際中很少用這種方式來(lái)表示進(jìn)程占用內(nèi)存的情況,用它來(lái)表示單個(gè)進(jìn)程的內(nèi)存使用情況是不準(zhǔn)確的?!緢D中沒有展示,但Linux中有這個(gè)東西】


  • RSS(Resident Set Size):表示一個(gè)進(jìn)程在RAM中實(shí)際使用的空間地址大小,包括了全部共享庫(kù)占用的內(nèi)存,這種表示進(jìn)程占用內(nèi)存的情況也是不準(zhǔn)確的?!緢D中沒有展示,但Linux中有這個(gè)東西】


  • PSS(Proportional Set Size):表示一個(gè)進(jìn)程在RAM中實(shí)際使用的空間地址大小,它按比例包含了共享庫(kù)占用的內(nèi)存。假如有3個(gè)進(jìn)程使用同一個(gè)共享庫(kù),那么每個(gè)進(jìn)程的PSS就包括了1/3大小的共享庫(kù)內(nèi)存。這種方式表示進(jìn)程的內(nèi)存使用情況較準(zhǔn)確,但當(dāng)只有一個(gè)進(jìn)程使用共享庫(kù)時(shí),其情況和RSS一模一樣。
    【PSS 衡量的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,可以將所有進(jìn)程的 PSS 加起來(lái)確定所有進(jìn)程占用的實(shí)際內(nèi)存。這表示 PSS 是一種理想的方式,可用來(lái)衡量進(jìn)程的實(shí)際 RAM 占用比重,以及相對(duì)于其他進(jìn)程和可用的總 RAM 而言,對(duì) RAM 的占用情況。】


  • USS(Unique Set Size):表示一個(gè)進(jìn)程本身占用的內(nèi)存空間大小,不包含其它任何成分,這是表示進(jìn)程內(nèi)存大小的最好方式!【圖中沒有展示,但Linux中有這個(gè)東西】【所以有:VSS>=RSS>=PSS>=USS】


  • Graphics:圖形緩沖區(qū)隊(duì)列為向屏幕顯示像素(包括 GL 表面、GL 紋理等等)所使用的內(nèi)存。(請(qǐng)注意,這是與 CPU 共享的內(nèi)存,不是 GPU 專用內(nèi)存。)【官方文檔這么說(shuō)的,具體啥意思我也沒看懂,https://developer.android.com/studio/profile/memory-profiler】


  • 其他字段如果想要了解可以參考官方文檔:https://developer.android.com/studio/command-line/dumpsys


如何調(diào)試內(nèi)存泄漏

  • 通過(guò)排除法 打印當(dāng)前內(nèi)存信息(上面介紹過(guò))的方法,懷疑哪里就注釋掉哪里,看還會(huì)不會(huì)有泄漏【比較糙】。


  • 代碼層全局覆蓋malloc和free,本質(zhì)就是記錄下來(lái)每個(gè)malloc的節(jié)點(diǎn),存到鏈表里,free的時(shí)候?qū)⒐?jié)點(diǎn)從鏈表里移除,如果最后鏈表中還有節(jié)點(diǎn),則表示有內(nèi)存泄漏?!敬蠖鄶?shù)場(chǎng)景中好用,但只能檢測(cè)當(dāng)前代碼內(nèi)存的C語(yǔ)言代碼,不能檢測(cè)其他庫(kù)的泄漏】


  • 重載operator new 和 operator delete,原理和上面類似。【只能檢測(cè)C 使用new delete操作的內(nèi)存,不能檢測(cè)malloc和free操作的內(nèi)存】


  • 使用Android Studio Profiler工具:需要Android10以上版本,具體可以看:https://developer.android.com/studio/profile/memory-profiler。【整體感覺不太好用】


  • 在Demo側(cè)集成tencent/matrix,可以選擇hook某個(gè)動(dòng)態(tài)鏈接庫(kù)下的malloc和free符號(hào),如果發(fā)現(xiàn)某個(gè)動(dòng)態(tài)庫(kù)中存在內(nèi)存泄漏,會(huì)打印出泄漏的堆棧信息?!就扑]使用】


matrix的使用通過(guò)集成matrix庫(kù),可以選擇hook某個(gè)動(dòng)態(tài)鏈接庫(kù)的malloc和free符號(hào),然后工作方式和libctools類似,存儲(chǔ)malloc的節(jié)點(diǎn),free時(shí)候就刪除該節(jié)點(diǎn),最后統(tǒng)計(jì)內(nèi)存泄漏情況。


matrix的集成方式可以看github庫(kù):https://github.com/Tencent/matrix


hook的原理可以看:https://github.com/iqiyi/xHook/blob/master/docs/overview/android_plt_hook_overview.zh-CN.md


如果出現(xiàn)內(nèi)存泄漏,會(huì)有json和log后綴的文件,如圖:



json文件會(huì)統(tǒng)計(jì)哪個(gè)庫(kù)泄漏了多少內(nèi)存,log文件會(huì)記錄具體泄漏的堆棧信息。
拿到具體泄漏的堆棧信息后,可以通過(guò)addr2line工具定位到具體的代碼:


/Users/xxx/Android/ndk/21.4.7075529/toolchains/llvm/prebuilt/darwin-x86_64/bin/aarch64-linux-android-addr2line -C -f -e /Users/xxx/project/java/build/intermediates/stripped_native_libs/debug/out/lib/arm64-v8a/libBMMCapture-Android.so 83a70
效果如圖:


其它工具

dumpsys還有一些其它功能,使用方式如下:


  • 內(nèi)存 adb shell dumpsys meminfo


  • CPU adb shell dumpsys cpuinfo


  • 幀率 adb shell dumpsys gfxinfo


  • 顯示 adb shell dumpsys display


  • 電源 adb shell dumpsys power


  • 電池狀態(tài) adb shell dumpsys batterystats


  • 電池 adb shell dumpsys battery


  • 鬧鐘 adb shell dumpsys alarm


  • 位置 adb shell dumpsys location


復(fù)盤拍攝內(nèi)存泄漏排查

背景:每次出現(xiàn)內(nèi)存泄漏時(shí),經(jīng)常懷疑是某個(gè)模塊或者其他庫(kù)更新導(dǎo)致,但又沒有證據(jù),沒有合適的排查內(nèi)存泄漏的方法論。


分析與解決:


■ 接入每個(gè)三方庫(kù)時(shí),都寫一個(gè)Demo,進(jìn)行效果測(cè)試、內(nèi)存測(cè)試、性能測(cè)試,每次更新三方庫(kù)時(shí),都跑一下Demo?;蛘呙看纬鰡?wèn)題時(shí),跑一下Demo看是不是這個(gè)庫(kù)導(dǎo)致的問(wèn)題。


■ 集成第三方庫(kù)時(shí),降低代碼耦合性,保證可以靈活去掉某個(gè)三方庫(kù),可考慮使用條件編譯等手段,方便排查問(wèn)題。


■ 引入工具排查:○內(nèi)存泄漏:Android使用matrix,iOS使用Xcode○cpu占用率:Android profiler, iOS Xcode○gpu占用率:Android 高通使用snapdragonprofiler,或者perfdog(收費(fèi))


相關(guān)資料推薦


https://developer.android.com/topic/performance/memory-management?hl=zh-cn
https://developer.android.com/studio/profile/memory-profiler https://developer.android.com/studio/command-line/dumpsys
https://github.com/iqiyi/xHook/blob/master/docs/overview/android_plt_hook_overview.zh-CN.md


參考資料


https://developer.android.com/studio/command-line/dumpsys
https://blog.csdn.net/pugongying1988/article/details/16838859
https://www.jianshu.com/p/8203457a11cc



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