Fairchild 發(fā)布新型Motion-SPM器件

飛兆半導體公司 (Fairchild) 宣布進一步擴展其智能功率模塊 (SPM™) 產品系列，推出三款采用29mm x 12mm表面安裝 (SMD) 封裝的新型Motion-SPM™ 器件：FSB50325S (250V)、FSB50250S (500V) 和FSB50450S (500V)。

Fairchild 擴充低RDS(ON) MOSFET產品系列

飛兆半導體公司 (Fairchild) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產品系列，推出11種新型器件。

Fairchild預計與Power Integrations訴訟終將勝訴

Power Integrations公司在飛兆半導體公司(Fairchild)專利侵權案中

美國加利福尼亞州圣何塞—2006年10月10日―用于功率轉換的高壓模擬集成電路業(yè)界的領導者PowerIntegrations公司（以下簡稱PI）今日宣布在飛兆半導體公司的專利侵權案中贏得陪審團的初步裁決。陪審團裁定飛兆半導體公司

Fairchild 推出DPAK SuperFET器件

飛兆半導體公司 (Fairchild) 開發(fā)出新的低導通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應用的DPAK (TO-252) 器件需求而設計。

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產品

飛兆半導體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應用.

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產品

飛兆半導體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應用.

Fairchild 推出新型μSerDes產品

飛兆半導體公司 (Fairchild) 宣布推出基于 µSerDes™ 技術的重要強化產品FIN224AC。

Fairchild 發(fā)布新款uSerDes產品

Fairchild進一步增強uSerDes技術，并推出新款uSerDes產品FIN224AC。

FAIRCHILD 推出1200V/15A NPT-Trench IGBT

Fairchild 新增50A/75A Motion-SPM 器件

Fairchild 增設模擬產品開發(fā)小組

Fairchild 推出全程高頻開關

飛兆半導體攜高功效產品參展IIC-China 2006

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)于第十一屆國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China 2006)上重點展示其功率產品系列和全球功率資源(Global Power Resource)設計中心。飛兆半導體將通過交互式演示和示范

Fairchild 的產品將符合"無鉛"要求