SK海力士15日發(fā)布二代10納米16Gb DDR5的DRAM，成為全球存儲半導體業(yè)當中第一家開發(fā)出適用DDR5規(guī)格的DRAM，并預計從2020年正式投入量產(chǎn)。

DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標準規(guī)格，應用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機器學習上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。

據(jù)韓媒《ZDNet Korea》報導，SK海力士15日發(fā)表全球首款二代10納米16Gb DDR5的DRAM，并符合國際半導體標準協(xié)議機構(JEDEC)所制定的規(guī)格。

這是繼第二代10納米8Gb DDR4之后，16Gb DDR5同樣適用細微工程，日前才擠進半導體銷量全球第3名的SK海力士，更能藉此確保能領先業(yè)界的競爭力。

DDR5整體效能都比前一代提升不少，電力方面是將DDR4的運轉電壓從1.2V降低到1.1V，讓耗電量與前一代相比減少30%。數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了1.6倍，從前一代的3200Mbps提高至5200Mbps。若實際舉例，DDR5只用1秒就能處理11部3.7GB大的Full HD電影，相當于41.6GB的數(shù)據(jù)。

同時存儲數(shù)據(jù)的存儲單元(Cell)領域的單位管理區(qū)域(bank)，也從16個擴大到32個，意味著能夠一次性處理的數(shù)據(jù)量，從8個增加到了16個。另外，SK海力士也期待透過芯片內(nèi)置的糾錯回路(Error Correcting Code)，能大幅提升高用量系統(tǒng)的信賴度。

值得注意的是，為了確保DDR5的高效能，運用了許多新技術，其中包含能把D-RAM的讀取、寫入的回路，調(diào)節(jié)為最佳狀態(tài)的高速訓練技術(high speed training scheme)、去除傳送時出現(xiàn)雜音的DFE、并列處理命令或數(shù)據(jù)的4Page Clocking 、最小化讀取數(shù)據(jù)時的扭曲或雜音情況，以及能夠創(chuàng)造低雜音、高性能的新款DDL與DCC等。

SK海力士DRAM開發(fā)業(yè)務VPD常務趙周煥表示，以世界首個生產(chǎn)JEDEC標準規(guī)格DDR5 DRAM產(chǎn)品的競爭力為基礎，預計從DDR5市場開放的2020年投入量產(chǎn)，也會積極回應市場需求。

市場調(diào)查企業(yè)IDC也預計，2020年開始DDR5需求將全面爆發(fā)，2021年市占率會擴大到全體DRAM市場的25%，預計2022年將持續(xù)擴大到44%。