三星在今年搶了不少風頭，最新推出的Galaxy S6搭載了自家的Exynos 7420處理器，這款處理器是全球首款采用14nm FinFET工藝的移動處理器，不管是性能還是功耗都完勝市面上其他使用20nm FinFET工藝制程的處理器。憑借 14 nm FinFET 工藝，三星已經(jīng)從臺積電手中吸引和搶奪了像蘋果和高通這樣的大客戶。在14nm工藝節(jié)點上，三星是當之無愧的winner。

早在2012年的時候，業(yè)界不少聲音指出，摩爾定律已經(jīng)失效，14nm將會是半導(dǎo)體工藝極限。然而現(xiàn)在14nm不是極限，卻恰恰是新工藝的開始。三星、臺積電、Intel、IBM等半導(dǎo)體巨頭關(guān)于10nm、7nm的生產(chǎn)已經(jīng)提上日程，在半導(dǎo)體行業(yè)，誰搶先掌握了最先進的制造工藝，誰就可以呼風喚雨，而在技術(shù)日益復(fù)雜、摩爾定律幾近失效的今天，先進工藝的重要性就愈發(fā)凸顯，因此半導(dǎo)體巨頭，尤其是有直接競爭關(guān)系的臺積電和三星將會掀起一場沒有硝煙的大戰(zhàn)。

反擊!臺積電計劃2016年投產(chǎn)10 nm

錯過了14nm的先機，流失了不少訂單，臺積電并不悲觀，正如三星跳過20nm直接進入14nm生產(chǎn)工藝，近日有媒體報道稱臺積電將跳過14nm直接進入10nm生產(chǎn)工藝，臺積電計劃將于年底啟動10nm生產(chǎn)工藝的試生產(chǎn)，批量生產(chǎn)將于2016年底開始。不僅是10nm,臺積電連同7nm的規(guī)劃也一起發(fā)布了，將在2018年開始投產(chǎn)7nm芯片。臺積電的野心不小，不過發(fā)布這樣的消息絕不會僅僅是和三星較勁，這是一場嚴肅的戰(zhàn)爭，錯過了14nm，再錯過10nm會給臺積電帶來巨大的損失。當然兩虎相爭必有一傷，這時候拼的就是速度了!

有備無患，三星 10nm 也要領(lǐng)先臺積電?

三星于去年年底量產(chǎn)14nmFinFET芯片，在14nm嘗到甜頭后，三星自然不會把下一代芯片工藝的頭把交椅拱手讓出，應(yīng)對臺積電在10nm領(lǐng)域的規(guī)劃，三星也積極調(diào)整生產(chǎn)工藝日程計劃，從而防止客戶流失轉(zhuǎn)而投入臺積電的10nm芯片。三星沒有提及7nm方面的計劃，但對10nm工藝制程，貌似已有了充分的準備，根據(jù)最新的消息，三星已經(jīng)將10nm FinFET工藝正式加入產(chǎn)品路線圖，并且已經(jīng)完成10nm工藝的設(shè)計、研發(fā)工作。三星旗下電子制造部門Samsung Foundry表示，三星10nm FinFET工藝將正式進入商用階段，采用10nm工藝的電子產(chǎn)品在2016年就可以與大家見面，從這一時間點來看，比臺積電的10nm早了不少，這回三星打算要要徹底逆襲。

Intel跳票接著跳票 難道甘于落后

Intel原計劃在2016年第二季度推出首個基于10nm工藝的Cannonlake，但根據(jù)最新消息，新工藝很不幸地跳票到了第四季度，推遲了至少半年。這些年來，Intel一直堅持Tick-Tock發(fā)展模式，新工藝、新架構(gòu)每年交替到來，但是在14nm上碰了個大釘子。按照Intel原來的規(guī)劃，14nm工藝應(yīng)該很輕松完成，2013年底或2014年初就能登場，結(jié)果因為工藝缺陷一拖再拖，直到2014年下半年才登場，而且是拖拖拉拉，最初只有超低功耗版本的Core M系列，然后是低功耗的U系列，進入2015年中了才算鋪開，桌面上更是剛推出僅僅兩款K版本應(yīng)付了事。

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如果按照早些年的規(guī)劃，10nm 今年年底就該上場了，結(jié)果再次遭遇不幸，看來和14nm當初的境遇差不多。不少網(wǎng)友調(diào)侃，如果AMD今年推出14nm,Intel明年就能推出7nm。intel 14nm、10nm的跳票或許是因為缺少了強大的對手吧。

不過三星、臺積電明年都要開始量產(chǎn)10nm了， 一直引領(lǐng)先進制造工藝的Intel難道真的甘于落后嗎?據(jù)悉，英特爾已開始對 7nm 和 5nm 制程技術(shù)的研究。7nm之后Intel很可能將會放棄傳統(tǒng)的硅芯片工藝，而引入新的材料作為替代品。今年 2 月份的 ISSCC 國際固態(tài)電路研討會上，英特爾的高級研究人員 Mark Bohr 也談到，英特爾無需借助極紫外線光刻(EUV)這種高深的制造技術(shù)也能實現(xiàn) 7nm 制程工藝，并且計劃于 2018 年推出，這個時間與臺積電的計劃時間相當。

藍色巨人IBM展示7nm工藝處理器

現(xiàn)在14nm芯片還處于非常新鮮的階段，而IBM已經(jīng)把工藝做到7nm，這無疑讓業(yè)界為之一震。IBM半導(dǎo)體科技研究部副總裁Mukesh Khare表示，這款測試芯片首度在7nm晶體管內(nèi)加入一種叫做“硅鍺”(SiGe)的材料，替代原有的純硅，并采用了極紫外光(Extreme Ultraviolet，EUV)微影技術(shù)。相較10nm，使用7nm制程后的面積將所縮小近一半，但同時因為能容納更多的晶體管(200億+)，效能也會提升50%，從而制造出世界上最強大的芯片。

遺憾的是，IBM并沒有提供7納米工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的時間，只是表示2017年就能在實驗室里真正完成研發(fā)。有不少網(wǎng)友對IBM率先量產(chǎn)7nm持懷疑態(tài)度，他們認為Intel、臺積電更有可能率先量產(chǎn)7nm。考慮到硅鍺材料的價格，以及EUV技術(shù)的高成本，這并不符合芯片普及的一個重要條件——經(jīng)濟性，Intel方面正在研發(fā)無需EUV技術(shù)的7nm工藝。

從現(xiàn)在看來，10nm工藝是能夠?qū)崿F(xiàn)的，7nm也有了技術(shù)的支持，Intel、臺積電雖然都說了正在研發(fā)7nm,但對于具體產(chǎn)品材料和技術(shù)都守口如瓶，這都是未來5年內(nèi)被證實的事情，還是讓時間慢慢揭曉吧。業(yè)界普遍認為，5nm則是現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝的物理極限，但也許在不久的將來，5nm也可能會成為歷史，未來一切皆有可能。而現(xiàn)在最關(guān)鍵的是各大巨頭應(yīng)盡快實現(xiàn)10nm和7nm量產(chǎn)，率先俘獲客戶和消費者，以獲取下一代半導(dǎo)體工藝革命的資本船票。