[導讀]臺灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產品。業(yè)內人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。
據(jù)悉，
臺灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產品。業(yè)內人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。
據(jù)悉，早前臺積電曾宣布將在明年前三個季度分別開始試產28納米高性能高K金屬柵極、28納米低功耗高K金屬柵極和28納米低功耗氮氧化硅三種新工藝產品。
下載文檔
