CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

榮耀V20將全球首發(fā)4800萬(wàn)AI超清攝影，搭載IMX586

今年7月份，索尼發(fā)布了新一代面向智能手機(jī)平臺(tái)的堆棧式CMOS-IMX586，擁有高達(dá)4800萬(wàn)有效像素，分辨率達(dá)到8000x6000，為業(yè)內(nèi)最高。此外，傳感器1/2英寸，單位像素0.8μm，亦是全球首

充電吧
2018-12-18

cmos ai超清攝影 imx586
德州儀器高性能模擬運(yùn)放產(chǎn)品系列介紹集錦

OPA379, 1.8V 2.9uA 90kHz 軌至軌 I/O 運(yùn)算放大器 OPA379 系列微功耗低電壓運(yùn)算放大器針對(duì)電池供電的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這種放大器的工作電源電壓可低至 1.8V。OPA379 系列

功率器件
2018-12-14

dac 電源技術(shù)解析 tssop cmrr cmos
CMOS求和比較器在PWM開(kāi)關(guān)電源控制中的應(yīng)用

1 引言:源體積小、重量輕、變換效率高，因此廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它體積小、重量輕、功率因數(shù)高，具有較高的工作效率，但結(jié)構(gòu)過(guò)于復(fù)雜使它的應(yīng)用受到一定的限制。下

電源
2018-12-13

電源技術(shù)解析 pwm cmos
CMOS快被取代？英特爾將采用MESO降低10倍功耗

目前，現(xiàn)有的CMOS半導(dǎo)體工藝正在逐步逼近物理極限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來(lái)十年的計(jì)算時(shí)代中，CMOS工藝很有可能被新技術(shù)取代。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2018-12-07

半導(dǎo)體英特爾廠商動(dòng)態(tài) cmos
英特爾要在未來(lái)十年超越CMOS時(shí)代，MESO功耗低30倍，速度提升5倍！

摩爾定律漸漸失效，雖然臺(tái)積電仍然在這一領(lǐng)域繼續(xù)推進(jìn)，但不可否認(rèn)的是CMOS的開(kāi)發(fā)演進(jìn)真的快到投了，芯片巨頭英特爾也沒(méi)閑著，和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新的MESO邏輯器件，英特爾想在未來(lái)10年，以MESO為基礎(chǔ)，來(lái)超越CMOS時(shí)代!

消費(fèi)電子
2018-12-04

英特爾邏輯器件 cmos
0．5μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

基準(zhǔn)電壓|0">基準(zhǔn)電壓源是模擬電路|0">模擬電路設(shè)計(jì)廣泛采用的一個(gè)關(guān)鍵模塊．可提供高精度和高穩(wěn)定度基準(zhǔn)量電源。該基準(zhǔn)電壓源與電源、工藝參數(shù)和溫度相關(guān)性很小，但產(chǎn)生的

電源
2018-11-20

電源技術(shù)解析模擬電路基準(zhǔn)電壓 cmos
低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

1 引言電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓，被廣泛應(yīng)用于比較器，A／D，D／A轉(zhuǎn)換器，信號(hào)處理器等集成電路中。目前已有不少Bipolar工藝和CMO

電源
2018-11-19

集成電路電壓電源技術(shù)解析基準(zhǔn)源 cmos
CMOS 集成電路使用時(shí)的技術(shù)要求

1 ． GMOS 集成電路輸入端的要求 CMOS 集成電路具有很高的輸入阻抗，其內(nèi)部輸入端接有二極管|0">二極管保護(hù)電路，以防范外界干擾、沖擊和靜電擊穿。 CMOS 集成電路的輸入

功率器件
2018-11-19

集成電路二極管電源技術(shù)解析 cmos
不同電源供電的器件間的橋接

半導(dǎo)體行業(yè)從一開(kāi)始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當(dāng)前的掌上電腦(Pocket PC)比占地整整一幢樓的第一臺(tái)電腦功能更強(qiáng)大。然而，到目前為止，實(shí)現(xiàn)這一

電源
2018-11-14

電源技術(shù)解析 ttl cmos
佳能入索？未來(lái)APS-C相機(jī)將采用索尼傳感器

佳能新機(jī)可能會(huì)是一部無(wú)反相機(jī)，但也不排除是單反相機(jī)的可能。這部新機(jī)將采用由索尼生產(chǎn)的IMX571型號(hào)傳感器，這是一款2600萬(wàn)像素的背照式CMOS，傳感器為APS-C畫(huà)幅并支持最高16fps的高速連拍，但現(xiàn)在還不能確定佳能會(huì)在哪款新機(jī)上使用這塊CMOS。

工業(yè)控制
2018-11-12

佳能索尼傳感器 cmos
用于下一代移動(dòng)電話的電源管理劃分

第三代 (3G|0">3G) 手機(jī)可提供帶有更多功能的廣泛特性。當(dāng)消費(fèi)者從其通信設(shè)備上獲得最新及更好的功能時(shí)，他們還繼續(xù)要求從一塊電池上獲得更長(zhǎng)的工作時(shí)間及更小的外形系數(shù)

消費(fèi)電子
2018-11-06

WCDMA USB gsm 3g ccd LED i2c dtv 電源技術(shù)解析 cmos
最高可達(dá)4800萬(wàn)像素，三星兩款高像素CMOS上市！

今天三星ISOCELL官方微博正式宣布旗下的GM1與GD1上市了，這兩款圖像傳感器的像素?cái)?shù)都僅有0.8μm，并搭載全新ISOCELL Plus 技術(shù)，其中GM1像素高達(dá)4800萬(wàn)，搭載四像素合成技術(shù)，暗光拍攝更給力;GD1像素高達(dá)3200萬(wàn)，可實(shí)現(xiàn)4K 120fps 錄制，讓錄像直播更清晰!

智能硬件
2018-11-05

三星像素 cmos
CMOS低噪聲放大器中的輸入匹配研究與設(shè)計(jì)

１引言作為接收機(jī)的第一級(jí)，ＬＮＡ的性能對(duì)整個(gè)接收機(jī)系統(tǒng)的性能起著至關(guān)重要的作用，因?yàn)檎麄€(gè)系統(tǒng)的信噪比（ＳＮＲ）很大程度上取決于ＬＮＡ的噪聲系數(shù)（ＮＦ）和增

功率器件
2018-11-05

低噪聲放大器電源技術(shù)解析無(wú)線接收機(jī) cmos
適用于SAR ADC的CMOS比較器的設(shè)計(jì)

引言比較器|0">比較器廣泛應(yīng)用于從模擬信號(hào)到數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換過(guò)程當(dāng)中。在模一數(shù)轉(zhuǎn)換過(guò)程中，經(jīng)過(guò)采樣的信號(hào)經(jīng)過(guò)比較器以決定模擬信號(hào)輸出的數(shù)字值。比較器可以比較一個(gè)

數(shù)字電源
2018-11-05

adc 電源技術(shù)解析 sar 比較器 cmos
CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs

全球研究與咨詢公司Strategy Analytics日前發(fā)表了題為“功率放大器技術(shù)趨勢(shì)：2008-2013”的報(bào)告，指出開(kāi)發(fā)用于手機(jī)的CMOS功率放大器的廠商越來(lái)越多。該報(bào)告

功率器件
2018-11-02

放大器電源技術(shù)解析 gaas cmos
如何利用DCP獲得更精確的性能

數(shù)控電位器(DCP|0">DCP)在各種應(yīng)用中深受歡迎，尤其在控制、參數(shù)調(diào)整、信號(hào)處理方面。數(shù)字電位器取代了機(jī)械電位器，并在很多方面體現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)，如遠(yuǎn)程操作、可編程性、高分辨

數(shù)字電源
2018-11-02

集成電路多晶硅電源技術(shù)解析 dcp cmos
富士通開(kāi)發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管

富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會(huì)社聯(lián)合開(kāi)發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯(1)制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無(wú)線設(shè)備的功率放大

功率器件
2018-11-01

wimax 富士通電源技術(shù)解析 cmos
用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器

通信用接收器的發(fā)展趨勢(shì)是必需在信號(hào)剛一進(jìn)入接收器信號(hào)通道時(shí)就進(jìn)行取樣，并配備有精確的測(cè)試儀，而要達(dá)到這個(gè)目標(biāo)就要依賴超高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器來(lái)實(shí)現(xiàn)。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體|0

數(shù)字電源
2018-11-01

半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器電源技術(shù)解析 cmos
十個(gè)電荷泵的設(shè)計(jì)方案以及經(jīng)典應(yīng)用案例

電荷泵也稱為開(kāi)關(guān)電容式電壓變換器，是一種利用所謂的“快速”或“泵送”電容(而非電感或變壓器)來(lái)儲(chǔ)能的DC-DC(變換器)。它們能使輸入電壓升高或降低，

功率器件
2018-11-01

圖像傳感器電源技術(shù)解析 DC-DC 電荷泵鎖相環(huán)芯片 cmos
基于LFSR優(yōu)化的BIST低功耗設(shè)計(jì)

引言隨著便攜式設(shè)備和無(wú)線通訊系統(tǒng)在現(xiàn)實(shí)生活中越來(lái)越廣泛的使用，可測(cè)性設(shè)計(jì)(DFT)的功耗問(wèn)題引起了VLSI設(shè)計(jì)者越來(lái)越多的關(guān)注。因?yàn)樵跍y(cè)試模式下電路的功耗要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于

功率器件
2018-10-30

電源技術(shù)解析 lfsr bist cmos

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榮耀V20將全球首發(fā)4800萬(wàn)AI超清攝影，搭載IMX586

德州儀器高性能模擬運(yùn)放產(chǎn)品系列介紹集錦

CMOS求和比較器在PWM開(kāi)關(guān)電源控制中的應(yīng)用

CMOS快被取代？英特爾將采用MESO降低10倍功耗

英特爾要在未來(lái)十年超越CMOS時(shí)代，MESO功耗低30倍，速度提升5倍！

0．5μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

CMOS 集成電路使用時(shí)的技術(shù)要求

不同電源供電的器件間的橋接

佳能入索？未來(lái)APS-C相機(jī)將采用索尼傳感器

用于下一代移動(dòng)電話的電源管理劃分

最高可達(dá)4800萬(wàn)像素，三星兩款高像素CMOS上市！

CMOS低噪聲放大器中的輸入匹配研究與設(shè)計(jì)

適用于SAR ADC的CMOS比較器的設(shè)計(jì)

CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs

如何利用DCP獲得更精確的性能

富士通開(kāi)發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管

用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器

十個(gè)電荷泵的設(shè)計(jì)方案以及經(jīng)典應(yīng)用案例

基于LFSR優(yōu)化的BIST低功耗設(shè)計(jì)

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