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[導讀]存儲器一直是半導體市場中占比最大的產品之一,且被認為是本輪全球半導體市場下滑的主要“罪魁”。然而,近日原本持續(xù)下跌的存儲器價格卻走出了一輪上漲行情。分析人士認為,導致這波漲價的誘因正是近日爆發(fā)的日韓貿

存儲器一直是半導體市場中占比最大的產品之一,且被認為是本輪全球半導體市場下滑的主要“罪魁”。然而,近日原本持續(xù)下跌的存儲器價格卻走出了一輪上漲行情。分析人士認為,導致這波漲價的誘因正是近日爆發(fā)的日韓貿易戰(zhàn)——日本對韓國半導體關鍵材料限制出口導致三星、SK海力士減產,反而間接有利于改善當前存儲器市場供大于求的形勢。那么,這次存儲器的價格波動是少數企業(yè)借機炒作抬價,還是有著現實支撐?未來存儲器市場能否借此走出一輪長期的上揚之勢呢?


日本對韓禁運,存儲器現貨漲價


在經歷了接近一年“跌跌不休”的局面后,近日國際存儲器價格出現了一輪小幅上漲的行情。根據研調機構集邦咨詢旗下DRAMeXchange數據,7月10日8GB DDR4 DRAM均價較前一天上漲1.2%。這是去年9月以來,現貨價首次上漲。


此外,部分內存模組廠商如威剛等已經開始限量供應現貨產品。而隨著報價的反彈,具備NAND芯片制造能力的旺宏、華邦等廠,以及內存模組廠威剛、創(chuàng)見、十銓、群聯、宇瞻和廣穎等受益明顯,營運有望大幅提升。


那么,是什么導致了此輪存儲器的漲價呢?一些市場分析人士將原因指向近日爆發(fā)的日韓貿易戰(zhàn)。由于韓國企業(yè)三星、SK海力士占據全球存儲器市場的主導地位,DRAM市場,三星占全球份額的43.9%,SK海力士為29.5%;NAND閃存市場,三星為36.5%,SK海力士為10.5%。在日韓貿易戰(zhàn)影響下,兩家公司均有可能縮減存儲器產能。但是,由于目前國際市場上DRAM和NAND閃存都存在著供過于求的隱憂。因此,這對存儲器市場來說反而是個好消息。


據韓國《經濟日報》報道,三星和SK海力士正在考慮從本月開始減少NAND閃存產量?!皩Ξa量下降的預期可能會抬高價格?!笔谞朌B Financial Investment分析師Kwon Sung-ryul表示。


內存廠旺宏董事長吳敏求也認為,在日本政府對半導體關鍵材料出口韓國祭出限令的情況下,短期內雖有庫存可供給需求,長期來看一定會造成缺貨,在限令實行的3個月后,NAND閃存市場將會“極度”混亂。在供不應求的情況下,其他非韓廠的內存廠商,將會因此受益。


事實上,這并不是存儲廠商第一次從重大事件中受益。2013年,SK海力士在中國無錫工廠的火災影響了全球DRAM產量的6%,并使這些芯片的價格一度飆升了約88%。


借機炒作抬價,還是有現實支撐?


那么,這輪存儲器漲價的背后,是否有著借機炒作抬價的嫌疑呢?集邦咨詢研究協理陳玠瑋表示:“以NAND 閃存合約價來看,目前觀察到報價確實是有所上漲?!币簿褪钦f,雖然市場上免不了存在一定的炒作,不過,本輪價格上漲也有一定現實支撐。


事實上,在日韓貿易戰(zhàn)發(fā)生之前,NAND閃存市場已經有了庫存快速消化的跡象,并且出現存儲器價格將結束長期跌勢的呼聲。上個月,受到日本強震影響,東芝公司NAND閃存工廠產量減少20%以上。


此次事件不僅對東芝的產量造成影響,而且西部數據也在東芝的制造工廠生產NAND閃存,同樣受到重創(chuàng)。由于東芝和西部數據的市場份額分別高達19.3%和15.3%,這已經在一定程度上形成減產、降庫存的效果,對存儲器價格形成了支撐。


陳玠瑋甚至認為,近期存儲價格的小幅上漲主要是受到東芝部分工廠停電的影響。“日韓貿易戰(zhàn)目前更多還只是停留在消息面上?!标惈d瑋說。


長期走勢尚需觀察,反轉或在明年中期?


長期來看,存儲市場將會如何發(fā)展?未來存儲器能否借助此次事件的影響,走出一輪長期的上揚之勢呢?


集邦咨詢認為,消息面只能影響短期市場走勢,長期變化還需看市場的供需形勢。DRAM價格已然歷經了連續(xù)三個季度的快速下滑,下游模組廠的庫存普遍偏低。因此,在日韓貿易戰(zhàn)消息的影響下,確實有部分模組廠開出上揚的價格或表示將停止生產。然而,現貨市場只占整體DRAM市場的10%,中長期產業(yè)的供需態(tài)勢仍需關注占比超過9成的合約市場。


集邦咨詢資深協理吳雅婷表示:“目前DRAM仍處于買方市場,原廠庫存只能降價求售。接下來價格何時反轉,仍然取決于需求面何時出現大幅增長?!?/p>


但從需求面來看,不論是零售端的PC、智能手機,還是企業(yè)用服務器與數據中心的建設,目前整體終端需求仍然呈現十分疲弱的態(tài)勢。因此,DRAM市場短期可能會受到日韓貿易戰(zhàn)消息的影響,但卻很難就因此得出市場將出現結構性供需反轉的結論。


吳雅婷預估,DRAM市場出現反轉的時間點有可能落在2020年第二季度末至第三季度以內。屆時有可能出現終端的旺季需求,帶動存儲器的庫存消化,進而推升價格。


至于NAND閃存市場,由于NAND閃存晶圓的市場報價已經偏低,預計7月起各供應商報價將出現漲勢。集邦咨詢認為,由于供應商普遍備有2至3個月的庫存,多數模組廠不會第一時間接受漲價,后續(xù)則需視市場及供應端庫存狀況決定交易價是否上漲。雖然NAND閃存價格短期將出現上揚,但長期仍有跌價的壓力。



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