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四大提升驅(qū)動(dòng)內(nèi)存進(jìn)入DDR5時(shí)代
近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了下一代主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范（JESD79-5），預(yù)示著DDR5的時(shí)代正式來(lái)臨。
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UFS 4.0發(fā)布到普及用時(shí)一個(gè)季度，它為何如此吸引手機(jī)？
UFS 4.0是8月份JEDEC剛剛發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)，為何它能在短短的約一個(gè)季度時(shí)間里快速普及起來(lái)，它到底有什么過(guò)人之處？
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適用于DDR5存儲(chǔ)模塊的精密溫度傳感器，你了解嗎？
什么是適用于DDR5存儲(chǔ)模塊的精密溫度傳感器?它有什么作用?全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)今日宣布推出全新精密溫度傳感器TS5111，用于DDR5存儲(chǔ)器模塊以及其它需要精確、實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控的多種應(yīng)用，例如固態(tài)磁盤(pán)(SSD)、計(jì)算主板和通信設(shè)備等。
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劇情反轉(zhuǎn)！WiFi聯(lián)盟、藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟等三大國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織恢復(fù)華為成員資格
5月29日，澎湃新聞?dòng)浾甙l(fā)現(xiàn)，WiFi聯(lián)盟、藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟和JEDEC協(xié)會(huì)（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）等行業(yè)組織，均已恢復(fù)華為的成員資格。 WiFi聯(lián)盟官網(wǎng)恢復(fù)華為成員資格 據(jù)外媒5月24日?qǐng)?bào)
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JEDEC與IPC聯(lián)合升級(jí)元器件評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)J-STD-020E
21ic訊 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)與IPC—國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)近日發(fā)布最新E版J-STD-020《非氣密固態(tài)表面貼裝器件的潮濕/再流焊敏感度分類》標(biāo)準(zhǔn)。這份聯(lián)合標(biāo)準(zhǔn)在業(yè)界應(yīng)用十分廣泛，它描述的是如何對(duì)潮濕敏感器件進(jìn)行合
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高速存儲(chǔ)器的調(diào)試和評(píng)估——不要僅僅停留在一致性測(cè)試上
引言：DDR4 等存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展帶動(dòng)存儲(chǔ)器速度與功率效率空前提升，僅僅停留在一致性測(cè)試階段，已經(jīng)不能滿足日益深入的調(diào)試和評(píng)估需求。DDR 存儲(chǔ)器的測(cè)試項(xiàng)目涵蓋了電氣特性和時(shí)序關(guān)系，由JEDEC明確定義，JEDEC 規(guī)范并
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新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)“UFS”將于2011年初公開(kāi)
半導(dǎo)體業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)化團(tuán)體“JEDEC Solid State Technology Association”于2010年12月16日(美國(guó)時(shí)間)宣布，將在今后3個(gè)月內(nèi)公開(kāi)新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)“Universal F
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美光半導(dǎo)體移動(dòng)DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲 JEDEC最高榮譽(yù) “卓越獎(jiǎng)”
憑借長(zhǎng)達(dá) 12 年服務(wù)于 JEDEC 和標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的敬業(yè)精神以及在促進(jìn)下一代移動(dòng)低功耗 DRAM 技術(shù)發(fā)展方面所起的重要作用，Daniel Skinner 贏得技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者們的一致贊譽(yù)。21ic訊—BOISE，2014 年 6 月 19 日 — 美
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JEDEC 發(fā)布統(tǒng)一閃存標(biāo)準(zhǔn) (UFS)
【導(dǎo)讀】JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，日前發(fā)布了其下一代存儲(chǔ)系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn) – 統(tǒng)一閃存（UFS）。UFS的設(shè)計(jì)目標(biāo)是基于閃存的移動(dòng)設(shè)備如智能手機(jī)與平板電腦等嵌入式與可插拔式通用的最先進(jìn)的閃存
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智能手機(jī)與平板電腦統(tǒng)一閃存標(biāo)準(zhǔn)2011年初正式發(fā)布
【導(dǎo)讀】JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)近日宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)：統(tǒng)一閃存(UFS)。 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)近日宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存
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JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布DDR4存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)
【導(dǎo)讀】微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布廣為業(yè)界期待的DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定旨在提高性能與可靠性的同時(shí)降低功耗。因此，相較于此前的DRAM內(nèi)存技術(shù)，DDR4代表著實(shí)質(zhì)性的進(jìn)步
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東芝開(kāi)始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨
符合JEDEC UFS 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式存儲(chǔ)器將高達(dá)64GB的NAND和控制器融合于單一封裝內(nèi)東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開(kāi)始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品
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LED顯示屏用GM封裝，你知道多少？
1.模擬熱阻值不等同可靠度，GM(mSSOP)封裝符合JEDEC JESD51與JEDEC J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn) 模擬熱阻值與可靠度并非連帶關(guān)系，熱阻值系表現(xiàn)封裝體能承載功耗，與可靠度或成本無(wú)涉。以常見(jiàn)的SOT-23封裝為例，模
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聚積科技對(duì)于網(wǎng)傳GM(mSSOP)封裝疑慮的六大聲明
近日，互聯(lián)網(wǎng)有文章針對(duì)聚積科技所推出的創(chuàng)新GM(mSSOP)封裝提出疑慮，聚積科技在此發(fā)表以下六點(diǎn)聲明: 1. 模擬熱阻值不等同可靠度，GM(mSSOP)封裝符合JEDEC JESD51與JEDEC J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn) 模擬熱阻
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聚積科技GM(mSSOP)封裝六大聲明
【導(dǎo)讀】針對(duì)互聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)載之不實(shí)訊息，聚積科技在此發(fā)表六點(diǎn)聲明。 針對(duì)互聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)載之不實(shí)訊息，聚積科技在此發(fā)表六點(diǎn)聲明: 1. 模擬熱阻值不等同可靠度，GM(mSSOP)封裝符合JEDEC JESD51與JEDEC J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn) 模擬熱
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宜特落下/沖擊試驗(yàn)符合摔不壞手機(jī)的品質(zhì)需求
隨著消費(fèi)大眾對(duì)于智慧型手機(jī)耐摔的高規(guī)格要求，使得國(guó)際各大廠商訂定比以往更嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目煽慷仍囼?yàn)標(biāo)準(zhǔn)以確保產(chǎn)品品質(zhì)。iST宜特集團(tuán)臺(tái)灣總部宣布，為了滿足業(yè)界需求，特別針對(duì)落下/沖擊試驗(yàn)?zāi)芰窟M(jìn)行升級(jí)，達(dá)到目前國(guó)際手
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下世代DDR4 DRAM 功能更強(qiáng)
在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相關(guān)模組廠，近期也相繼導(dǎo)入DDR4 DRAM試產(chǎn)行動(dòng)，業(yè)者強(qiáng)調(diào)，DDR 4 DRAM因功耗低，運(yùn)算速度更
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器
2014年1月29日——Teledyne LeCroy（力科），世界高速I(mǎi)/O分析和協(xié)議測(cè)試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了其Kibra 480 DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測(cè)選件。新的內(nèi)插器支持DDR4 U-D
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器
日前，Teledyne LeCroy(力科)，世界高速I(mǎi)/O分析和協(xié)議測(cè)試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了其Kibra 480 DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測(cè)選件。新的內(nèi)插器支持DDR4 U-DIMM，R-DIMM
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東芝開(kāi)發(fā)出全球最快的符合JEDEC UFS Ver.2.0標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式NAND閃存模塊設(shè)備控制器
21ic訊 東芝公司今天宣布，該公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出全球最快的符合JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)制定的通用閃存存儲(chǔ)(UFS)Ver.2.0和UFS統(tǒng)一存儲(chǔ)器擴(kuò)展(UME)Ver.1.0標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式NAND閃存模塊設(shè)備控制器。集成了這款控制器的嵌入式
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