全球第一的非存儲器半導體企業(yè)英特爾在韓國推出新一代存儲器半導體，外界解讀，英特爾選在存儲器半導體強國發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲器半導體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。

英特爾首次選在韓國首爾舉辦全球意見領袖聚會，并公布數(shù)據(jù)中心用存儲器的Optane系列、存儲器市場策略。英特爾計劃在墨西哥里約蘭町（Rio Rancho）工廠生產(chǎn)Optane數(shù)據(jù)中心的DCPM（持續(xù)性存儲器），并于明年上市。

另一方面，英特爾也發(fā)表數(shù)據(jù)中心用固態(tài)硬盤144層4階QLC（4bit為一單位）NAND閃存，比三星電子、SK海力士的128層的NAND更加密集。

時隔34年，英特爾重返存儲器市場

據(jù)《韓國經(jīng)濟》報道，英特爾睽違多年重返存儲器市場，重磅推出的Optane系列，該系列結合DRAM、NAND閃存的優(yōu)點，著實令人眼睛為之一亮，不僅如此，英特爾特地在韓國發(fā)布新產(chǎn)品，許多美國總公司的相關技術人員也特地到韓國參與該活動，由此可見英特爾的野心。

英特爾資深副總裁羅布·克魯克（Rob Crooke）在會場上表示，英特爾作為中央處理器（CPU）的強者，將存儲器、非存儲器領域結合，創(chuàng)造出新的機會。

雖然英特爾之前關閉了存儲器業(yè)務，如今發(fā)布新一代存儲器業(yè)務戰(zhàn)略，將炮火瞄準存儲器半導體大廠三星電子和SK海力士。但在存儲器領域前景不樂觀的背景下，英特爾為何選擇向存儲器市場進攻呢？羅布·克魯克解釋，存儲器和CPU有密不可分的關系，為將加強CPU潛力，因此選擇開發(fā)存儲器。

主力生產(chǎn)CPU的英特爾認為，創(chuàng)新不僅需要改變CPU，也需要改變內(nèi)存處理結構本身才行。現(xiàn)行的數(shù)據(jù)中心處理結構中，基本上依硬盤（HDD）、固態(tài)硬盤（SSD）、NAND閃存、DRAM、暫存器、CPU的順序處理數(shù)據(jù)。

在處理數(shù)據(jù)的流程中，永久存儲數(shù)據(jù)的裝置包含SSD、HDD及CPU，但處理順序相隔遙遠。DRAM雖然處理信息速度很快，但屬于揮發(fā)性存儲器，電源關閉后數(shù)據(jù)就會消失。

影響處理數(shù)據(jù)的關鍵在于，重新叫出SSD、HDD儲存的數(shù)據(jù)需要時間，這也是英特爾開發(fā)DCPM的背景，讓該產(chǎn)品能有DRAM的處理速度，并能像NAND閃存一樣，即使電源關閉，也能保存數(shù)據(jù)。

從英特爾實測結果來看，數(shù)據(jù)中心使用其他公司DRAM重啟所需時間為10分15秒，但使用英特爾DCPM的數(shù)據(jù)中心僅需19秒內(nèi)就能完成重啟。

值得注意的是英特爾的價格策略，如果英特爾想以DMPM取代目前的DRAM，就得制定出屬于DMPM黃金性價比。韓國半導體企業(yè)相關人士表示，Optane是過往沒有的產(chǎn)品，需要觀察未來的市場需求，如果定價與產(chǎn)品性讓市場接受，該系列確實有可能破壞DRAM市場，但稍有不慎也可能會成為模棱兩可的產(chǎn)品。