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聯(lián)合國報告：廢舊手機成增長最快電子垃圾
近日，聯(lián)合國環(huán)境規(guī)劃署出爐報告指出，在中國等發(fā)展中國家，今后10年內電子垃圾將急劇增長，成為環(huán)境污染的重要源頭。對此有通信業(yè)專家指出，目前廢舊手機已成為增長最快的電子垃圾，而國內電子垃圾處理遠未產業(yè)化，
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臺積電日本舉辦技術論壇，介紹20nm技術及晶圓處理提高狀況
臺灣臺積電（TSMC）2010年2月24日在橫濱舉行了技術論壇“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。臺積電負責研發(fā)的高級副總裁蔣尚義就技術開發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/2
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大功率LED臺燈現(xiàn)狀及市場前景分析
目前市場上的臺燈狀況 目前市場上的臺燈按其種類可分為三種：一種是普通的白熾臺燈，一種是鹵素臺燈、另一種是熒光臺燈。采用普通的白熾燈泡或鹵素燈的臺燈，其優(yōu)點是價廉、發(fā)光的連續(xù)性能好，缺點是耗能多，尤
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如何選擇電路中的電容
通常音頻電路中包括濾波、耦合、旁路、分頻等電容，如何在電路中更有效地選擇使用 各種不同類型的電容器對音響音質的改善具有較大的影響。 1.濾波電容 整流后由于濾波用的電容器容量較大，故必須使用電解電容。濾
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如何選擇電路中的電容
通常音頻電路中包括濾波、耦合、旁路、分頻等電容，如何在電路中更有效地選擇使用 各種不同類型的電容器對音響音質的改善具有較大的影響。 1.濾波電容 整流后由于濾波用的電容器容量較大，故必須使用電解電容。濾
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工信部公布九大行業(yè)產值：2009年生產手機6.2億部
1月27日上午消息（李明）在今天上午舉行的“2009年度工業(yè)通信業(yè)運行新聞發(fā)布會”上，工信部運行監(jiān)測協(xié)調局局長辛國斌透露，2009年我國電子制造業(yè)增加值同比增長5.3%，其中生產手機6.2億部，增長9.8%。辛國
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大日本印刷開發(fā)出銅線用量減半的金屬布線膜
大日本印刷開發(fā)出了可使引線鍵合工序中的銅線用量減至原來約1/2的金屬布線膜。將于2010年6月開始面向QFP（quad flat package）銷售。大日本印刷稱，由于銅價上漲等因素，“訂單相當多”。大日本印刷力爭2010年度銷售
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電磁兼容設計注意的問題
1.1電子線路設計準則 電子線路設計者往往只考慮產品的功能，而沒有將功能和電磁兼容性綜合考慮，因此產品在完成其功能的同時，也產生了大量的功能性騷擾及其它騷擾。而且，不能滿足敏感度要求。 電子線路的電磁
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電磁兼容設計注意的問題
1.1電子線路設計準則 電子線路設計者往往只考慮產品的功能，而沒有將功能和電磁兼容性綜合考慮，因此產品在完成其功能的同時，也產生了大量的功能性騷擾及其它騷擾。而且，不能滿足敏感度要求。 電子線路的電磁
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肖特基二極管的結構與封裝及應用
肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區(qū)別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材
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特斯拉線圈的原理及制作方法
特斯拉線圈的制作前的準備和注意事項及其它： 整個制作我們以變壓器功率為1000w的中型特斯拉線圈為設計標準.(放電距離:>=120cm)備注:特斯拉線圈的放電距離和功率成正比. 主要材料及大概成本: 1.高壓變壓器---&
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采用LGD金屬箔片基板材質技術電子書將亮相CES
Skiff, LLC、Sprint Nextel 4日宣布將在2010年1月7-10日在美國拉斯維加斯所舉行的消費電子展(CES)上發(fā)表業(yè)界第一款專為報紙、雜志內容設計的電子書閱讀器“Skiff Reader”。Skiff Reader將是全球首款采用L
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美國陸軍研制可佩戴的柔性OLED顯示器
美國通用顯示器公司（Universal Display）是一家磷光OLED顯示器和照明技術知名開發(fā)商。10月20日，該公司宣布獲得了美國陸軍授予的一份小型企業(yè)創(chuàng)新研究（SBIR）第III階段合同的延長合同。根據(jù)這份價值33萬美元的延長
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低壓斷路器智能測控系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)
0.引言 低壓斷路器產品主要應用在低壓配電網(wǎng)絡中，用于分配電能和保護線路、電源及用電設 備免受過載、欠電壓和短路的危害，提高了供電的可靠性。低壓斷路器智能測控系統(tǒng)是集計 算機技術、智能控制技術、檢測技術
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臺灣聯(lián)電稱將于2010年下半年推出28納米制程
臺灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產品。業(yè)內人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。 據(jù)悉，
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晶圓雙雄有志一同 跨足ＬＥＤ
晶圓代工龍頭臺積電、聯(lián)電，跨足ＬＥＤ（發(fā)光二極管）有志一同，聯(lián)電昨日宣布，子公司聯(lián)電新投資事業(yè)，投資山東冠銓光電八百萬美元，臺積電昨日則是推出模塊化ＢＣＤ制程，將為客戶生產高電壓整合發(fā)光二極管(LED)驅動
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臺灣聯(lián)電稱將于2010年下半年推出28納米制程
臺灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產品。業(yè)內人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。據(jù)悉，早
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臺灣聯(lián)電稱明年發(fā)展28納米技術疑追趕臺積電
臺灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產品。騰訊科技訊12月11日訊，臺灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國巴爾的摩所
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隨意扭曲加自我修復，液態(tài)天線在美誕生
在便攜式無線通訊裝置的天線已經(jīng)變成隱藏式之后，天線設計專家已經(jīng)轉向開發(fā)可撓式的金屬制模塊，但任何一種固態(tài)金屬都有可能因為太長彎折而斷裂?，F(xiàn)在有一種液態(tài)天線(liquid antennas)，能在不施加壓力的狀態(tài)下變化成
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聯(lián)電28奈米 明年量產
聯(lián)電（2303）昨（10）日宣布在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議（IEDM），發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)／金屬閘極（HK/MG）技術，聯(lián)電預計明年下半年量產28奈米，與臺積電落差拉近在半年以內。 臺積電
