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[導(dǎo)讀]日前,ARM方面表示,F(xiàn)D-SOI正在成為移動(dòng)芯片市場(chǎng)的一支“潛力股”。ARM公司執(zhí)行副總裁Pete Hutton告訴電子周刊的記者,“我發(fā)現(xiàn)一個(gè)非常有趣的事情:如果你比較看重低功耗和低成本,那么大部分人仍會(huì)

日前,ARM方面表示,F(xiàn)D-SOI正在成為移動(dòng)芯片市場(chǎng)的一支“潛力股”。

ARM公司執(zhí)行副總裁Pete Hutton告訴電子周刊的記者,“我發(fā)現(xiàn)一個(gè)非常有趣的事情:如果你比較看重低功耗和低成本,那么大部分人仍會(huì)選擇28nm 而非16nm FINFET,因?yàn)楹笳咭惹罢哔F很多。而22nm的FD-SOI工藝相比28nm可以讓你在接受價(jià)格的同時(shí)擁有高性能。”

大概幾周前,Globoalfoudaries宣布大舉向22nm FD-SOI工藝制程邁進(jìn),它相比20nm平臺(tái)可以提供70%的功耗縮減,同時(shí)在掩蔽層為FinFET工藝帶來(lái)了50%的功耗縮減。

ARM公司執(zhí)行副總裁Pete Hutton

當(dāng)問到FD-SOI是否會(huì)成為移動(dòng)芯片制程的主流工藝時(shí),Hutton強(qiáng)調(diào)說(shuō):“這是一個(gè)比28nm工藝性能更高,但比16nm FinFET工藝成本更低的技術(shù)。”

當(dāng)被問到英特爾的移動(dòng)芯片研發(fā)是否會(huì)受ARM的芯片組提供商的影響時(shí),Hutton回答說(shuō):“他們?cè)硎咀约喝〉昧艘欢ǖ某晒?,但我們并沒有看到。”

那么,芯片組提供商是否仍然能夠從英特爾得到同樣水平的補(bǔ)貼?Hutton提供了來(lái)自英特爾的一個(gè)水平較低的移動(dòng)業(yè)務(wù)虧損報(bào)告,并指出他們?nèi)匀辉谑褂猛瑯拥牟呗?,但并不?huì)影響ARM的客戶。

關(guān)于英特爾收購(gòu)Altera的影響,Hutton指出英特爾的CEO已經(jīng)多次表示其將保持并提高Altera基于ARM內(nèi)核的FPGA產(chǎn)品線。

最后,記者詢問ARM是否會(huì)對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)的收入做報(bào)告時(shí),Hutton表示已經(jīng)在進(jìn)行,但尚不方便透露。

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