累加器A與片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM傳送指令（4條）舉例——mcs51單

累加器A與片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM傳送指令（4條）這4條指令的作用是累加器A與片外RAM間的數(shù)據(jù)傳送。使用寄存器尋址方式：MOVX @DPTR,A;（A）→（（DPTR）） 累加器中的內(nèi)容送到數(shù)據(jù)指針指向片外RAM地址中MOVX A, @DPTR;（

單片機(jī)RAM故障測(cè)試方法

在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，芯片存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過(guò)測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的破壞問(wèn)題。本

stm32學(xué)習(xí)之NOR flash和NAND flash區(qū)別,RAM 和ROM區(qū)別

ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是ReadOnlyMemory的縮寫(xiě)，RAM是RandomAccessMemory的縮寫(xiě)。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM有兩大

單片機(jī)MCU如何實(shí)現(xiàn)讓部分代碼運(yùn)行在RAM中？看這里

MCU 異于 資源豐富的linux 平臺(tái)。 MCU(如： 基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code 通常運(yùn)行在內(nèi)嵌Flash 中。 在某些特定應(yīng)用場(chǎng)合，需要將部分函數(shù)運(yùn)行于RAM 中。 昨天，為解決次問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了一種解法，具體做法如

IAR RAM的操作

SARM空間是AVR單片機(jī)最重要的部分，所有的操作必須依賴(lài)該部分來(lái)完成。變量在SARM空間的存儲(chǔ)模式有tiny，small，large 三種，也就是對(duì)應(yīng)于__tiny， __near，__far三中存儲(chǔ)屬性。一旦選擇為哪種存儲(chǔ)模式，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)默

ACC與外部RAM傳送指令

對(duì)外部RAM單元只能使用寄存器間接尋址方式，與累加器A之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送，外部RAM數(shù)據(jù)傳送指令有4條。　　前2條采用DPTR作間址寄存器，因DPTR為16位地址指針，所以這兩條指令可尋址外部RAM的整個(gè)64KB空

Keil C51調(diào)試程序時(shí), 對(duì)ROM的查看以及RAM 查看或修改

在Keil 里使用 DeBug 模式時(shí)，如要 查看外部 RAM 的數(shù)據(jù) 或查看 ACC 的內(nèi)容可以進(jìn)行以下操作;sysGetTxMode:LCALLCom0185(C:2B95)JNB0xE0.0,sysGetTxMode................retCom0185:MOVDPTR,#0x7020MOVXA,@DPTRRRCAR

基于FPGA的雙口RAM實(shí)現(xiàn)及應(yīng)用

stm32 RAM分配及占有

一個(gè)小的項(xiàng)目，在測(cè)試時(shí)間和產(chǎn)品量稍微大一些之后，出現(xiàn)了一些莫名其妙的非邏輯錯(cuò)誤的Bug（最頭疼的是不能每次都能復(fù)制出來(lái)）。經(jīng)過(guò)修改后，最近一個(gè)月的測(cè)試都沒(méi)有出現(xiàn)。本人在這里得到了原子哥和其他朋友的很多幫助

單片機(jī)FLASH與RAM、ROM的關(guān)系

FLASH主要用作程序存貯器，就是替代以前的ROM，最大的有有點(diǎn)是降低了芯片的成本并且可以做到電擦寫(xiě)，目前市場(chǎng)上單片機(jī)的FALSH壽命相差比較大，擦寫(xiě)次數(shù)從1000~10萬(wàn)的都有，但存儲(chǔ)時(shí)間可以保證40年，在選用時(shí)要注意。

STM8S RAM再理解

STM8S003為例 ，其1RAM，最高512默認(rèn)為堆棧用的留給用戶(hù)的就只有512這512按51的理解分 為idata xdata 即@tiny @near不加關(guān)鍵字限制，就默認(rèn)為idata區(qū)（小于256的地址），char tttds[258];如果idata區(qū)超出范圍 則提示

linux內(nèi)核編譯步驟

對(duì)于新手來(lái)說(shuō)，編譯內(nèi)核相對(duì)有一些難度，甚至不知道如何入手，現(xiàn)在我歸納了一下，寫(xiě)出這一篇還算比較詳細(xì)的步驟，希望能對(duì)各位新手有一些幫助。

Windows CE 進(jìn)程、線(xiàn)程和內(nèi)存管理（三）

與非網(wǎng)(EEFOCUS)電子產(chǎn)業(yè)社區(qū)平臺(tái)為中國(guó)電子行業(yè)首家采用強(qiáng)大技術(shù)平臺(tái)，由專(zhuān)業(yè)的電子技術(shù)編輯服務(wù)，為全球3000家知名半導(dǎo)體廠家及電子技術(shù)系統(tǒng)廠商提供技術(shù)信息發(fā)布、廠商網(wǎng)站、技術(shù)社區(qū)建設(shè)服務(wù)，并以電子術(shù)語(yǔ)詞典，集成電路數(shù)據(jù)手冊(cè)查詢(xún)，電子產(chǎn)品新聞訪談資訊信息以及互動(dòng)技術(shù)交流社區(qū)為上百萬(wàn)電子技術(shù)工程師以及高校師生提供最完整的電子技術(shù)信息查詢(xún)和交流服務(wù)。

基于RAM的嵌入式可編程控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

引言 可編程邏輯控制器(PLC)以其高可靠性和使用方便的特性.使其在現(xiàn)代工業(yè)控制中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著工廠自動(dòng)化的進(jìn)展，對(duì)PLC之間以及PLC同其他控制設(shè)備之間相互聯(lián)系的要求也相應(yīng)提高。由于PLC的通訊方式為串行通

MCS-51單片數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM的擴(kuò)展應(yīng)用實(shí)例

RAM是用來(lái)存放各種數(shù)據(jù)的，MCS-51系列8位單片機(jī)內(nèi)部有128 B RAM存儲(chǔ)器，CPU對(duì)內(nèi)部RAM具有豐富的操作指令。但是，當(dāng)單片機(jī)用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集或處理大批量數(shù)據(jù)時(shí)，僅靠片內(nèi)提供的RAM是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。此時(shí)，

MSP430系列單片機(jī)-讀RAM數(shù)據(jù)燒寫(xiě)到Flash中

題目一從RAM地址0x0200中讀取一個(gè)long數(shù)據(jù)，并燒寫(xiě)至地址為0x1800的Flash中。代碼：#include"io430.h"void main(void){ //初始化RAM信息段的指針 unsigned long * RAM_ptr = (unsigned long *) 0x020

單片機(jī)中的ROM,RAM和FLASH的作用

一、ROM,RAM和FLASH在單片中的作用ROM——存儲(chǔ)固化程序的（存放指令代碼和一些固定數(shù)值，程序運(yùn)行后不可改動(dòng)）c文件及h文件中所有代碼、全局變量、局部變量、’const’限定符定義的常量數(shù)據(jù)、startup.a

飛思卡爾單片機(jī)RAM與flash相關(guān)問(wèn)題

最近在做飛思卡爾16位單片機(jī)的在線(xiàn)升級(jí)bootloader程序。有2個(gè)問(wèn)題不太清楚，請(qǐng)教下論壇里的高人。1.bootloader程序中，對(duì)存放應(yīng)用程序的flash空間進(jìn)行擦除和寫(xiě)入新的應(yīng)用程序以完成升級(jí)。比較特別的是，

STM32中的程序在RAM還是FLASH里運(yùn)行？

關(guān)于51單片機(jī)中的RAM、SFR和位地址的問(wèn)題

51單片機(jī)中_有_4EH這個(gè)位地址。51單片機(jī)片內(nèi)RAM的20H~2FH，這十六字節(jié)，可以按照“位”來(lái)尋址。這里面共有128個(gè)“位地址”，分別為00H~7FH。位地址4EH，是在“字節(jié)地址為29H的字節(jié)單元”中的第6位。后記