下面來分析這個問題,該系統(tǒng)中雖然有兩片存儲器,但由于兩片存儲器的輸入,輸入允許信號不同,程序存儲器沒有輸入允許,其輸出允許由8051的引腳PSEN控制,只有當程序存儲器的片選信號和輸出允許信號同時有效時,程序存儲器的總線才掛接到CPU總線上 。否則,程序存儲器的所有總線引腳都為高阻態(tài),即相當于存儲器與CPU總線斷開。
RAM是用來存放各種數(shù)據(jù)的,MCS-51系列8位單片機內(nèi)部有128 B RAM存儲器,CPU對內(nèi)部RAM具有豐富的操作指令。但是,當單片機用于實時數(shù)據(jù)采集或處理大批量數(shù)據(jù)時,僅靠片內(nèi)提供的RAM是遠遠不夠的。此時,我們可以利用單片機的擴展功能,擴展外部數(shù)據(jù)存儲器。
最近因為在找實習工作,做了一些大公司的硬件筆試題,發(fā)現(xiàn)很多公司都有對存儲器的考察,從來沒有系統(tǒng)的整理過存儲器的種類,是時候來一波整理了?以下主要講了:RAM、ROM和FLASH三大類。RAM包括:SR
近日GeekBench跑分數(shù)據(jù)庫出現(xiàn)了一款名為Pocophone F1 Lite的機型跑分,從泄露的信息可以發(fā)現(xiàn)該機使用的是驍龍660處理器,并搭配了4GB RAM。
主要是為了在RAM中運行程序來解除讀保護的。沒想到ST-Link Utility 就直接可以。ST-Link Utility:target-->options bytes-->就可以看到讀保護。解除讀保護,選擇 Level 0. 其他都不變(WDG_SW,nRST_STDBY,nRST_STOP都
關(guān)鍵的一些名詞: PROM,EPROM,EEPROM,SPD,SRAM,DRAM,RDRAM,SDRAM,DDRSDRAM,NORFlash,NADNFlash,HDD,SSD,SLC,MLC,TLC
從 X 光成像來看,11 英寸的 iPad Pro 采用了一個很明顯的對稱結(jié)構(gòu)設(shè)計,這個對稱設(shè)計是如此的美妙和工整,再一次體現(xiàn)出了蘋果高超的設(shè)計水平。
下面這個系統(tǒng)中,8051同時擴展片外程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器,兩片存儲器的片選信號都接地, 即同時有效,也就是說,這兩片存儲器無需選擇。51同時擴展RAM和ROM下面來分析這個問題,該系統(tǒng)中雖然有兩片存儲器,但
8051單片機程數(shù)據(jù)存儲器的擴展。51數(shù)據(jù)存儲器的擴展A0-A12為地址線,總共13條,則該存儲器的物理存儲空間有2的13次方,即8K。D0-D7為數(shù)據(jù)總線,共8條,即該存儲器的每個存儲單元有8位數(shù)據(jù),即通常所說
常規(guī)上ROM是用來存儲固化程序的,RAM是用來存放數(shù)據(jù)的。由于FLASHROM比普通的ROM讀寫速度快,擦寫方便,一般用來存儲用戶程序和需要永久保存的數(shù)據(jù)。譬如說,現(xiàn)在家用的電子式電度表,它的內(nèi)核是一款單片機,該單片機
許多高速數(shù)據(jù)采集應(yīng)用,如激光雷達或光纖測試等,都需要從嘈雜的環(huán)境中采集小的重復信號,因此對于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計來說,最大的挑戰(zhàn)就是如何最大限度地減少噪聲的影響。
單片機自身的?RAM?存儲空間和引腳數(shù)目往往有些不足,當需要在外部拓展不太多的時候,8155?芯片就是首選了。一片?8155,可以提供?256?字節(jié)的?RAM,3?個并行?IO?接口和一個?14?位的
步驟與圖示:1.先給個CPU的數(shù)據(jù),需要注意的是三個紅圈的地方,架構(gòu),型號,F(xiàn)lash和SRAM大小如圖1(STM32F107VC 256KB FLASH,64KB SRAM)圖12.Target的設(shè)置1)勾上可以用微庫,減小生成代碼的大小2,3)分別定義ROM區(qū)位
目前使用的圖像跟蹤系統(tǒng)前端輸入信號一般都是PAL制式的標準全電視信號,每20 ms一場,每40 ms一幀。模擬信號經(jīng)過視頻解碼器轉(zhuǎn)換成720×576大小的數(shù)字信號后,再對其中
目前采用的LED大屏幕顯示系統(tǒng)的控制電路,大多由單個或多個CPU及復雜的外圍電路組成,這種電路設(shè)計,單片機編程比較復雜,整個電路的調(diào)試比較麻煩,可靠性和實時性很難得到保證。針對這種情況,提出一種SD卡
51單片機RAM分為四個區(qū)域1.工作寄存器區(qū)(00H~1FH)2.位尋址區(qū)(20H~2FH)3.用戶RAM區(qū)(30H~7FH)4.特殊功能寄存器(80H~FFH)其中1.2.3處于RAM低128單元,4處于高128單元也就是聲明變量時data與idata位置而棧就是在用戶RAM區(qū)