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格羅方德推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺
格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)近日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動
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ARM：FD-SOI正在成為移動芯片市場的一支“潛力股”
日前，ARM方面表示，F(xiàn)D-SOI正在成為移動芯片市場的一支“潛力股”。ARM公司執(zhí)行副總裁Pete Hutton告訴電子周刊的記者，“我發(fā)現(xiàn)一個非常有趣的事情：如果你比較看重低功耗和低成本，那么大部分人仍會
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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺
21ic訊 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅
