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TSMC繼續(xù)三位一體化優(yōu)勢(shì) 擴(kuò)大20nm產(chǎn)能
臺(tái)灣TSMC公司宣布，該公司目前已經(jīng)開(kāi)始了旗下Fab15(Gigafab)工廠(chǎng)的phase3廠(chǎng)房建設(shè)，新廠(chǎng)房將會(huì)被用于20nm以及更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝。TSMC于2010年7月開(kāi)始了Fab15,phase1的建設(shè)，并于2011年年中完成了設(shè)備的安裝，計(jì)劃于2
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28nm過(guò)時(shí)？臺(tái)積電積極準(zhǔn)備邁向20nm工藝
雖然40nm、28nm工藝接連遭遇不順，后者至今無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)需要，但作為全球第一代工廠(chǎng)的臺(tái)積電已經(jīng)瞄準(zhǔn)了未來(lái)，將同步擴(kuò)建Fab 15晶圓廠(chǎng)的第三條、第四條生產(chǎn)線(xiàn)，為邁向20nm新工藝做準(zhǔn)備。這座先進(jìn)的300毫米晶圓廠(chǎng)最近已
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TSMC繼續(xù)三位一體化優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大20nm產(chǎn)能
臺(tái)灣TSMC公司宣布，該公司目前已經(jīng)開(kāi)始了旗下Fab15(Gigafab)工廠(chǎng)的phase3廠(chǎng)房建設(shè)，新廠(chǎng)房將會(huì)被用于20nm以及更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝。TSMC于2010年7月開(kāi)始了Fab15,phase1的建設(shè)，并于2011年年中完成了設(shè)備的安裝，計(jì)劃于2
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TSMC確認(rèn)將擴(kuò)大旗下Gigafab工廠(chǎng)20nm產(chǎn)能
臺(tái)灣TSMC公司宣布，該公司目前已經(jīng)開(kāi)始了旗下Fab15(Gigafab)工廠(chǎng)的phase3廠(chǎng)房建設(shè)，新廠(chǎng)房將會(huì)被用于20nm以及更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝。TSMC于2010年7月開(kāi)始了Fab15,phase1的建設(shè)，并于2011年年中完成了設(shè)備的安裝，計(jì)劃于2
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產(chǎn)綜研談微型Fab：“少量芯片試制服務(wù)不是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手”
原史朗在展區(qū)前拍攝 攝影：Tech-On!。（點(diǎn)擊放大） 圖1：微型Fab的目的及不同數(shù)量的成本 產(chǎn)綜研Fab系統(tǒng)研究會(huì)的數(shù)據(jù)。（點(diǎn)擊放大） 圖2：Fab系統(tǒng)研究會(huì)的會(huì)員 產(chǎn)綜研Fab系統(tǒng)研究會(huì)的數(shù)據(jù)。（點(diǎn)擊放大）
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TSMC確認(rèn)將擴(kuò)大旗下Gigafab工廠(chǎng)20nm產(chǎn)能
臺(tái)灣TSMC公司宣布，該公司目前已經(jīng)開(kāi)始了旗下Fab15（Gigafab）工廠(chǎng)的phase3廠(chǎng)房建設(shè)，新廠(chǎng)房將會(huì)被用于20nm以及更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝。TSMC于2010年7月開(kāi)始了Fab15,phase1的建設(shè)，并于2011年年中完成了設(shè)備的安裝，計(jì)劃于
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TSMC確認(rèn)將擴(kuò)大旗下Gigafab工廠(chǎng)20nm產(chǎn)能
臺(tái)灣TSMC公司宣布，該公司目前已經(jīng)開(kāi)始了旗下Fab 15（Gigafab）工廠(chǎng)的phase 3廠(chǎng)房建設(shè)，新廠(chǎng)房將會(huì)被用于20nm以及更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝。 TSMC于2010年7月開(kāi)始了Fab 15, phase 1的建設(shè)，并于2011年年中完成了設(shè)備的安裝
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現(xiàn)場(chǎng)演示光刻工序，F(xiàn)ab系統(tǒng)研究會(huì)展示“微型Fab”制造裝置
放入有晶圓的“微型硅梭” （點(diǎn)擊放大） 光刻膠涂布裝置（點(diǎn)擊放大） 意在將半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)的最小投資單位削減一個(gè)數(shù)量級(jí)的日本產(chǎn)綜研（產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所：AIST）聯(lián)盟的Fab系統(tǒng)研究會(huì)，其正在開(kāi)發(fā)的“微型Fab”
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張忠謀:28奈米為臺(tái)積引來(lái)明年春燕
28奈米(nm)先進(jìn)制程將為臺(tái)積電2012年?duì)I收成長(zhǎng)新亮點(diǎn)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀在第三季法說(shuō)會(huì)中表示，28奈米制程需求持續(xù)勁揚(yáng)，將為臺(tái)積電挹注大量營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能，至2012年底28奈米營(yíng)收可望占總體10%以上，為臺(tái)積
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GF暫緩建阿布扎比晶圓廠(chǎng) 瞄上臺(tái)灣內(nèi)存廠(chǎng)商Fab
由于近來(lái)全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定，2009年從AMD獨(dú)立出去的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)商GlobalFoundries已經(jīng)暫緩位于阿聯(lián)酋阿布扎比的晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃，取而代之的是瞄上了臺(tái)灣內(nèi)存芯片制造商的Fab工廠(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，瞄上內(nèi)存芯片制造
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GF緩建阿布扎比晶圓廠(chǎng) 瞄上臺(tái)灣內(nèi)存廠(chǎng)商Fab
由于近來(lái)全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定，2009年從AMD獨(dú)立出去的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)商GlobalFoundries已經(jīng)暫緩位于阿聯(lián)酋阿布扎比的晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃，取而代之的是瞄上了臺(tái)灣內(nèi)存芯片制造商的Fab工廠(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，瞄上內(nèi)存芯片制造
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GF緩建阿布扎比晶圓廠(chǎng) 瞄上臺(tái)灣內(nèi)存廠(chǎng)商Fab
由于近來(lái)全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定，2009年從AMD獨(dú)立出去的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)商GlobalFoundries已經(jīng)暫緩位于阿聯(lián)酋阿布扎比的晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃，取而代之的是瞄上了臺(tái)灣內(nèi)存芯片制造商的Fab工廠(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，瞄上內(nèi)存芯片制造
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GF緩建阿布扎比晶圓廠(chǎng) 瞄上臺(tái)灣內(nèi)存廠(chǎng)商Fab
由于近來(lái)全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定，2009年從AMD獨(dú)立出去的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)商GlobalFoundries已經(jīng)暫緩位于阿聯(lián)酋阿布扎比的晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃，取而代之的是瞄上了臺(tái)灣內(nèi)存芯片制造商的Fab工廠(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，瞄上內(nèi)存芯片制造
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GF緩建阿布扎比晶圓廠(chǎng) 瞄上臺(tái)灣內(nèi)存廠(chǎng)商Fab
由于近來(lái)全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定，2009年從AMD獨(dú)立出去的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)商GlobalFoundries已經(jīng)暫緩位于阿聯(lián)酋阿布扎比的晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃，取而代之的是瞄上了臺(tái)灣內(nèi)存芯片制造商的Fab工廠(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，瞄上內(nèi)存芯片制造
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臺(tái)積電28nm產(chǎn)能不足 客戶(hù)將等待6個(gè)月
盡管半導(dǎo)體行業(yè)今年增長(zhǎng)緩慢，但自臺(tái)積電宣布28nm工藝制程正式量產(chǎn)以來(lái)，產(chǎn)能已供不應(yīng)求。據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，現(xiàn)在臺(tái)積電28nm的訂單“排隊(duì)期”已經(jīng)長(zhǎng)達(dá)六個(gè)月。 臺(tái)積電預(yù)計(jì)28nm制程訂單的收入在該公司2011年
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韓國(guó)發(fā)展DRAM引導(dǎo)發(fā)展趨勢(shì)
韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才和技術(shù)都比較匱乏的情況下，通過(guò)引進(jìn)國(guó)外技術(shù)、消化吸收，最后實(shí)現(xiàn)技術(shù)自有化。之所以取得成功，與韓國(guó)政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升到國(guó)家級(jí)項(xiàng)目，最廣泛組織起其國(guó)內(nèi)業(yè)界優(yōu)勢(shì)資源結(jié)盟攻關(guān)密不可分，這
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升級(jí)到32nm AMD頂級(jí)晶圓廠(chǎng)首次破例參觀
2009年，由AMD拆分而來(lái)、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司（ATIC）和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司（Mubadala）聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)“The Foundry Company”將公司名正式定為“GLOBALFOUNDRIES”。GLOBALFOUNDRIES公司
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升級(jí)到32nm AMD頂級(jí)晶圓廠(chǎng)首次破例參觀[多圖]
2009年，由AMD拆分而來(lái)、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司（ATIC）和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司（Mubadala）聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)“The Foundry Company”將公司名正式定為“GLOBALFOUNDRIES”。 GLOBALFOUNDRI
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臺(tái)積電：明年資本支出未定
有關(guān)設(shè)備業(yè)者傳出臺(tái)積電明年資本支出將與今年差不多一事，臺(tái)積電昨（9）日澄清指出，臺(tái)積電尚未決定2012年資本支出規(guī)模，現(xiàn)在評(píng)估也不會(huì)有71億美元那么多。 臺(tái)積電8日舉行季度例行性董事會(huì)，會(huì)中決議核準(zhǔn)新臺(tái)幣3
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28奈米帶頭沖 臺(tái)積電明年有“春燕”
2011下半年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面對(duì)一波庫(kù)存去化的壓力，景氣每況愈下，不過(guò)，臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀仍在第三季法說(shuō)會(huì)中，看好年底將是庫(kù)存調(diào)節(jié)的終點(diǎn)，且28奈米(nm)制程需求持續(xù)勁揚(yáng)，亦將為臺(tái)積電挹注大量營(yíng)收成
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