單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究
全球最大半導(dǎo)體制造商英特爾公司(Intel)4日發(fā)表以3D技術(shù)制造處理器的最新制程(三維晶體管),可提高芯片效能多達37%,并降低耗電量,預(yù)定年底前投產(chǎn)。英特爾說,這是半導(dǎo)體技術(shù)逾50年來最重大的突破。英特爾計劃把芯
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高,但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實用,而且這項技術(shù)的實際發(fā)展速度也相對緩慢,目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高,但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實用,而且這項技術(shù)的實際發(fā)展速度也相對緩慢,目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
聯(lián)電23日結(jié)算前年10月成立的宏寶科技,將宏寶的3D芯片技術(shù)團隊移植到聯(lián)電的研發(fā)部門。市場預(yù)期,未來3DIC可望成為聯(lián)電在28納米上的重點產(chǎn)品,拉近與臺積電的距離,亦可望對爾必達、力成合作案有加分作用。聯(lián)電則表示
聯(lián)電23日結(jié)算前年10月成立的宏寶科技,將宏寶的3D芯片技術(shù)團隊移植到聯(lián)電的研發(fā)部門。市場預(yù)期,未來3D IC可望成為聯(lián)電在28納米上的重點產(chǎn)品,拉近與臺積電的距離,亦可望對爾必達、力成合作案有加分作用。聯(lián)電則表示
要實現(xiàn)基于TSV(through-silicon via)技術(shù)的3D芯片大規(guī)模生產(chǎn)所需要克服的最大困難是什么?困難其實還有很多,但是成本或許是這其中最大的問題。 Synopsys公司執(zhí)行小組高級副總裁兼總經(jīng)理Antun Domic表示,一個基于
要實現(xiàn)基于TSV(through-siliconvia)技術(shù)的3D芯片大規(guī)模生產(chǎn)所需要克服的最大困難是什么?困難其實還有很多,但是成本或許是這其中最大的問題。Synopsys公司執(zhí)行小組高級副總裁兼總經(jīng)理AntunDomic表示,一個基于TSV技
臺積電旗下封測廠精材科技(3374)昨(13)日宣布高層人事異動,原董事長蔣尚義因回任臺積電資深研發(fā)副總經(jīng)理后公務(wù)繁重,不克續(xù)任,所以由臺積電前資材暨風(fēng)險管理副總經(jīng)理陳健邦接任。 業(yè)界對此消息多感到意外,
ElpidaMemoryInc、PowertechTechnologyInc和UnitedMicroelectronicsCorp.(UMC)在本周組成聯(lián)盟,以加速開發(fā)采用28納米節(jié)點以及其它工藝的3D芯片。 這些3D設(shè)備將采用TSV技術(shù)。這項合作將充分利用爾必
海爾集團的展廳,專門劃出一塊區(qū)域展示海外市場的成就,在這塊區(qū)域中,最顯眼的就是用特大字號強調(diào)的“走出去,走進去,走上去”戰(zhàn)略,海爾集團執(zhí)行副總裁周云杰稱其為“海爾取得白電市場占有率全球第一”這一成績的
又一個3D(三維)芯片聯(lián)盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一項3D多項目晶圓(MPW)服務(wù),以Tezzaron公司的3D芯片技術(shù)和GlobalFoundries公司的130納米CMOS代工工藝為基礎(chǔ)。多年以來,Tezzaron一直在致力于研發(fā)
聯(lián)電(2303)、爾必達(Elpida)、力成(6239)等3家半導(dǎo)體大廠今(21)日將宣布策略合作,據(jù)了解,3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔(Cu-TSV)3D芯片新技術(shù)進行合作開發(fā),除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作
伴隨《Avatar》精彩預(yù)告片的曝光,3D欲將激起新一片技術(shù)追求的浪潮。3D技術(shù)也成為近來最熱門的新一代IC設(shè)計技術(shù)話題之一。芯片制造商正在探索將目前的電子組件堆棧成3D結(jié)構(gòu)之可能性;專家對“真正”的3D封裝之定義,