在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域,MOS 管(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。從智能手機(jī)到計(jì)算機(jī)主板,從電源管理到功率放大,MOS 管都扮演著不可或缺的角色。然而,對(duì)于許多電子技術(shù)初學(xué)者甚至部分從業(yè)者來說,MOS 管的導(dǎo)通條件始終是一個(gè)令人困惑的問題。本文將深入探討 MOS 管的導(dǎo)通條件,揭開其神秘的面紗。
在電子電路領(lǐng)域,低邊驅(qū)動(dòng)芯片被廣泛應(yīng)用于各種功率驅(qū)動(dòng)電路中,它負(fù)責(zé)控制功率 MOS 管的導(dǎo)通與截止,實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的有效驅(qū)動(dòng)。而在低邊驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)中,鉗位保護(hù)通常都將電壓鉗位到 MOS 管的柵極,這一設(shè)計(jì)選擇并非偶然,而是基于 MOS 管的工作特性、低邊驅(qū)動(dòng)芯片的功能需求以及整個(gè)電路的穩(wěn)定性和可靠性等多方面因素綜合考量的結(jié)果。
在電子電路領(lǐng)域,三極管和 MOS 管作為兩種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路設(shè)計(jì)中。它們?cè)趯?shí)現(xiàn)電路功能時(shí)發(fā)揮著關(guān)鍵作用,但在控制方式上存在諸多明顯區(qū)別。深入了解這些區(qū)別,對(duì)于工程師進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)、優(yōu)化電路性能以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。
隨著移動(dòng)設(shè)備的普及和快速發(fā)展,對(duì)充電速度的要求越來越高??斐浼夹g(shù)不斷演進(jìn),其中 PD(功率傳輸協(xié)議)快充成為主流。在 PD 快充系統(tǒng)中,VBUS(電壓總線) MOS 管起著關(guān)鍵作用。它不僅影響著充電的效率和安全性,還對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能有著重要影響。
推挽升壓電路在各種電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用,它能夠?qū)⑤斎氲闹绷麟妷恨D(zhuǎn)換為較高的直流電壓。然而,在實(shí)際運(yùn)行過程中,MOS 管發(fā)熱嚴(yán)重的問題常常困擾著工程師們。這不僅影響電路的性能和穩(wěn)定性,還可能導(dǎo)致設(shè)備故障。因此,深入分析 MOS 管發(fā)熱的原因具有重要意義。
一直以來,MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)鞰OS管的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
摘 要 :作為自動(dòng)醫(yī)療設(shè)備,振動(dòng)排石儀被廣泛應(yīng)用于臨床實(shí)踐中。但目前市場(chǎng)上的醫(yī)用振動(dòng)排石儀大多設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、操作繁瑣且缺乏穩(wěn)定性。為克服上述問題,設(shè)計(jì)了一個(gè)穩(wěn)定便捷的振動(dòng)排石儀。排石儀采用 STM32F103 微控制器作為核心,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和數(shù)據(jù)處理。通過可變 PWM 波的占空比來控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。排石儀控制系統(tǒng)使用 MOS 管 IRF840 構(gòu)建驅(qū)動(dòng)電路。電機(jī)速度由速度采集電路反饋給微控制器,構(gòu)建閉環(huán)控制系統(tǒng)以調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速。采用藍(lán)牙模塊實(shí)現(xiàn)無線數(shù)據(jù)的收發(fā)。排石儀操作簡(jiǎn)單,僅需觸屏即可控制,并通過液晶顯示屏顯示出來 ;電路安全可靠,包含多種保護(hù)和報(bào)警電路設(shè)計(jì) ;系統(tǒng)采用 PID 算法調(diào)節(jié)振動(dòng)頻率,具有穩(wěn)定、調(diào)速快捷等優(yōu)點(diǎn)。