一、ARM Cortex-A50支持大小核架構 64位處理器加速到來

移動設備視覺應用不斷翻新，使得制造商對于處理器運算效能的要求愈來愈高，同時還須兼具低耗電量特性，因此ARM公司開發(fā)出新一代Cortex-A50系列處理器核心，支持大小核(big.LITTLE)設計架構，可讓晶片商開發(fā)出兼顧高運算效能與低耗電量的64位元應用處理器，達到效能與功耗兼顧的目的。2014年采用Cortex-A50系列核心的處理器將會陸續(xù)登場。

另一方面，在未來64位元架構處理器競相出籠后，雙核心處理器市場是否會逐步受到擠壓與沖擊也已引發(fā)市場關注。ARM認為，市場需要差異化的處理器方案，以迎合低階至高階市場對于處理效能的要求，因此未來64位元架構處理器與雙核心處理器將會在不同市場并存。

21ic編輯視點：早在2012年ARM就發(fā)布了64位的Cortex-A50系列，包括Cortex-A57和Cortex-A53核心，運算速度和安全功能都有了。新的大小核(big.LITTLE)架構，讓Cortex-A50兼顧性能與功能的同時能耗更低，進而吸引更多移動設備廠商采用。明年將是64位Cortex-A50處理器騰飛的一年。

二、我國急需中國特色SoC或SiP產(chǎn)品路線圖

迄今為止，我國集成電路產(chǎn)業(yè)定位不明確,粗放的跟蹤式發(fā)展模式，造成我國IT和IC兩大產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新乏力，技術遠遠落后。為了解決這一局面，我國集成電路產(chǎn)業(yè)應將數(shù)字模擬混合電路(SoC或SiP)技術、新市場應用的完整解決方案平臺工具技術及其產(chǎn)業(yè)化作為基本定位，以此作為產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展的根本切入點。

基于此，如果在新興市場，憑借國家的01、02和03等“核高基”重大專項和各級政府設立的重點工程，集聚國內(nèi)兩大產(chǎn)業(yè)“產(chǎn)學研用”的專家智慧，共同規(guī)劃、制定和部署具有中國特色、世界最先進的數(shù)字模擬混合工藝技術及其SoC或SiP產(chǎn)品開發(fā)路線圖，必將創(chuàng)造出新的“殺手級”的數(shù)字模擬混合電路，也必將在世界集成電路產(chǎn)業(yè)占有一席之地。

21ic編輯視點：我國雖在整體集成電路技術方面落后于世界先進水平，但是在數(shù)字模擬混合工藝技術上已踏入了世界先進水平。隨著移動設備，物聯(lián)網(wǎng)，大數(shù)據(jù)的興起，我國坐擁世界最大的集成電路消費市場，如果能抓住這次機會，積極布局數(shù)?；旌瞎に嚰夹g及其SoC或SiP產(chǎn)品開發(fā)路線，或許我國將在世界集成電路市場掌握更多話語權。

三、IC Insights預測2013年半導體銷售額排名

美國市場調(diào)查公司IC Insights發(fā)布了2013年半導體銷售額前20強的預測，此次預測中，前4位企業(yè)仍為英特爾、三星電子、臺積電和高通。由于DRAM市場形勢大好，2012年排在第8的海力士此次躍居第5，各大DRAM廠商的排名估計也都會上升。而日本廠商的情況則不容樂觀。按國家和地區(qū)來看，20家企業(yè)中有9家是美國企業(yè)，歐洲日本和中國臺灣各有3家，韓國有2家。

21ic編輯視點：中國經(jīng)濟放緩、歐元區(qū)債務危機與日本經(jīng)濟衰退、給全球宏觀經(jīng)濟帶來持續(xù)不確定性，導致半導體市場疲弱的情況延續(xù)至2013年第一季。然而，半導體設備季營收已開始好轉。2013年及以后，半導體產(chǎn)業(yè)將一掃經(jīng)濟陰霾，所有地區(qū)半導體行業(yè)的增長率都將提高，但日本將是增長最疲弱的區(qū)域。

四、2014全球4G起飛元年 聯(lián)發(fā)科高通爭霸市場

臺灣4G標案落幕，對于4G效益，到目前為止都還陸續(xù)有大老板放炮質疑，不過全球發(fā)展4G已是可預見事實，隨基地臺基礎建設陸續(xù)展開，明年可以說是全球 4G起飛元年，且隨終端裝置搭載4G規(guī)格將逐漸成為主流，各家芯片廠商無不摩拳擦掌，準備透過4G大翻身。研調(diào)機構Gartner研究副總裁洪岑維分析，明年4G LTE芯片戰(zhàn)局應仍是“一大四小”局面，高通將穩(wěn)作龍頭地位，但聯(lián)發(fā)科等“四小”廠商緊追在后。

21ic編輯視點：如果說3G網(wǎng)絡提供的是一條空中的數(shù)據(jù)公路的話，4G網(wǎng)絡就是空中的數(shù)據(jù)高速公路。隨著移動設備的發(fā)展，人們對高速文件的下載和實時高清交互等應用的需求日益凸顯，全球發(fā)展4G已經(jīng)是大勢所趨。不過，4G的發(fā)展也將面臨挑戰(zhàn)，比如電信運營商與通訊服務業(yè)者(CSP)投資與回收不成正比，資費較高以及難以取締較成熟的3G市場等問題。隨著技術的發(fā)展，未來4G將漸成主流。

五、新3D全息技術讓醫(yī)生模擬操刀練習

一名外科醫(yī)生輕輕轉動著眼前漂浮著的一個心臟的3D全息圖，他的目光聚焦在一個瓣膜上，隨后他切開一個口子，就像在他的病人身上做的一樣。這好像是科幻電影中的場景，但虛擬影像的運用如今確實成為了心臟專家挽救生命的現(xiàn)實幫手。這項技術到目前為止應用了8次，由科技巨頭Philips 和RealView Imaging設計開發(fā)。直到現(xiàn)在，大多數(shù)計算機都只能給外科醫(yī)生提供二維圖像。這項技術在微創(chuàng)手術中非常有用，它正逐漸被用來修復或替換心臟瓣膜。

21ic編輯視點：全新的3D全息技術，是醫(yī)療電子史上的一次驚人突破。只要有了這種3D全息技術，醫(yī)生就不需要在腦子中想象結構，能實時看到心臟，它將漂浮在眼前。醫(yī)生們可以跟圖像無限制地接觸，可以用刀劃開它，做標記，切割，放大，移動，四處查看，這極大的方便了醫(yī)生深入了解器官空間大小和解剖學構造。未來醫(yī)生模擬手術研究將成為現(xiàn)實。

六、研究人員開發(fā)出整合III-V族與硅材料的3DFinFET半導體

英特爾(Intel)與其他公司已在嘗試結合III-V族材料(如砷化銦鎵與磷化銦)與傳統(tǒng)硅晶基板的化合物半導體了，但一直無法克服材料之間原子晶格難以匹配的挑戰(zhàn)?，F(xiàn)在，比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與硅晶材料的3D FinFET化合物半導體，透過擷取晶體缺陷的長寬比、溝槽結構與外延制程等創(chuàng)新，能夠以砷化銦鎵與磷化銦等材料在3D FinFET上取代硅鰭，同時還能適應8%的晶格不匹配。

IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。其CMOS開發(fā)合作伙伴將有機會取得該制程，包括英特爾、三星、臺積電、Globalfoundries等廠商。

21ic編輯視點：隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為硅晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越硅晶本身性能，持續(xù)微縮至更小制程。