毫無疑問，電源在調(diào)節(jié)、傳輸和功耗等各個方面都成為日益重要的話題。人們期望產(chǎn)品功能日趨多樣、性能更強大、更智能、外觀更加酷炫，業(yè)界看到了關(guān)注電源相關(guān)問題的重要意義。展望2019年，三大廣泛的問題最受關(guān)注，即：密度、EMI和隔離(信號和電源)。

實現(xiàn)更高的密度：將更多電源管理放入更小的空間

　　由于IC光刻工藝和每個功能運行功率的大幅縮減，使得芯片上可集成更多功能和柵極，對成品的總體功率需求迅速增長，如圖1所示。一些處理器現(xiàn)在可以消耗幾百安培電流，并且可以在不到一微秒的時間內(nèi)從低電流狀態(tài)上升到完全激活狀態(tài)。通過降低損耗和提高熱性能實現(xiàn)“在硬幣大小的面積上達到千瓦級功率”的密度目標并非一句玩笑話。

圖1：從1992年到2010年的產(chǎn)品熱密度發(fā)展趨勢。

　　問題不僅在于管理功率和因此產(chǎn)生的功耗。由于存在基本的I2R損耗，即使在電源負載路徑中明顯“可忽略”的電阻也成為了有效功率輸送的主要障礙：在200 A時，僅1mΩ的引線/走線電阻可導(dǎo)致出現(xiàn)0.2 V IR壓降和40 W損耗。此外，因為可以靠近負載放置，使用較小的轉(zhuǎn)換器也存在兩難問題，，這一方面有利于減少走線損耗和噪聲拾取，但也成為負載附近的一個發(fā)熱源，導(dǎo)致溫度升高。

　　與功率密度相關(guān)的趨勢：單顆“魔彈”可能無法解決密度難題。解決方案將包括跨學(xué)科改進，將導(dǎo)致：

　　·更高頻率的開關(guān);

　　·將電源管理功能(或其電感)移到處理器散熱器下方;

　　·更高的軌電壓，如48 V，以最小化IC壓降;

　　·新封裝類型;

　　·將無源元件集成到芯片上或封裝中。

減小EMI：發(fā)射導(dǎo)致出現(xiàn)性能不確定和拒絕調(diào)節(jié)

圖2：禁用和啟用擴頻的噪聲比較。

　　隨著電子產(chǎn)品更廣泛、更深入地擴展到大眾市場應(yīng)用中，降低EMI已成為一個更大的問題，快速了解一下當今的汽車就能證明。實際上，由于難以抑制AM波段EMI，一些電動汽車/混合動力汽車不再提供AM無線電選項。當然，汽車中的EMI不僅僅會影響無線電，還會影響任務(wù)關(guān)鍵型ADAS(先進駕駛輔助系統(tǒng))功能，如自適應(yīng)巡航控制雷達。

　　對設(shè)計人員來說，EMI方面的挑戰(zhàn)在于它通常更像是一門藝術(shù)，而非一門科學(xué)。建模是一個難題，其解決方案通常需要反復(fù)試驗才能將其降至所需的最大值。此外，EMI并非單一實體，而是具有不同的來源、路徑和外觀。例如，通常引線布線和PCB布局會產(chǎn)生較強的輻射EMI，而轉(zhuǎn)換器設(shè)計和無源濾波器網(wǎng)絡(luò)則產(chǎn)生更強的傳導(dǎo)差分模式EMI。

　　與EMI相關(guān)的趨勢：無源濾波器之類的解決方案是可用的并且可能非常有用，但它們在尺寸、重量和成本的可削減區(qū)域內(nèi)僅可達到一定水平。更大的機會在于IC供應(yīng)商如何從源頭解決EMI問題，從而提供更好的結(jié)果并增強易用性，以滿足必要的合規(guī)標準要求。

　　這些解決方案詳細介紹了噪聲的基本原理，并將降噪噪技術(shù)進行了分層：

　　·增加使用擴頻技術(shù)來擴散噪聲能量，從而降低其在整個頻譜上的峰值;

　　·封裝，包括集成無源元件，可減少開關(guān)時引起電壓尖峰和振鈴的寄生效應(yīng);

　　·調(diào)制功率器件柵極驅(qū)動，以減少產(chǎn)生噪聲的dV/dt回轉(zhuǎn)，同時不影響效率。

增強隔離：確保A點與B點之間無電流路徑

　　盡管電氣隔離技術(shù)已經(jīng)使用了很多年，但新工程師通常對其了解甚少。簡而言之，它提供了一個屏障，因此輸入和輸出級之間沒有歐姆(電流)路徑，但允許電源和信號能量通過該屏障?？梢酝ㄟ^各種方法來實現(xiàn)隔離，包括光學(xué)、磁性、電容或小型RF耦合，如圖3。

　　電流隔離最常成為以下兩個主要目的之一。首先，它為具有內(nèi)部潛在危險性高電壓系統(tǒng)的用戶提供了安全性，它可以確保系統(tǒng)中存在任何內(nèi)部故障時，都無法影響到用戶。其次，它實現(xiàn)了一大類創(chuàng)新型電源系統(tǒng)架構(gòu)，其中初級側(cè)和次級側(cè)之間必須沒有可能的公共電流，例如當一側(cè)接地時，另一側(cè)處于不接地連接的“浮動”狀態(tài)。

　　人們對隔離的需求受到各種情況的驅(qū)動，例如工廠自動化、廣泛的人機界面(HMI)、太陽能電池板和醫(yī)療儀器。GaN和SiC功率器件的dV/dt額定值較高也推動了具有挑戰(zhàn)性的隔離要求。

　　與隔離有關(guān)的趨勢：隔離可以僅用于電源軌、信號線(數(shù)據(jù))或同時用于兩者。理想情況下，IC供應(yīng)商可以將電源和數(shù)據(jù)隔離集成在同一個封裝中，以確保安全性和可靠性。此外，由于集成了數(shù)據(jù)和電源隔離功能，IC供應(yīng)商可以針對這些應(yīng)用中典型的嚴格EMI標準更好地進行控制和設(shè)計。

　　所需的隔離級別是應(yīng)用的一大功能：5 kV增強隔離在許多情況下是足夠的，并且有詳細的行業(yè)標準對其進行定義。

　　由于具有卓越的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)性能和數(shù)據(jù)完整性，使用隔離電容進行數(shù)據(jù)傳輸是一種流行的方法。然而，由于可傳輸?shù)墓β视邢抟约靶?，對于大多?shù)功率傳輸應(yīng)用來說隔離電容是不可行的。因此，當需要功率傳輸時，磁性方法成為了優(yōu)選方案。結(jié)合這兩種方法，可以在同一封裝中實現(xiàn)完全“自偏置”收發(fā)器等解決方案，同時具有隔離電源和數(shù)據(jù)連接。此類產(chǎn)品和技術(shù)創(chuàng)新真正改變了這些安全關(guān)鍵應(yīng)用中的游戲規(guī)則。

結(jié)論

　　電源功能、組件和傳輸方面的進步是跨學(xué)科的，因為密度、EMI和隔離密切相關(guān)。例如，降低EMI會導(dǎo)致無源濾波器尺寸減小，從而獲得更高的功率密度。進步將來自“堆疊”創(chuàng)新，帶來更多重大技術(shù)發(fā)展。其中包括充分表征的寬帶隙(WBG)功率器件，改進的器件管芯熱界面，增強的無源器件和功能集成，先進工藝技術(shù)的開發(fā)和創(chuàng)新的電路IP。

　　德州儀器(TI)作為電源相關(guān)組件和設(shè)計支持工具的領(lǐng)先供應(yīng)商，正在開發(fā)促進和支持這些趨勢的相關(guān)技術(shù)，包括材料、工藝、拓撲、電路和封裝等。