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VLSI提升IC預(yù)測(cè)然隱患猶存

VLSI認(rèn)為由于市場需求上升,而提升今年的IC預(yù)測(cè),但是公司也表示已經(jīng)看到一些需要重視的問題。VLSI的總裁DanHutcheson說,盡管提升今年IC預(yù)測(cè),但是非?？赡苁袌黾航?jīng)出現(xiàn)過熱的跡象。VLSI認(rèn)為與2009年相比今年全球IC銷售

模擬
2010-04-20

LSI IC DRAM NAND
VLSI提升IC預(yù)測(cè) 然隱患猶存

VLSI認(rèn)為由于市場需求上升,而提升今年的IC預(yù)測(cè), 但是公司也表示已經(jīng)看到一些需要重視的問題。VLSI的總裁Dan Hutcheson說,盡管提升今年IC預(yù)測(cè),但是非?？赡苁袌黾航?jīng)出現(xiàn)過熱的跡象。VLSI認(rèn)為與2009年相比今年全球IC銷

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-04-20

LSI IC DRAM NAND
什么因素推動(dòng)爾必達(dá)和美光最近的閃存資產(chǎn)收購行動(dòng)？

據(jù)iSuppli公司，最近DRAM供應(yīng)商爾必達(dá)和美光的收購行動(dòng)，突顯供應(yīng)商越來越重視打造完整的內(nèi)存產(chǎn)品組合，以面向快速增長的智能手機(jī)市場。如圖所示，未來幾年智能手機(jī)使用的DRAM平均數(shù)量將增長九倍以上，到2014年將從2

半導(dǎo)體
2010-04-18

美光爾必達(dá) DRAM NAND
4月上旬NAND Flash合約價(jià)小漲

4月上旬NANDFlash合約價(jià)開始小漲，16Gb容量報(bào)價(jià)上漲2~7%，其次是32Gb容量芯片報(bào)價(jià)上漲3~4%。近期NANDFlash市場再度受到蘋果(Apple)iPad正式開賣，外界再度燃起了興趣，但消費(fèi)者反應(yīng)iPad不能無線上網(wǎng)、散熱不佳的問題

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2010-04-12

蘋果 Flash NANDFLASH NAND
09年全球前十大NAND供貨商排行榜出爐

市場研究機(jī)構(gòu)Web-FeetResearch公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(SamsungElectronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk；SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領(lǐng)先美光(Micron)、海力士(Hyni

半導(dǎo)體
2010-04-12

東芝 NAND閃存 SANDISK NAND
Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)

　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)

數(shù)字電源
2010-04-11

Flash 存儲(chǔ)管理 DSP系統(tǒng) NAND
Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)

Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)

嵌入式教程
2010-04-11

Flash 存儲(chǔ)管理 DSP系統(tǒng) NAND
日月光、頎邦、硅格3月營收創(chuàng)新高

多家封測(cè)業(yè)3月營收陸續(xù)出爐，受惠于市況淡季不淡，封測(cè)業(yè)營收表現(xiàn)普遍優(yōu)于預(yù)期，月增率普遍2位數(shù)幅度。其中日月光、硅格和頎邦等單月營收皆創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄；而硅品3月營收雖然回升，但受到喪失搶單先機(jī)的影響，首季

模擬
2010-04-08

Flash 驅(qū)動(dòng)IC DRAM NAND
嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

嵌入式教程
2010-04-06

Flash 嵌入式系統(tǒng) BSP NAND
東芝正式宣布將開始建設(shè)NAND新車間Fab5

東芝正式宣布將開始建設(shè)之前延期的NAND型閃存量產(chǎn)線。預(yù)定于2010年7月開始建設(shè)四日市工廠的第五生產(chǎn)車間（Fab5），2011年春季竣工，最早將在2011年夏季投產(chǎn)?，F(xiàn)在，作為NAND量產(chǎn)線東芝已啟動(dòng)了四日市工廠的第四生產(chǎn)車

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2010-03-26

東芝 FAB SANDISK NAND
美光即將量產(chǎn)25nm工藝NAND

在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè)，美國美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPacka

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2010-03-26

美光 NAND閃存 5NM NAND
三星跳電 NAND、DRAM停止報(bào)價(jià)

DRAM龍頭大廠三星半導(dǎo)體24日下午生產(chǎn)線意外跳電，旗下位于企興（Kiheung）的12吋廠與8吋廠，分別負(fù)責(zé)生產(chǎn)NANDFlash、利基型DRAM產(chǎn)線跳電長達(dá)30分鐘至40分鐘，由于情形不明，廠商相繼縮手，同步停止DRAM、NANDFlash報(bào)

消費(fèi)電子
2010-03-26

三星 NANDFLASH DRAM NAND
3月上旬NAND合約價(jià)小跌，廠商盼iPad帶來需求

研究機(jī)構(gòu)集邦科技表示，3月上旬主流MLC NAND Flash合約價(jià)下跌約1%~7%，但隨著Apple宣布iPad將于4月3日上市后，目前NAND Flash相關(guān)業(yè)者期待iPad在第二季的后續(xù)銷售狀況及營運(yùn)模式，能否為NAND Flash市場帶來更多的需求

智能硬件
2010-03-19

Flash IPAD DRAM NAND
iNAND嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器支持e.MMC 4.4(SanDisk)

SanDisk（閃迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4規(guī)格。這些驅(qū)動(dòng)器基于3-bit-per-cell (X3) NAND閃存技術(shù)，在單一組件中提供最高達(dá)64GB1的容量，

消費(fèi)電子
2010-02-24

驅(qū)動(dòng)器 INA SANDISK NAND
英特爾：不屑NAND競爭，力奪SSD龍頭

芯片龍頭英特爾(Intel)的NAND閃存事業(yè)群新主管透露，該公司立志成為固態(tài)儲(chǔ)存(SSD)領(lǐng)域的一哥，但令人驚訝的是，他們沒興趣在NAND市場稱王。英特爾并不想步上三星(Samsung)、海力士(Hynix)與東芝(Toshiba)等NAND供貨

消費(fèi)電子
2010-02-10

英特爾美光 SSD NAND
東芝宣布將關(guān)閉日本南部福岡內(nèi)存封測(cè)廠

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，NAND快閃存儲(chǔ)器大廠東芝3日下午宣布，將關(guān)閉位于日本福岡縣宮若市的封測(cè)廠(TPACS)，今年中旬時(shí)該廠就將關(guān)閉，技術(shù)研發(fā)及設(shè)備等生產(chǎn)線，將移轉(zhuǎn)到東芝NAND晶圓廠大本營的日本三重縣四日市工廠內(nèi)，預(yù)計(jì)

模擬
2010-02-08

內(nèi)存東芝晶圓廠 NAND
東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，東芝計(jì)劃今年關(guān)閉其國內(nèi)2個(gè)NAND閃存工廠之一,而把存儲(chǔ)芯片封裝工作全部集中于另一工廠。即將關(guān)閉的工廠隸屬于ToshibaLSIPackageSolutionCorp，位于福岡縣宮若市,該廠生產(chǎn)設(shè)備以及約400名員工將被

半導(dǎo)體
2010-02-05

東芝 PACKAGE LSI NAND
DRAM跌價(jià)襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而

智能硬件
2010-01-29

Flash DDR3 DRAM NAND
2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

　NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場

智能硬件
2010-01-27

Flash GB TLC NAND
海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能

據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSup

智能硬件
2010-01-20

Flash 海力士 DRAM NAND

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Nand

VLSI提升IC預(yù)測(cè)然隱患猶存

VLSI提升IC預(yù)測(cè) 然隱患猶存

什么因素推動(dòng)爾必達(dá)和美光最近的閃存資產(chǎn)收購行動(dòng)？

4月上旬NAND Flash合約價(jià)小漲

09年全球前十大NAND供貨商排行榜出爐

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