三星在今年搶了不少風(fēng)頭，最新推出的Galaxy S6搭載了自家的Exynos 7420處理器，這款處理器是全球首款采用14nm FinFET工藝的移動(dòng)處理器，不管是性能還是功耗都完勝市面上其他使用20nm FinFET工藝制程的處理器。憑借 14 nm FinFET 工藝，三星已經(jīng)從臺(tái)積電手中吸引和搶奪了像蘋果和高通這樣的大客戶。在14nm工藝節(jié)點(diǎn)上，三星是當(dāng)之無(wú)愧的winner。

早在2012年的時(shí)候，業(yè)界不少聲音指出，摩爾定律已經(jīng)失效，14nm將會(huì)是半導(dǎo)體工藝極限。然而現(xiàn)在14nm不是極限，卻恰恰是新工藝的開(kāi)始。三星、臺(tái)積電、Intel、IBM等半導(dǎo)體巨頭關(guān)于10nm、7nm的生產(chǎn)已經(jīng)提上日程，在半導(dǎo)體行業(yè)，誰(shuí)搶先掌握了最先進(jìn)的制造工藝，誰(shuí)就可以呼風(fēng)喚雨，而在技術(shù)日益復(fù)雜、摩爾定律幾近失效的今天，先進(jìn)工藝的重要性就愈發(fā)凸顯，因此半導(dǎo)體巨頭，尤其是有直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系的臺(tái)積電和三星將會(huì)掀起一場(chǎng)沒(méi)有硝煙的大戰(zhàn)。

反擊!臺(tái)積電計(jì)劃2016年投產(chǎn)10 nm

錯(cuò)過(guò)了14nm的先機(jī)，流失了不少訂單，臺(tái)積電并不悲觀，正如三星跳過(guò)20nm直接進(jìn)入14nm生產(chǎn)工藝，近日有媒體報(bào)道稱臺(tái)積電將跳過(guò)14nm直接進(jìn)入10nm生產(chǎn)工藝，臺(tái)積電計(jì)劃將于年底啟動(dòng)10nm生產(chǎn)工藝的試生產(chǎn)，批量生產(chǎn)將于2016年底開(kāi)始。不僅是10nm,臺(tái)積電連同7nm的規(guī)劃也一起發(fā)布了，將在2018年開(kāi)始投產(chǎn)7nm芯片。臺(tái)積電的野心不小，不過(guò)發(fā)布這樣的消息絕不會(huì)僅僅是和三星較勁，這是一場(chǎng)嚴(yán)肅的戰(zhàn)爭(zhēng)，錯(cuò)過(guò)了14nm，再錯(cuò)過(guò)10nm會(huì)給臺(tái)積電帶來(lái)巨大的損失。當(dāng)然兩虎相爭(zhēng)必有一傷，這時(shí)候拼的就是速度了!

有備無(wú)患，三星 10nm 也要領(lǐng)先臺(tái)積電?

三星于去年年底量產(chǎn)14nmFinFET芯片，在14nm嘗到甜頭后，三星自然不會(huì)把下一代芯片工藝的頭把交椅拱手讓出，應(yīng)對(duì)臺(tái)積電在10nm領(lǐng)域的規(guī)劃，三星也積極調(diào)整生產(chǎn)工藝日程計(jì)劃，從而防止客戶流失轉(zhuǎn)而投入臺(tái)積電的10nm芯片。三星沒(méi)有提及7nm方面的計(jì)劃，但對(duì)10nm工藝制程，貌似已有了充分的準(zhǔn)備，根據(jù)最新的消息，三星已經(jīng)將10nm FinFET工藝正式加入產(chǎn)品路線圖，并且已經(jīng)完成10nm工藝的設(shè)計(jì)、研發(fā)工作。三星旗下電子制造部門Samsung Foundry表示，三星10nm FinFET工藝將正式進(jìn)入商用階段，采用10nm工藝的電子產(chǎn)品在2016年就可以與大家見(jiàn)面，從這一時(shí)間點(diǎn)來(lái)看，比臺(tái)積電的10nm早了不少，這回三星打算要要徹底逆襲。

Intel跳票接著跳票 難道甘于落后

Intel原計(jì)劃在2016年第二季度推出首個(gè)基于10nm工藝的Cannonlake，但根據(jù)最新消息，新工藝很不幸地跳票到了第四季度，推遲了至少半年。這些年來(lái)，Intel一直堅(jiān)持Tick-Tock發(fā)展模式，新工藝、新架構(gòu)每年交替到來(lái)，但是在14nm上碰了個(gè)大釘子。按照Intel原來(lái)的規(guī)劃，14nm工藝應(yīng)該很輕松完成，2013年底或2014年初就能登場(chǎng)，結(jié)果因?yàn)楣に嚾毕菀煌显偻?，直?014年下半年才登場(chǎng)，而且是拖拖拉拉，最初只有超低功耗版本的Core M系列，然后是低功耗的U系列，進(jìn)入2015年中了才算鋪開(kāi)，桌面上更是剛推出僅僅兩款K版本應(yīng)付了事。

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如果按照早些年的規(guī)劃，10nm 今年年底就該上場(chǎng)了，結(jié)果再次遭遇不幸，看來(lái)和14nm當(dāng)初的境遇差不多。不少網(wǎng)友調(diào)侃，如果AMD今年推出14nm,Intel明年就能推出7nm。intel 14nm、10nm的跳票或許是因?yàn)槿鄙倭藦?qiáng)大的對(duì)手吧。

不過(guò)三星、臺(tái)積電明年都要開(kāi)始量產(chǎn)10nm了， 一直引領(lǐng)先進(jìn)制造工藝的Intel難道真的甘于落后嗎?據(jù)悉，英特爾已開(kāi)始對(duì) 7nm 和 5nm 制程技術(shù)的研究。7nm之后Intel很可能將會(huì)放棄傳統(tǒng)的硅芯片工藝，而引入新的材料作為替代品。今年 2 月份的 ISSCC 國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上，英特爾的高級(jí)研究人員 Mark Bohr 也談到，英特爾無(wú)需借助極紫外線光刻(EUV)這種高深的制造技術(shù)也能實(shí)現(xiàn) 7nm 制程工藝，并且計(jì)劃于 2018 年推出，這個(gè)時(shí)間與臺(tái)積電的計(jì)劃時(shí)間相當(dāng)。

藍(lán)色巨人IBM展示7nm工藝處理器

現(xiàn)在14nm芯片還處于非常新鮮的階段，而IBM已經(jīng)把工藝做到7nm，這無(wú)疑讓業(yè)界為之一震。IBM半導(dǎo)體科技研究部副總裁Mukesh Khare表示，這款測(cè)試芯片首度在7nm晶體管內(nèi)加入一種叫做“硅鍺”(SiGe)的材料，替代原有的純硅，并采用了極紫外光(Extreme Ultraviolet，EUV)微影技術(shù)。相較10nm，使用7nm制程后的面積將所縮小近一半，但同時(shí)因?yàn)槟苋菁{更多的晶體管(200億+)，效能也會(huì)提升50%，從而制造出世界上最強(qiáng)大的芯片。

遺憾的是，IBM并沒(méi)有提供7納米工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的時(shí)間，只是表示2017年就能在實(shí)驗(yàn)室里真正完成研發(fā)。有不少網(wǎng)友對(duì)IBM率先量產(chǎn)7nm持懷疑態(tài)度，他們認(rèn)為Intel、臺(tái)積電更有可能率先量產(chǎn)7nm?？紤]到硅鍺材料的價(jià)格，以及EUV技術(shù)的高成本，這并不符合芯片普及的一個(gè)重要條件——經(jīng)濟(jì)性，Intel方面正在研發(fā)無(wú)需EUV技術(shù)的7nm工藝。

從現(xiàn)在看來(lái)，10nm工藝是能夠?qū)崿F(xiàn)的，7nm也有了技術(shù)的支持，Intel、臺(tái)積電雖然都說(shuō)了正在研發(fā)7nm,但對(duì)于具體產(chǎn)品材料和技術(shù)都守口如瓶，這都是未來(lái)5年內(nèi)被證實(shí)的事情，還是讓時(shí)間慢慢揭曉吧。業(yè)界普遍認(rèn)為，5nm則是現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝的物理極限，但也許在不久的將來(lái)，5nm也可能會(huì)成為歷史，未來(lái)一切皆有可能。而現(xiàn)在最關(guān)鍵的是各大巨頭應(yīng)盡快實(shí)現(xiàn)10nm和7nm量產(chǎn)，率先俘獲客戶和消費(fèi)者，以獲取下一代半導(dǎo)體工藝革命的資本船票。