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Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。 當(dāng)然了，新型半導(dǎo)體工藝的實(shí)現(xiàn)并不是Intel一家就能做到的，背后默默貢獻(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的功臣卻往
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半導(dǎo)體業(yè)界的HKMG攻防戰(zhàn)：詳解兩大工藝流派之爭
隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術(shù)。不過在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣
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Intel22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。當(dāng)然了，新型半導(dǎo)體工藝的實(shí)現(xiàn)并不是Intel一家就能做到的，背后默默貢獻(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的功臣卻往往不
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Intel年底發(fā)布USB 3.0控制器 暫無原生支持
NEC的USB 3.0控制器芯片已經(jīng)發(fā)布半年并得到廣泛應(yīng)用，們至今沒有看到第二款同類競爭產(chǎn)品，不過我們聽說Intel將在今年年底推出自己的USB 3.0控制器。其實(shí)這并不完全算是一個好消息，因?yàn)镮ntel準(zhǔn)備的也是一顆獨(dú)立控制芯
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Intel大連Fab 68工廠預(yù)計(jì)10月投產(chǎn)
Intel中國區(qū)董事總經(jīng)理戈峻17日表示，Intel大連12英寸晶圓廠將于10月投產(chǎn)，65納米制程切入，生產(chǎn)芯片組產(chǎn)品。Fab68臺積電、日月光、硅統(tǒng)等臺廠恐面臨挑戰(zhàn)；大聯(lián)大、友尚等Intel產(chǎn)品重要通路伙伴，則可望與Intel合作擴(kuò)
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用于軌道交通行業(yè)的無風(fēng)扇嵌入式準(zhǔn)系統(tǒng)(華北工控)
用于軌道交通行業(yè)的無風(fēng)扇嵌入式準(zhǔn)系統(tǒng)(華北工控)
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基于Intel處理器的嵌入式設(shè)備引領(lǐng)互連時代
英特爾(Intel)的展示以“智能互連嵌入式設(shè)備”為主題，聚集了英特爾十多家合作伙伴的基于英特爾處理器的嵌入式應(yīng)用方案，包括嵌入板主板、智能數(shù)字監(jiān)控解決方案、多媒體互動投影儀系統(tǒng)、多媒體交互數(shù)字標(biāo)牌系統(tǒng)、加固
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英特爾攜手眾多合作伙伴亮相IIC展會
日前，英特爾嵌入式及通訊事業(yè)部攜手十余家合作伙伴亮相第十五屆國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China 2010)。在此次展會上，英特爾與參會人員分享了其對于未來嵌入式市場的愿景，介紹了嵌入式英特爾® 架構(gòu)在這
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英特爾稱Windows 8時代USB 3.0才會成主流
雖然USB 3.0接口已經(jīng)體現(xiàn)出了明顯的速度優(yōu)勢，且廣為用戶期待，但I(xiàn)ntel、AMD的芯片組短期內(nèi)都不打算為其提供原生支持。Intel芯片組產(chǎn)品線營銷總監(jiān)Steve Peterson在德國漢諾威參加CeBIT全球會議時更是直言，他認(rèn)為只有
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計(jì)猛增51%
市場研究公司ICInsights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計(jì)為51%?！叭绻?/p>
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今昔大不同 談臺美晶圓廠登陸
農(nóng)歷年前經(jīng)濟(jì)部宣布未來面板、晶圓代工、封裝測試與IC設(shè)計(jì)等產(chǎn)業(yè)，在西進(jìn)大陸投資時都必須先經(jīng)由關(guān)鍵技術(shù)小組做項(xiàng)目審查；而關(guān)鍵技術(shù)小組的組成則橫跨行政院科顧組、經(jīng)建會、陸委會、國科會、經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局、投審會，
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)增51%
市場研究公司ICInsights預(yù)計(jì),今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長67%,而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計(jì)為51%。
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MM求職實(shí)錄之Intel面試反思篇
在家修養(yǎng)生息兩個禮拜之后，突然感到心理長出了不少陰霾，于是在寒潮過后立即沖出門去參加下社會活動，第一次出門見到陽光，就遭到了歇斯底的打擊。 19日早上在MACRO POLO參加“中國3G終端設(shè)計(jì)大會”聽完ISUPPLI、中
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計(jì)猛增51% 大型芯片廠商領(lǐng)跑
市場研究公司IC Insights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計(jì)為51%?！叭绻?/p>
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MM求職實(shí)錄之Intel面試反思篇
MM求職實(shí)錄之Intel面試反思篇
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計(jì)猛增51%大型芯片廠商領(lǐng)跑
市場研究公司ICInsights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計(jì)為51%?！叭绻?/p>
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英特爾籌劃20億美元創(chuàng)投資金
華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，芯片大廠英特爾(Intel)正和創(chuàng)投公司合作，希望成立擁有20億美元資金的基金投資美國公司。 英特爾執(zhí)行長Paul Otellini于在美國華盛頓特區(qū)演講時公布此項(xiàng)投資計(jì)畫，該演講的部分重點(diǎn)為「在美國創(chuàng)
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英特爾實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出納米材料的儲能器
Intel的研究員正在開發(fā)一種納米材料，可能用來制造比今天鋰電池存儲更多電能密度的超級電容器。如果能夠獲得成功，新材料可被大量生產(chǎn)供給發(fā)電廠，并使用在電動汽車，一直到智能電網(wǎng)中的電能存儲單元。 于09年5月成
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)
在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技
