CMOS
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低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計
1 引 言 電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓，被廣泛應(yīng)用于比較器，A／D，D／A轉(zhuǎn)換器，信號處理器等集成電路中。目前已有不少Bipolar工藝和CMO
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CMOS 集成電路使用時的技術(shù)要求
1 ． GMOS 集成電路輸入端的要求 CMOS 集成電路具有很高的輸入阻抗，其內(nèi)部輸入端接有二極管|0">二極管保護(hù)電路，以防范外界干擾、沖擊和靜電擊穿。 CMOS 集成電路的輸入
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不同電源供電的器件間的橋接
半導(dǎo)體行業(yè)從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當(dāng)前的掌上電腦(Pocket PC)比占地整整一幢樓的第一臺電腦功能更強(qiáng)大。然而，到目前為止，實現(xiàn)這一
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佳能入索？未來APS-C相機(jī)將采用索尼傳感器
佳能新機(jī)可能會是一部無反相機(jī)，但也不排除是單反相機(jī)的可能。這部新機(jī)將采用由索尼生產(chǎn)的IMX571型號傳感器，這是一款2600萬像素的背照式CMOS，傳感器為APS-C畫幅并支持最高16fps的高速連拍，但現(xiàn)在還不能確定佳能會在哪款新機(jī)上使用這塊CMOS。
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用于下一代移動電話的電源管理劃分
第三代 (3G|0">3G) 手機(jī)可提供帶有更多功能的廣泛特性。當(dāng)消費者從其通信設(shè)備上獲得最新及更好的功能時，他們還繼續(xù)要求從一塊電池上獲得更長的工作時間及更小的外形系數(shù)
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最高可達(dá)4800萬像素，三星兩款高像素CMOS上市！
今天三星ISOCELL官方微博正式宣布旗下的GM1與GD1上市了，這兩款圖像傳感器的像素數(shù)都僅有0.8μm，并搭載全新ISOCELL Plus 技術(shù)，其中GM1像素高達(dá)4800萬，搭載四像素合成技術(shù)，暗光拍攝更給力;GD1像素高達(dá)3200萬，可實現(xiàn)4K 120fps 錄制，讓錄像直播更清晰!
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CMOS低噪聲放大器中的輸入匹配研究與設(shè)計
１ 引言 作為接收機(jī)的第一級，ＬＮＡ的性能對整個接收機(jī)系統(tǒng)的性能起著至關(guān)重要的作用，因為整個系統(tǒng)的信噪比（ＳＮＲ）很大程度上取決于ＬＮＡ的噪聲系數(shù)（ＮＦ）和增
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適用于SAR ADC的CMOS比較器的設(shè)計
引言 比較器|0">比較器廣泛應(yīng)用于從模擬信號到數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換過程當(dāng)中。在模一數(shù)轉(zhuǎn)換過程中，經(jīng)過采樣的信號經(jīng)過比較器以決定模擬信號輸出的數(shù)字值。比較器可以比較一個
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CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs
全球研究與咨詢公司Strategy Analytics日前發(fā)表了題為“功率放大器技術(shù)趨勢：2008-2013”的報告，指出開發(fā)用于手機(jī)的CMOS功率放大器的廠商越來越多。 該報告
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如何利用DCP獲得更精確的性能
數(shù)控電位器(DCP|0">DCP)在各種應(yīng)用中深受歡迎，尤其在控制、參數(shù)調(diào)整、信號處理方面。數(shù)字電位器取代了機(jī)械電位器，并在很多方面體現(xiàn)出優(yōu)勢，如遠(yuǎn)程操作、可編程性、高分辨
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富士通開發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管
富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯(1)制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大
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用CMOS技術(shù)實現(xiàn)高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器
通信用接收器的發(fā)展趨勢是必需在信號剛一進(jìn)入接收器信號通道時就進(jìn)行取樣，并配備有精確的測試儀，而要達(dá)到這個目標(biāo)就要依賴超高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)。美國國家半導(dǎo)體|0
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十個電荷泵的設(shè)計方案以及經(jīng)典應(yīng)用案例
電荷泵也稱為開關(guān)電容式電壓變換器，是一種利用所謂的“快速”或“泵送”電容(而非電感或變壓器)來儲能的DC-DC(變換器)。它們能使輸入電壓升高或降低，
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基于LFSR優(yōu)化的BIST低功耗設(shè)計
引言 隨著便攜式設(shè)備和無線通訊系統(tǒng)在現(xiàn)實生活中越來越廣泛的使用，可測性設(shè)計(DFT)的功耗問題引起了VLSI設(shè)計者越來越多的關(guān)注。因為在測試模式下電路的功耗要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于
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后摩爾定律時代，中國IC或可迎頭趕上！
作為微納電子科學(xué)家，馬佐平教授在分析IC技術(shù)發(fā)展時點明，后摩爾時代硅芯片無法再度“精良”，創(chuàng)新思路是改變材料使CMOS硅晶體管繼續(xù)創(chuàng)新，這恰恰是世界各個國家都在研究還未實現(xiàn)技術(shù)突破的關(guān)鍵時期。而且，中國的IC產(chǎn)業(yè)有自己的強(qiáng)項：中國的通訊設(shè)備、個人電腦、消費類電子等市場領(lǐng)域規(guī)模最大、增長最快，相應(yīng)配套的政策引導(dǎo)與資金支持以及民間對IC產(chǎn)業(yè)投資熱烈響應(yīng)，特別是中國有世界上培育最多也是最優(yōu)秀的工程師。
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一種大電壓輸出擺幅低電流失配電荷泵的設(shè)計
0 引 言 CMOS|0">CMOS電荷泵鎖相環(huán)以其高速、低抖動、低功耗和易集成等特點，已廣泛用于接收機(jī)芯片、時鐘恢復(fù)電路中，如圖l所示，電荷泵對整個電荷泵鎖相環(huán)性能具有關(guān)鍵
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基于ATmega162的智能儀器設(shè)計
本文通過基于ATmega162介紹了他的特點和在溫度檢測中的應(yīng)用實例，ATmega162具有其他AVR系列大部分產(chǎn)品的功能，又具有獨特技術(shù)，配置全、功能強(qiáng)、可靠性高、速度高、抗干擾性好、低功耗、高性價比、硬件結(jié)構(gòu)簡單、軟件設(shè)計靈活、適用面廣、價格低廉等優(yōu)點，具有一定的實用價值，在實際開發(fā)中將會發(fā)揮越來越大的作用。
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CMOS微縮并未結(jié)束，摩爾定律還在持續(xù)起作用！
CMOS微縮并未結(jié)束，隨著提升工藝掌控的能力，將可看到持續(xù)的進(jìn)展。工藝受到物理方面的限制不大，而是在于產(chǎn)出大量高精密產(chǎn)品的能力不足。這很困難，但期望能堅持下去。
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基于DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計
在現(xiàn)代高性能DSP芯片設(shè)計中，鎖相環(huán)(PLL)被廣泛用作片內(nèi)時鐘發(fā)生器，實現(xiàn)相位同步及時鐘倍頻。壓控振蕩器(VCO)作為PLL電路的關(guān)鍵模塊，其性能將直接決定PLL的整體工作質(zhì)量。
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可用于音頻功放的過溫保護(hù)電路設(shè)計
在集成電路芯片工作的過程中，不可避免地會有功率損耗，而這些功率損耗中的絕大部分將轉(zhuǎn)換成熱能散出。在環(huán)境過高、短路等異常情況下，會導(dǎo)致芯片內(nèi)部的熱量不能被及時散出
