據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）目前已悄然推出7nm深紫外DUV（N7）和5nm極紫外EUV（N5）制造工藝的性能增強(qiáng)版本。該公司的N7P和N5P技術(shù)專(zhuān)為需要7nm設(shè)計(jì)運(yùn)行更快或消耗電量更少的客戶(hù)設(shè)計(jì)。

臺(tái)積電全新N7P工藝采用與N7相同的設(shè)計(jì)規(guī)則，優(yōu)化了前端（FEOL）和中端（MOL），可在相同功率下將性能提升7％，或者在相同的頻率下降低10％的功耗。

據(jù)悉，臺(tái)積電最早于今年在日本舉辦的VLSI研討會(huì)上透露相關(guān)信息，但并沒(méi)有廣泛宣傳。N7P采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的深紫外（DUV）光刻技術(shù)，與N7相比，沒(méi)有改變晶體管密度。

而需要晶體管密度高出約18%至20％的TSMC客戶(hù)，預(yù)計(jì)將使用N7+N6工藝技術(shù)。其中，N6工藝技術(shù)通過(guò)極紫外（EUV）光刻技術(shù)進(jìn)行多層處理。

此外，臺(tái)積電下一個(gè)具有顯著密度、改進(jìn)功耗和性能的主要節(jié)點(diǎn)是N5（5nm），提供了一個(gè)名為N5P的性能增強(qiáng)版本。該技術(shù)采用FEOL和MOL優(yōu)化功能，以便在相同功率下使芯片的運(yùn)行速度提高7％，或在相同頻率下將功耗降低15％。