1、我國(guó)4G牌照正式發(fā)放：三大運(yùn)營(yíng)商均獲TD-LTE牌照

12月4日消息，4日下午，工業(yè)和信息化部(以下簡(jiǎn)稱“工信部”)向中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)電信、中國(guó)聯(lián)通正式發(fā)放了第四代移動(dòng)通信業(yè)務(wù)牌照(即4G牌照)，中國(guó)移動(dòng)獲得TD-LTE牌照，中國(guó)電信和中國(guó)聯(lián)通獲得TD-LTE牌照和FDD LTE牌照，此舉標(biāo)志著我國(guó)電信產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入了4G時(shí)代。三大運(yùn)營(yíng)商都已啟動(dòng)4G網(wǎng)絡(luò)招標(biāo)和建設(shè)。

業(yè)內(nèi)專家表示，4G牌照的發(fā)放，意味著4G網(wǎng)絡(luò)、終端、業(yè)務(wù)將正式進(jìn)入商用階段，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈超過5000億元的市場(chǎng)規(guī)模將逐漸釋放。

21ic編輯視點(diǎn)：4G牌照的發(fā)放對(duì)于我國(guó)電子通信行業(yè)而言是巨大的利好消息。國(guó)內(nèi)通信技術(shù)在“跨越”3G后必將在世界通信領(lǐng)域占有一席之地，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈超過5000億元的市場(chǎng)規(guī)模將逐漸釋放，信息消費(fèi)的發(fā)展也將進(jìn)一步加快。上游、中游、下游各環(huán)節(jié)相關(guān)企業(yè)都將從中獲得豐厚利潤(rùn)，華為、中興等國(guó)內(nèi)知名企業(yè)有望借機(jī)進(jìn)一步穩(wěn)固其行業(yè)地位。

2、半導(dǎo)體業(yè)排名：美光或擠下高通成第4 聯(lián)發(fā)科排14

據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)估，在存儲(chǔ)器市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng)帶動(dòng)下，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望止跌回升，產(chǎn)值將較去年成長(zhǎng)5%。作為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)市場(chǎng)巨頭的美光，今年業(yè)績(jī)可望達(dá)141.68億美元，將較去年大增1.09倍，并將一舉躍居全球第4大半導(dǎo)體廠，成為最大贏家。另外，手機(jī)芯片廠聯(lián)發(fā)科今年業(yè)績(jī)將達(dá)44.34億美元，將較去年成長(zhǎng)32.1%，成為全球第14大半導(dǎo)體廠。

21ic編輯視點(diǎn)：半導(dǎo)體行業(yè)在持續(xù)走低之后，終于在今年回暖。今年存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)喜人，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)市場(chǎng)產(chǎn)值有望成長(zhǎng)35%，儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)市場(chǎng)產(chǎn)值也將成長(zhǎng)27.7%。雖然，半導(dǎo)體排行前4強(qiáng)企業(yè)與上年相同，仍為臺(tái)積電、英特爾、三星和高通。如今美光與聯(lián)發(fā)科在短短時(shí)間內(nèi)，快速逆襲上榜，半導(dǎo)體業(yè)可謂是瞬息萬(wàn)變。

3、3D芯片時(shí)代將至，光學(xué)檢測(cè)設(shè)備應(yīng)用空間擴(kuò)大

隨著先進(jìn)制程與封裝技術(shù)的快速演進(jìn)，半矽鉆孔(TSV)、微凸塊(micro bumping)等半導(dǎo)體制程技術(shù)越趨復(fù)雜，扇出型晶圓級(jí)封裝(Fan-out WLP)同時(shí)解決晶片制造成本與封裝體積的問題，已逐漸成為縮減晶片封裝體尺寸的顯學(xué);而采用面板尺寸(panel size)的扇出型晶圓級(jí)封裝(Fan-out WLP)技術(shù)持續(xù)演進(jìn)，更衍生出晶片精準(zhǔn)對(duì)位的需求.光學(xué)檢測(cè)已經(jīng)不再只是單純的缺陷檢出工具。另一方面，隨著TSV(矽鉆孔)等技術(shù)漸趨成熟，要確保晶片運(yùn)作無(wú)礙，在制程式控制制流程中的光學(xué)檢測(cè)儀器將更加不可或缺，這也為檢測(cè)設(shè)備商帶來新商機(jī)。

21ic編輯視點(diǎn)：光學(xué)檢測(cè)作為制程式控制制(process control)的重要環(huán)節(jié)，無(wú)論是在半導(dǎo)體前段抑或后段制程，都扮演著決定成品可靠性的重要關(guān)鍵。隨著3D晶片時(shí)代箭在弦上，不僅晶片尺寸縮微，制程也更加精密，自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)設(shè)備將在半導(dǎo)體前、后段制程扮演重要角色。3D晶片發(fā)展趨勢(shì)不僅不會(huì)造成光學(xué)檢測(cè)無(wú)能為力的狀況，反而將成就光學(xué)檢測(cè)從現(xiàn)行的表面量測(cè)等現(xiàn)行主流用途，開展出更大應(yīng)用空間。

4、英特爾處理器降價(jià) 砸10億美金補(bǔ)貼拉客

據(jù)國(guó)外媒體消息，2014年，英特爾將計(jì)劃拿出10億美金用于平板電腦廠商采購(gòu)其移動(dòng)處理器的營(yíng)銷補(bǔ)貼。在這樣的鼓勵(lì)措施下，英特爾也將明年出貨量目標(biāo)定為 6000萬(wàn)枚，這個(gè)數(shù)量幾乎是今年的10倍。目前，英特爾已經(jīng)推出的平板電腦處理器包括Bay Trail-T和Bay Trail-M，售價(jià)均在20美元以上。

21ic編輯視點(diǎn)：使用英特爾處理器的平板產(chǎn)品今年的出貨量只有六七百萬(wàn)，英特爾明年的目標(biāo)是今年的10倍。如此迅猛的增長(zhǎng)需要廠商的大力支持，但是Bay Trail處理器的公開報(bào)價(jià)卻不便宜，雖然性能可能比高端ARM處理器還好，但是這個(gè)價(jià)格還是要大大高出ARM、聯(lián)發(fā)科、國(guó)產(chǎn)的瑞芯微及全志等廠商的處理器。至于英特爾10億美元大手筆補(bǔ)貼價(jià)格這招殺手锏的效果如何，這關(guān)鍵還是平板廠商的決定了。

5、新型芯片電池：顛覆傳統(tǒng)充電設(shè)備

到2020年，全球?qū)碛?00億到3000億臺(tái)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。由于微小設(shè)備沒有連接數(shù)據(jù)和電源的線纜必需能自我供電。而超級(jí)電容或紐扣電池等傳統(tǒng)的能量存儲(chǔ)設(shè)備需要定時(shí)充電和更換，非常不方便。為此，業(yè)界研制出一款全新的無(wú)細(xì)胞毒性的可充電固太芯片電池，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)充電設(shè)備的不足。

新型芯片電池有如下特點(diǎn)：新電池可充電5000次，能夠在系統(tǒng)產(chǎn)品的整個(gè)生周期中持續(xù)使用;不需要換電池并且不需要專門的廢棄處理;非常安全絕對(duì)不會(huì)有危險(xiǎn)化學(xué)品或者氣體泄漏;不會(huì)像其它電池或者超級(jí)電容器一樣被耗盡或失效;生物兼容性非常好100%無(wú)細(xì)胞毒性。

21ic編輯視點(diǎn)：隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越集成，傳統(tǒng)的電池技術(shù)缺陷凸顯，新的電池技術(shù)將更智能更方便。這種芯片電池的出現(xiàn)彌補(bǔ)了傳統(tǒng)電池體積大，充電更換不方便，污染嚴(yán)重等缺點(diǎn)。芯片電池的出現(xiàn)既是物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的必然，也是促進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的必要因素。