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SK海力士投資NAND Flash制程轉(zhuǎn)換
SK海力士(SK Hynix)為轉(zhuǎn)換快閃存儲器(NAND Flash)微細制程，積極執(zhí)行資本支出，周星工程(Jusung Engineering)等協(xié)力廠商可望受惠。三星電子(Samsung Electronics)計劃在20
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DRAM合約價跌幅 恐加大
研調(diào)機構(gòu)集邦科技昨（1）日表示，由于第1季是傳統(tǒng)淡季，3月下旬DRAM合約價小幅下跌，與2月下旬相較，跌幅約1.56%，估計4月的跌幅可能會加大。集邦預估，第2季標準型DRAM價格可能會比第1季下跌10%至15%，3月下旬的主流
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DRAM產(chǎn)業(yè)景氣 明年市場鐵定會更好
DRAM產(chǎn)業(yè)今年風風雨雨，先是上半年DRAM價格飆漲，下半年則是美國DRAM廠美光正式并購日本DRAM廠爾必達，以及SK海力士無錫廠9月初發(fā)生大火。但對臺塑集團旗下南科及華亞科來說
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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報導，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導體制
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東芝訴海力士 因技術(shù)流失損失一千多億日元
【導讀】日前，東芝公司就有關(guān)閃存研究數(shù)據(jù)被非法泄露給韓國SK海力士公司一事，宣布已向東京地方法院提起民事訴訟，要求SK海力士賠償損失。 報道稱，東京警視廳警方以涉嫌違反不正競爭防止法(公開營業(yè)秘密)為理由
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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報導，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導體制
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三星、SK海力士晶圓代工多樣化研發(fā)通訊、車用新制程
三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)積極研發(fā)新制程，以強化系統(tǒng)晶片代工事業(yè)。據(jù)DDaily報導，三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部近來完成28奈米射頻晶片(Radio Frequency；RF)制程研發(fā)，并公開將提供給IC設計業(yè)者的制
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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報導，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導體制
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東芝、閃迪訴SK海力士竊取其先進閃存芯片技術(shù)
外媒報道稱，日本東芝和美國SanDisk對韓國SK海力士提出民事訴訟，稱SK海力士涉嫌竊取其用于智能手機及平板電腦的主要閃存芯片技術(shù)相關(guān)資料，并要求損害賠償。SK海力士表示尚未收到該件訴訟通知，并不予置評。報道稱，
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三星、SK海力士擬擴大TSV技術(shù) 設備業(yè)者可望受惠
伴隨半導體制程進化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半導體業(yè)者在3DNAND之后，將擴大矽穿孔(TSV)技術(shù)應用范圍。矽穿孔技術(shù)是將
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傳東芝前工程師泄密給韓國SK海力士
日本讀賣新聞（Yomiuri）引述未具名消息人士指出，日本警方取得逮捕令，拘捕一名曾效力東芝半導體合作伙伴的日本技術(shù)人員。根據(jù)彭博報導，讀賣新聞指出，這名技術(shù)人員于2008年離開東芝的半導體合作伙伴，之后轉(zhuǎn)而投效
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SK海力士跨足系統(tǒng)半導體 第一步進軍PMIC事業(yè)
日前SK海力士(SKHynix)宣誓將強化系統(tǒng)半導體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實仍充滿諸多變數(shù)。
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三星、SK海力士擴充大陸后段制程 沖擊后段協(xié)力廠
三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)記憶體晶片后段制程生產(chǎn)策略出現(xiàn)變化，由于加速擴充大陸后段制程產(chǎn)能，未來將增加自主生產(chǎn)數(shù)量，減少后段制程外包，使得南韓負責后段制程外包生產(chǎn)的協(xié)力廠商產(chǎn)生危
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三星、SK海力士擬擴大TSV技術(shù) 設備業(yè)者可望受惠
伴隨半導體制程進化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半導體業(yè)者在3DNAND之后，將擴大矽穿孔(TSV)技術(shù)應用范圍。矽穿孔技術(shù)是將
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SK海力士跨足系統(tǒng)半導體 第一步進軍PMIC事業(yè)
日前SK海力士(SKHynix)宣誓將強化系統(tǒng)半導體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實仍充滿諸多變數(shù)。
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三星、SK海力士擬擴大TSV技術(shù) 設備業(yè)者可望受惠
伴隨半導體制程進化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半導體業(yè)者在3D NAND之后，將擴大矽穿孔(TSV)技術(shù)應用范圍。 矽穿孔技
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SK海力士將強化系統(tǒng)半導體業(yè)務 做PMIC是第一步
日前SK海力士(SK Hynix)宣誓將強化系統(tǒng)半導體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實仍充滿諸多變數(shù)
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受SK海力士火災等因素影響 NAND品牌供應商Q4營收下滑4.5%
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，在NANDFlash業(yè)者原先對于2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災影響NA
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2013年第四季NAND品牌供應商營收下滑4.5%
全球市場研究機構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災影
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4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，
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