道路運輸?shù)碾姎饣瘜τ趯崿F(xiàn)歐盟的脫碳和氣候變化目標(biāo)至關(guān)重要。對碳化硅襯底的需求經(jīng)歷了巨大的增長,法國絕緣體上硅 (SOI) 晶圓供應(yīng)商 Soitec 開發(fā)了 SmartSiC 技術(shù),以加速 SiC 在電動汽車中的采用。
2022 年 12 月 13 日,中國北京——設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)法國 Soitec 半導(dǎo)體公司宣布,位于新加坡巴西立晶圓工業(yè)園區(qū)(Pasir Ris Wafer Fab Park)的晶圓廠擴建項目正式破土動工。新加坡貿(mào)工部政務(wù)部長劉燕玲(Low Yen Ling)以及法國駐新加坡大使 Minh-di Tang 閣下出席本次動工儀式。
2022年12月8日,中國---- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計制造公司Soitec (巴黎泛歐證券交易所上市公司) 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃,由意法半導(dǎo)體在今后18 個月內(nèi)完成對Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù)制造未來的8寸碳化硅襯底,促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù),并在中期實現(xiàn)量產(chǎn)。
2022 年 12 月 5 日,中國北京——服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)法國 Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布,雙方在碳化硅襯底領(lǐng)域的合作邁入新階段,意法半導(dǎo)體將在未來 18 個月內(nèi)對 Soitec 的碳化硅襯底技術(shù)進(jìn)行驗證,在未來的 200mm 襯底制造中采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù),助力器件和模塊制造業(yè)務(wù)的發(fā)展,并有望在中期實現(xiàn)量產(chǎn)。
基于獨家專利技術(shù) SmartSiC? 打造,助力提升電力電子設(shè)備的性能與電動汽車的能效
微機電系統(tǒng) (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潛力的 CMOS 傳感器與驅(qū)動器電子器件集成解決方案。通過在 200mm 的單晶頂層硅下提供氧化埋層,SOI 襯底能夠為創(chuàng)新的 MEMS 器件設(shè)計提供更多可能。
優(yōu)化襯底便是突破限制和挑戰(zhàn)的好方法, 通過從晶圓這片“源頭”入手,改善晶體管的性能,為后續(xù)設(shè)計和流片打好“地基”。近日,半導(dǎo)體優(yōu)化襯底商Soitec展望其在2021年的計劃,21ic中國電子網(wǎng)記者受邀參加此次媒體交流會。
驚人的增速之下,半導(dǎo)體行業(yè)亟待顛覆性解決方案。反觀半導(dǎo)體器件的演進(jìn)一直以來都遵循著“PPACT”的規(guī)律,即性能(Perfomance)、功耗(Power)、上市時間(Time-To-Market)、所占面積(Area Cost)。為了實現(xiàn)這種進(jìn)化,行業(yè)正面臨挑戰(zhàn),包括超越摩爾定律、新型體系架構(gòu)、新型結(jié)構(gòu)/3D,新型材料、縮減尺寸的新方法、先進(jìn)的封裝技術(shù)。優(yōu)化襯底便是突破限制和挑戰(zhàn)的好方法,通過從晶圓這片“源頭”入手,改善晶體管的性能,為后續(xù)設(shè)計和流片打好“地基”。
作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導(dǎo)體公司于11月18日公布了2021上半財年業(yè)績(截止至2020年9月30日)。該財務(wù)報表4于11月18日獲董事會批準(zhǔn)。
全球領(lǐng)先的特殊工藝半導(dǎo)體代工廠格芯?(GLOBALFOUNDRIES?,GF?)與Soitec宣布,就300mm射頻絕緣體上硅(RF-SOI)晶圓的供貨,雙方達(dá)成了一份為期多年的協(xié)議
作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布任命高級行業(yè)主管Yvon Pastol為客戶執(zhí)行副總裁。
作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國 Soitec 半導(dǎo)體公司于 7 月 22 日公布了 2021 財年第一季度(截止 2020 年 6 月 30 日)的業(yè)績,合并收入為 1.336 億歐元,與 2020 財年同期的 1.194 億歐元相比下降 4.9%(按固定匯率和邊界1計下降5.2%)。這主要歸因于 +0.2% 的匯率增值帶來的積極影響,以及 +0.1% 的范圍效應(yīng),此范圍效應(yīng)與 2019 年 5 月收購 EpiGaN 相關(guān)。
Soitec半導(dǎo)體公司近日宣布將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V.。EpiGaN是Soitec一年前收購的氮化鎵(GaN)外延硅片材料供應(yīng)商。加入Soitec后,EpiGaN 成為旗下氮化鎵業(yè)務(wù)部門,進(jìn)一步加強了公司針對射頻和功率器件市場的優(yōu)化襯底的產(chǎn)品組合。
7月7日消息,半導(dǎo)體材料創(chuàng)新、設(shè)計和生產(chǎn)全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導(dǎo)體公司今日宣布與Qualcomm Technologies, Inc.簽署合作協(xié)議,為其供應(yīng)壓電(POI)襯底以用于4G和5G射頻濾波器。
“FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec全球業(yè)務(wù)部高級執(zhí)行副總裁Bernard ASPAR在SEMICON China期間的Soitec新聞發(fā)布會上表示。
作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導(dǎo)體公司昨日舉辦新聞發(fā)布會,介紹了Soitec優(yōu)化襯底在汽車產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)化、自動化,共享化,電動化中的應(yīng)用。Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas Piliszczuk先生、全球業(yè)務(wù)部高級執(zhí)行副總裁Bernard Aspar先生,以及中國區(qū)戰(zhàn)略發(fā)展總監(jiān)張萬鵬出席此次會議。
法國Soitec半導(dǎo)體公司于6月10日公布了2020財年的全年業(yè)績(截止至2020年3月31日)。
作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國 Soitec 半導(dǎo)體公司正通過加強在中國的影響力以支持其業(yè)務(wù)發(fā)展。2020 年 4 月,張萬鵬被任命為中國區(qū)戰(zhàn)略發(fā)展總監(jiān)。
設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的法國Soitec公司,于4月22日公布了2020財年第四季度業(yè)績(截止至2020年3月31日)。業(yè)績較2019財年同期的1.403億歐元實現(xiàn)了45.3%的增長,按固定匯率和邊界1計,該增長來源于40.1%的銷售額增長、匯率增值帶來4.8%的積極影響,以及由2019年5月收購EpiGaN帶來+ 0.4%的范圍效應(yīng)。