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美光低功耗 DDR5 DRAM 芯片，助力摩托羅拉新款智能旗艦手機(jī) edge+ 提升性能和用戶體驗(yàn)
雙方通力協(xié)作，充分釋放移動(dòng)設(shè)備的5G 潛能
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DDR5內(nèi)存的春天真的來了？
分析認(rèn)為，2020—2021年將有更多DDR5/LPDDR5產(chǎn)品被推出，2022—2023年DDR5/LPDDR5有望從高端市場(chǎng)向中端和消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)拓展，屆時(shí)DDR5將超越DDR4成為市場(chǎng)的主流。
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美光交付全球首款量產(chǎn)應(yīng)用于高端智能手機(jī)市場(chǎng)的低功耗DDR5 DRAM芯片
下一代內(nèi)存助力AI和5G應(yīng)用，功耗更低，數(shù)據(jù)訪問速度更快
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南亞科宣布10nm級(jí)內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)
全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。 南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年
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SK海力士展示64GB DDR5-4800內(nèi)存樣品
存儲(chǔ)行業(yè)近兩年的變化非常大，在內(nèi)存行業(yè)來看，包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠，已經(jīng)開始了首批DDR5存儲(chǔ)器新品的研發(fā)試驗(yàn)。 在CES 2020上，SK Hynix展示了具有ECC校驗(yàn)的64GB
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SK海力士展示單條64GB DDR5內(nèi)存 還有LPDDR5
CES 2020展會(huì)上，存儲(chǔ)大廠SK海力士拿出了不少有趣的產(chǎn)品，包括DDR5內(nèi)存、LPDDR5內(nèi)存、4D NAND SSD固態(tài)盤。 DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)早在2018年就已初步完成，三星、美光、SK海力士都
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美光DDR5實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能的進(jìn)一步提升
DDR5 RDIMMs賦能下一代服務(wù)器平臺(tái)，應(yīng)對(duì)云、企業(yè)端、高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用環(huán)境中的激增數(shù)據(jù)
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DDR5內(nèi)存來了，美光宣布已出樣，比DDR4性能提升85%
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DD
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DDR5內(nèi)存2020年開始生產(chǎn) AMD Zen4/Intel最快2021年跟進(jìn)
最近一年來，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià)，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇，只要200多塊就可以搞定。 很多玩家對(duì)DDR4內(nèi)存也沒感覺了，期待早點(diǎn)用上DDR5內(nèi)存，不過DDR5內(nèi)
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魯大師Q3季度PC內(nèi)存排行：DDR3徹底淘汰 DDR5要來了
10月23日消息，今天魯大師公布Q3季度PC內(nèi)存排行，結(jié)合內(nèi)存市場(chǎng)占比來看，金士頓依然霸占市場(chǎng)份額NO.1，份額高達(dá)23.85%，三星靠著筆記本內(nèi)存龐大的銷量穩(wěn)居第二（18.67%），擠入前五的還有海
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SK海力士推出首個(gè)五代雙倍速率DRAM
DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。
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內(nèi)存價(jià)降至冰點(diǎn)，美光卻在DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能
6月30日消息 在本周早些時(shí)候與投資者和金融分析師召開的收益電話會(huì)議上，美光對(duì)其長期未來及對(duì)其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。美光表示，“我們相信，
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AMD：7nm的Zen 3處理器不上DDR5內(nèi)存 繼續(xù)兼容現(xiàn)有平臺(tái)
在2017年Zen架構(gòu)處理器問世之前，AMD的產(chǎn)品路線圖也經(jīng)歷過很多折騰，延期也是常態(tài)，不過從銳龍Ryzen、EPYC霄龍上市開始，現(xiàn)在的Zen架構(gòu)產(chǎn)品線路線圖穩(wěn)定多了，今年7nm Zen 2架構(gòu)的銳
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海力士展示旗下首顆DDR5 DRAM芯片：針腳速度6.4Gb/s，單片2GB
據(jù)悉，DDR5仍在Jedec標(biāo)準(zhǔn)組織的開發(fā)之中。據(jù)介紹，相比DDR4，DDR5將提供雙倍的帶寬和雙倍的密度，同時(shí)提供更高的效率。該標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)將于去年完成，但現(xiàn)在仍在進(jìn)行中。DDR5產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于今年年底開始出現(xiàn)。
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DDR5面臨普及，Keysight首發(fā)完整測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng)
電子測(cè)量企業(yè)Keysight Technologies近日推出了業(yè)界第一個(gè)完整的DDR5 DRAM測(cè)試與驗(yàn)證系統(tǒng)“N6475A DDR5 Tx”，為新一代內(nèi)存的研發(fā)打開了方便之門。這套系統(tǒng)包括Keys
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廠商紛紛推出DDR5內(nèi)存，但DDR4還能再戰(zhàn)幾年！
根據(jù)研究公司Trendforce的數(shù)據(jù)，全球排名第二的內(nèi)存制造商SK海力士(SK Hynix)宣布將推出的DDR5內(nèi)存模塊。DDR5是下一代DDR內(nèi)存，預(yù)計(jì)將比其前身DDR4提供更高的帶寬，速度和更低的功耗。 IDC數(shù)據(jù)的預(yù)測(cè)DDR5內(nèi)存將于2020年成形，2021年占據(jù) 25%份額，現(xiàn)在剛?cè)隓DR4 內(nèi)存的小伙伴也可安心，DDR5全面普及之前DDR4還能再戰(zhàn)幾年。
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SK海力士發(fā)表全球首款DDR5 DRAM
DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。
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英特爾2019芯片組路線圖：最大的變化是沒有變化！
明年的處理器及芯片組平臺(tái)會(huì)是什么樣?目前來看2019年最大的變化就是沒變化，芯片組方面是沒什么可升級(jí)的了，DDR5內(nèi)存及PCIe 4.0還有點(diǎn)遠(yuǎn)，至少要到2020年才有可能支持。
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美光推進(jìn)DDR5內(nèi)存芯片，計(jì)劃明年年底量產(chǎn)！
盡管JEDEC（固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)）的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案，Cadence（鏗騰）和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)。事實(shí)上，早在今年5月，Cadence就展示了首款DD
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DDR5內(nèi)存條要來了！芯片容量將大大提升！
Cadence甚至表示，與DDR4相比，改進(jìn)的DDR5功能將使實(shí)際帶寬提高36%，即使在3200 MT / s(此聲明必須進(jìn)行測(cè)試)和4800 MT / s速度開始，與DDR4-3200相比，實(shí)際帶寬將高出87%。
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