(全球TMT2023年7月28日訊)2023年7月28日,江波龍上??偛宽?xiàng)目封頂儀式在中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)舉行。江波龍上??偛课挥谂R港新片區(qū)滴水湖科創(chuàng)總部灣核心區(qū),項(xiàng)目于2021年啟動(dòng)建設(shè),占地面積約14畝,總建筑面積約4.3萬平方米,可容納超過800名研發(fā)人員...
昨天下午,中國市場監(jiān)管總局附加限制性條件批準(zhǔn)了美國半導(dǎo)體公司邁凌(MaxLinear)對全球最大 NAND Flash 控制芯片供應(yīng)商慧榮科技(SMI)的收購。
Flash存儲(chǔ)器,也稱為閃存存儲(chǔ)器,是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在設(shè)備斷電后仍然能夠保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。它的名稱來源于一種稱為“閃存技術(shù)”的特殊電子存儲(chǔ)技術(shù)。Flash存儲(chǔ)器的基本工作原理是通過多層存儲(chǔ)單元的電荷累積和流動(dòng)來存儲(chǔ)和擦除數(shù)據(jù)。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)FET(場效應(yīng)晶體管)和一個(gè)電荷貯存器組成,電荷貯存器內(nèi)累積的電荷表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)的不同狀態(tài),通常是0和1。當(dāng)需要修改某個(gè)存儲(chǔ)單元的值時(shí),F(xiàn)lash存儲(chǔ)器可以通過向其中注入或者釋放電荷來改變其電荷狀態(tài)。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),2023 年第一季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)市場的營收或?qū)⒊掷m(xù)下滑,除了傳統(tǒng)的淡季影響之外,還和過去兩年的市場影響以及雙邊制裁等因素有關(guān)。據(jù)悉,NAND-Flash 存儲(chǔ)市場去年不斷下跌,最后一個(gè)季度下滑近 25%。
全新服務(wù)器將滿足平衡式NUMA架構(gòu)中高密度PB級(jí)儲(chǔ)存系統(tǒng)的迫切需求 2023年3月14日加州圣何塞 /美通社/ -- Supermicro, Inc. (NASDAQ: SMCI) 為云端、AI/ML、儲(chǔ)存和5G/智能邊緣...
上海2022年11月17日 /美通社/ -- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的電子設(shè)計(jì)和制造商環(huán)旭電子股份有限公司(USI,簡稱"環(huán)旭電子")旗下子公司Asteelflash在2022年慕尼黑國際電子元器件展(Electronica 2022)上展示其解決方案,該展會(huì)于11月15日...
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。
我們知道 Flash 讀時(shí)序里有五大子序列 CMD + ADDR + MODE + DUMMY + READ,前面的文章中痞子衡講過《串行NOR Flash的Continuous read模式》,Continuous read 模式是為了在適當(dāng)?shù)那闆r下精簡掉連續(xù)讀訪問里的后續(xù) CMD 子序列,它可以進(jìn)一步提高 Flash 訪問性能,這已經(jīng)是極限了嗎?其實(shí)沒有,還差最后一招,那就是痞子衡今天要講的 QPI/OPI 模式。
Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中,則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
(全球TMT2022年8月2日訊)7月28日,為期三天的2022全球閃存峰會(huì)(Flash Memory World)召開。期間,2022年閃存風(fēng)云榜榜單正式發(fā)布,憶聯(lián)一舉斬獲"十大閃存控制器企業(yè)金獎(jiǎng)"榮譽(yù)稱號(hào)。 作為國產(chǎn)SSD廠商中的領(lǐng)先者,憶聯(lián)從2011年便啟...
(全球TMT2022年6月28日訊)浪潮存儲(chǔ)基于大量的NAND測試數(shù)據(jù),在反復(fù)探索和實(shí)踐推理過程中發(fā)現(xiàn)了企業(yè)級(jí)固體硬盤普遍面臨三個(gè)挑戰(zhàn): 首先,NAND特性會(huì)影響數(shù)據(jù)的可靠性。例如NAND中未寫滿數(shù)據(jù)的塊因數(shù)據(jù)保存能力低會(huì)導(dǎo)致RBER ( Raw Bit Error Ra...
因?yàn)榕_(tái)灣英語里把固體電容稱為Solid而得名。SSD由控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同,在產(chǎn)品外形和尺寸上基本與普通硬盤一致(新興的U.2,M.2等形式的固態(tài)硬盤尺寸和外形與SATA機(jī)械硬盤完全不同)。
摘 要:為解決實(shí)驗(yàn)室某些海洋觀測類IO設(shè)備價(jià)格昂貴、體積較大、數(shù)量較少的問題,文中設(shè)計(jì)了一款I(lǐng)O設(shè)備模擬器。IO模擬器是一款模擬IO設(shè)備指令與相應(yīng)響應(yīng)的模塊,系統(tǒng)以STM32F103為主控制器件,將Keil MDK-ARM作為軟件平臺(tái), 通過學(xué)習(xí)實(shí)際IO設(shè)備的指令與響應(yīng),模擬出實(shí)際IO設(shè)備的通信協(xié)議。文中主要介紹了模擬器的硬件搭建及軟件設(shè)計(jì)。經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,該模擬器可在實(shí)驗(yàn)室的系統(tǒng)聯(lián)合調(diào)試中代替實(shí)際設(shè)備,也可以解決實(shí)際設(shè)備數(shù)量不足的問題。
01前言嵌入式軟件中經(jīng)常要存儲(chǔ)一些非易失參數(shù),例如用戶設(shè)置、校準(zhǔn)參數(shù)、設(shè)備運(yùn)行參數(shù)等,通常情況下我們都會(huì)選擇存儲(chǔ)在EEPROM或者SPI-FLASH中。在削減成本考量的情況下,我們可以把存儲(chǔ)器省下來,參數(shù)存儲(chǔ)在內(nèi)部flash中,畢竟就算每片減少一塊錢,量大后還是非??捎^的。02選...
大家好,今天和大家分享一下STM32F103C8T6讀寫內(nèi)部flash,關(guān)于103系列的單片機(jī)大家可以參考選項(xiàng)手冊查看flash的容量。一、芯片F(xiàn)LASH容量分類:可以看到我們今天介紹的這款芯片的flash大小是64K的,網(wǎng)上也有人說它可以支持到128K,但是官方給出的解釋是前6...
▼點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)▼存儲(chǔ)器分為兩大類:RAM和ROM。RAM就不講了,主要討論ROM。ROM最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,不靈活。后來出現(xiàn)了PROM,可以自己寫入一次,要是寫錯(cuò)了,只能換一片,自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步,終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM,每...
摘要:針對MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù),給出了采用NANDFLASH為存儲(chǔ)介質(zhì),以FPGA為存儲(chǔ)陣列的控制器,并用DSP作為數(shù)據(jù)處理的核心單元,來完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法,同時(shí)對壞塊的檢測處理等關(guān)鍵問題提出了解決方案。
本文就STM32L053芯片的FLASH編程做個(gè)簡單演示并做些提醒,以供有需要的人參考。
所謂Flash,是內(nèi)存(Memory)的一種,但兼有RAM和ROM 的優(yōu)點(diǎn),是一種可在系統(tǒng)(In-System)進(jìn)行電擦寫,掉電后信息不丟失的存儲(chǔ)器,同時(shí)它的高集成度和低成本使它成為市場主流。
NAND FLASH 在對大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要中日益發(fā)展,到現(xiàn)今,所有的數(shù)碼相機(jī)、多數(shù)MP3播放器、各種類型的U盤、很多PDA里面都有NAND FLASH的身影。