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[導讀]基于獨家專利技術 SmartSiC? 打造,助力提升電力電子設備的性能與電動汽車的能效

中國北京,2022 年 5 月 6日 ——設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標志著 Soitec 公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至 150mm 以上,其 SmartSiC? 晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng)新高,可滿足汽車市場不斷增長的需求。

首批 200mm SmartSiC? 襯底誕生于 Soitec 與 CEA-Leti 合作的襯底創(chuàng)新中心的先進試驗線,該中心位于格勒諾布爾。該批 200mm SmartSiC 襯底將會在關鍵客戶中進行首輪驗證,展示其質(zhì)量及性能。

Soitec 于 2022 年 3 月在法國貝寧啟動了新晶圓廠貝寧 4 號 (Bernin 4) 的建設,用于生產(chǎn) 150mm 和 200mm 的 SmartSiC? 晶圓,貝寧 4 號預計將于 2023 年下半年投入運營。

Soitec 獨特的 SmartSiC? 技術能夠?qū)O薄的高質(zhì)量碳化硅層鍵合到電阻率極低的多晶碳化硅晶圓上,從而顯著提高電力電子設備的性能與電動汽車的能源效率。

Soitec 首席技術官 Christophe Maleville 表示:“Soitec 的 SmartSiC? 襯底將在新能源電動汽車中起到關鍵性作用。憑借獨特的先進技術,我們致力于研發(fā)尖端的優(yōu)化襯底,助力汽車和工業(yè)市場的電力電子設備開辟新前景。本次在碳化硅襯底系列中增加 200mm SmartSiC? 晶圓,進一步加強了我們產(chǎn)品組合的差異化,并在產(chǎn)品質(zhì)量、可靠性、體積和能效等多方面滿足客戶多樣化的需求。200mm SmartSiC? 晶圓是我們 SmartSiC? 技術開發(fā)和部署的一座重要里程碑,它鞏固了 Soitec 在行業(yè)內(nèi)的技術領先地位,并強化了我們不斷創(chuàng)新、推出新一代晶圓技術的能力?!?

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