在這篇文章中,小編將為大家?guī)?lái)JTAG接口與Flash的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
近日,第11屆EEVIA年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)在深圳召開(kāi),兆易創(chuàng)新Flash事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理張靜在會(huì)上發(fā)布了主題為“持續(xù)開(kāi)拓,兆易新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”的演講。
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,存儲(chǔ)器的需求日益增長(zhǎng)。Flash存儲(chǔ)器作為一種非易失性存儲(chǔ)器,具有重要的應(yīng)用價(jià)值和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹Flash存儲(chǔ)器的基本原理、工作方式和作用,幫助讀者更好地了解這一重要的存儲(chǔ)器技術(shù)。
隨著信息時(shí)代的到來(lái),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)成為了一項(xiàng)基本需求。Flash存儲(chǔ)器成為了一種常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備,用于存儲(chǔ)各種類(lèi)型的數(shù)據(jù),如文檔、圖片、視頻等。本文將詳細(xì)介紹如何使用Flash存儲(chǔ)器以及如何寫(xiě)入數(shù)據(jù),幫助讀者了解Flash存儲(chǔ)器的操作方法和注意事項(xiàng)。
隨著科技的不斷發(fā)展,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器已經(jīng)成為存儲(chǔ)設(shè)備中最常用的一種類(lèi)型。它具有非易失性、高密度、低功耗和快速讀寫(xiě)等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如移動(dòng)設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和存儲(chǔ)芯片等。本文將介紹Flash存儲(chǔ)器的編程設(shè)計(jì)以及一些常見(jiàn)的解決方案,以幫助讀者更好地理解Flash存儲(chǔ)器的工作原理和應(yīng)用。
(全球TMT2023年7月28日訊)2023年7月28日,江波龍上??偛宽?xiàng)目封頂儀式在中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)舉行。江波龍上??偛课挥谂R港新片區(qū)滴水湖科創(chuàng)總部灣核心區(qū),項(xiàng)目于2021年啟動(dòng)建設(shè),占地面積約14畝,總建筑面積約4.3萬(wàn)平方米,可容納超過(guò)800名研發(fā)人員...
昨天下午,中國(guó)市場(chǎng)監(jiān)管總局附加限制性條件批準(zhǔn)了美國(guó)半導(dǎo)體公司邁凌(MaxLinear)對(duì)全球最大 NAND Flash 控制芯片供應(yīng)商慧榮科技(SMI)的收購(gòu)。
Flash存儲(chǔ)器,也稱(chēng)為閃存存儲(chǔ)器,是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在設(shè)備斷電后仍然能夠保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。它的名稱(chēng)來(lái)源于一種稱(chēng)為“閃存技術(shù)”的特殊電子存儲(chǔ)技術(shù)。Flash存儲(chǔ)器的基本工作原理是通過(guò)多層存儲(chǔ)單元的電荷累積和流動(dòng)來(lái)存儲(chǔ)和擦除數(shù)據(jù)。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和一個(gè)電荷貯存器組成,電荷貯存器內(nèi)累積的電荷表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)的不同狀態(tài),通常是0和1。當(dāng)需要修改某個(gè)存儲(chǔ)單元的值時(shí),F(xiàn)lash存儲(chǔ)器可以通過(guò)向其中注入或者釋放電荷來(lái)改變其電荷狀態(tài)。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),2023 年第一季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)市場(chǎng)的營(yíng)收或?qū)⒊掷m(xù)下滑,除了傳統(tǒng)的淡季影響之外,還和過(guò)去兩年的市場(chǎng)影響以及雙邊制裁等因素有關(guān)。據(jù)悉,NAND-Flash 存儲(chǔ)市場(chǎng)去年不斷下跌,最后一個(gè)季度下滑近 25%。
全新服務(wù)器將滿(mǎn)足平衡式NUMA架構(gòu)中高密度PB級(jí)儲(chǔ)存系統(tǒng)的迫切需求 2023年3月14日加州圣何塞 /美通社/ -- Supermicro, Inc. (NASDAQ: SMCI) 為云端、AI/ML、儲(chǔ)存和5G/智能邊緣...
上海2022年11月17日 /美通社/ -- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的電子設(shè)計(jì)和制造商環(huán)旭電子股份有限公司(USI,簡(jiǎn)稱(chēng)"環(huán)旭電子")旗下子公司Asteelflash在2022年慕尼黑國(guó)際電子元器件展(Electronica 2022)上展示其解決方案,該展會(huì)于11月15日...
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近期三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。
我們知道 Flash 讀時(shí)序里有五大子序列 CMD + ADDR + MODE + DUMMY + READ,前面的文章中痞子衡講過(guò)《串行NOR Flash的Continuous read模式》,Continuous read 模式是為了在適當(dāng)?shù)那闆r下精簡(jiǎn)掉連續(xù)讀訪(fǎng)問(wèn)里的后續(xù) CMD 子序列,它可以進(jìn)一步提高 Flash 訪(fǎng)問(wèn)性能,這已經(jīng)是極限了嗎?其實(shí)沒(méi)有,還差最后一招,那就是痞子衡今天要講的 QPI/OPI 模式。
Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中,則主要用在固態(tài)硬盤(pán)以及主板 BIOS 中。
(全球TMT2022年8月2日訊)7月28日,為期三天的2022全球閃存峰會(huì)(Flash Memory World)召開(kāi)。期間,2022年閃存風(fēng)云榜榜單正式發(fā)布,憶聯(lián)一舉斬獲"十大閃存控制器企業(yè)金獎(jiǎng)"榮譽(yù)稱(chēng)號(hào)。 作為國(guó)產(chǎn)SSD廠商中的領(lǐng)先者,憶聯(lián)從2011年便啟...
(全球TMT2022年6月28日訊)浪潮存儲(chǔ)基于大量的NAND測(cè)試數(shù)據(jù),在反復(fù)探索和實(shí)踐推理過(guò)程中發(fā)現(xiàn)了企業(yè)級(jí)固體硬盤(pán)普遍面臨三個(gè)挑戰(zhàn): 首先,NAND特性會(huì)影響數(shù)據(jù)的可靠性。例如NAND中未寫(xiě)滿(mǎn)數(shù)據(jù)的塊因數(shù)據(jù)保存能力低會(huì)導(dǎo)致RBER ( Raw Bit Error Ra...
因?yàn)榕_(tái)灣英語(yǔ)里把固體電容稱(chēng)為Solid而得名。SSD由控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤(pán)在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤(pán)的完全相同,在產(chǎn)品外形和尺寸上基本與普通硬盤(pán)一致(新興的U.2,M.2等形式的固態(tài)硬盤(pán)尺寸和外形與SATA機(jī)械硬盤(pán)完全不同)。
摘 要:為解決實(shí)驗(yàn)室某些海洋觀測(cè)類(lèi)IO設(shè)備價(jià)格昂貴、體積較大、數(shù)量較少的問(wèn)題,文中設(shè)計(jì)了一款I(lǐng)O設(shè)備模擬器。IO模擬器是一款模擬IO設(shè)備指令與相應(yīng)響應(yīng)的模塊,系統(tǒng)以STM32F103為主控制器件,將Keil MDK-ARM作為軟件平臺(tái), 通過(guò)學(xué)習(xí)實(shí)際IO設(shè)備的指令與響應(yīng),模擬出實(shí)際IO設(shè)備的通信協(xié)議。文中主要介紹了模擬器的硬件搭建及軟件設(shè)計(jì)。經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,該模擬器可在實(shí)驗(yàn)室的系統(tǒng)聯(lián)合調(diào)試中代替實(shí)際設(shè)備,也可以解決實(shí)際設(shè)備數(shù)量不足的問(wèn)題。
01前言嵌入式軟件中經(jīng)常要存儲(chǔ)一些非易失參數(shù),例如用戶(hù)設(shè)置、校準(zhǔn)參數(shù)、設(shè)備運(yùn)行參數(shù)等,通常情況下我們都會(huì)選擇存儲(chǔ)在EEPROM或者SPI-FLASH中。在削減成本考量的情況下,我們可以把存儲(chǔ)器省下來(lái),參數(shù)存儲(chǔ)在內(nèi)部flash中,畢竟就算每片減少一塊錢(qián),量大后還是非??捎^的。02選...
大家好,今天和大家分享一下STM32F103C8T6讀寫(xiě)內(nèi)部flash,關(guān)于103系列的單片機(jī)大家可以參考選項(xiàng)手冊(cè)查看flash的容量。一、芯片F(xiàn)LASH容量分類(lèi):可以看到我們今天介紹的這款芯片的flash大小是64K的,網(wǎng)上也有人說(shuō)它可以支持到128K,但是官方給出的解釋是前6...