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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
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東芝訴海力士 因技術(shù)流失損失一千多億日元
【導(dǎo)讀】日前，東芝公司就有關(guān)閃存研究數(shù)據(jù)被非法泄露給韓國SK海力士公司一事，宣布已向東京地方法院提起民事訴訟，要求SK海力士賠償損失。 報(bào)道稱，東京警視廳警方以涉嫌違反不正競爭防止法(公開營業(yè)秘密)為理由
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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
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三星、SK海力士晶圓代工多樣化研發(fā)通訊、車用新制程
三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)積極研發(fā)新制程，以強(qiáng)化系統(tǒng)晶片代工事業(yè)。據(jù)DDaily報(bào)導(dǎo)，三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部近來完成28奈米射頻晶片(Radio Frequency；RF)制程研發(fā)，并公開將提供給IC設(shè)計(jì)業(yè)者的制
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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
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東芝、閃迪訴SK海力士竊取其先進(jìn)閃存芯片技術(shù)
外媒報(bào)道稱，日本東芝和美國SanDisk對韓國SK海力士提出民事訴訟，稱SK海力士涉嫌竊取其用于智能手機(jī)及平板電腦的主要閃存芯片技術(shù)相關(guān)資料，并要求損害賠償。SK海力士表示尚未收到該件訴訟通知，并不予置評。報(bào)道稱，
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三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù) 設(shè)備業(yè)者可望受惠
伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3DNAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。矽穿孔技術(shù)是將
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傳東芝前工程師泄密給韓國SK海力士
日本讀賣新聞（Yomiuri）引述未具名消息人士指出，日本警方取得逮捕令，拘捕一名曾效力東芝半導(dǎo)體合作伙伴的日本技術(shù)人員。根據(jù)彭博報(bào)導(dǎo)，讀賣新聞指出，這名技術(shù)人員于2008年離開東芝的半導(dǎo)體合作伙伴，之后轉(zhuǎn)而投效
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SK海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體 第一步進(jìn)軍PMIC事業(yè)
日前SK海力士(SKHynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)。
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三星、SK海力士擴(kuò)充大陸后段制程 沖擊后段協(xié)力廠
三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)記憶體晶片后段制程生產(chǎn)策略出現(xiàn)變化，由于加速擴(kuò)充大陸后段制程產(chǎn)能，未來將增加自主生產(chǎn)數(shù)量，減少后段制程外包，使得南韓負(fù)責(zé)后段制程外包生產(chǎn)的協(xié)力廠商產(chǎn)生危
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三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù) 設(shè)備業(yè)者可望受惠
伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3DNAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。矽穿孔技術(shù)是將
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SK海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體 第一步進(jìn)軍PMIC事業(yè)
日前SK海力士(SKHynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)。
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三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù) 設(shè)備業(yè)者可望受惠
伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3D NAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。 矽穿孔技
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SK海力士將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 做PMIC是第一步
日前SK海力士(SK Hynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)
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受SK海力士火災(zāi)等因素影響 NAND品牌供應(yīng)商Q4營收下滑4.5%
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，在NANDFlash業(yè)者原先對于2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響NA
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2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影
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4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，
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4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，
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4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，
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海力士陸續(xù)復(fù)工 DRAM合約價(jià)漲不動(dòng)
南韓記憶體大廠SK海力士(SKHynix)開始嘗試復(fù)工投片，盡管傳出良率不佳，但產(chǎn)能增加的情況已影響PCOEM系統(tǒng)廠端的合約價(jià)，4GBDDR3記憶體模組維持在34美元，有漲不動(dòng)的趨勢。DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)在2014年1月急漲一波，主要是大
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