在高頻PWM開關(guān)變換器中,為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作,要設(shè)計可靠的柵極驅(qū)動電路。一個性能良好的驅(qū)動電路要求觸發(fā)脈沖應(yīng)具有足夠快的上升和下降速度,脈沖前后沿要陡峭;驅(qū)動源的內(nèi)阻要足夠小、電流
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面:通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場終
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面:通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場終
基本特性 實現(xiàn)零電壓開通的諧振變換器在實際主開關(guān)零電壓開通的情況下也能實現(xiàn)軟關(guān)斷。實現(xiàn)零電流關(guān)斷的諧振變換器在實現(xiàn)零電流關(guān)斷的情況下也能實現(xiàn)軟關(guān)斷。在開關(guān)管兩端并聯(lián)緩沖電容以后可以顯著的減小關(guān)斷損耗
本文講述了雙晶體管正激有源鉗位軟開關(guān)電源的工作原理,并給出實際產(chǎn)品雙晶體管的工作波形。該電路結(jié)構(gòu)中,功率開關(guān)管的電壓應(yīng)力小,并工作于ZVS導(dǎo)通和關(guān)斷,減小開關(guān)功耗,降低了EMI。
在開關(guān)變換電源電路中,將諧振型變換開關(guān)元件的勵振、驅(qū)動方法定義為兩類,即把設(shè)置有專用的勵振和驅(qū)動電路方式叫作它激勵振、驅(qū)動;把利用變壓器反饋電路實現(xiàn)的勵振、驅(qū)動方式叫作自激勵振、驅(qū)動。這里闡述利
本文介紹了軟開關(guān)變換相對于傳統(tǒng)電路中的硬開關(guān)變換的優(yōu)點,對幾種典型的軟開關(guān)進行了敘述和比較,并給出了其中兩個有代表性變換電路的Pspice仿真結(jié)果,最后提出了軟開關(guān)技術(shù)可能的發(fā)展趨勢。
本文介紹了軟開關(guān)變換相對于傳統(tǒng)電路中的硬開關(guān)變換的優(yōu)點,對幾種典型的軟開關(guān)進行了敘述和比較,并給出了其中兩個有代表性變換電路的Pspice仿真結(jié)果,最后提出了軟開關(guān)技術(shù)可能的發(fā)展趨勢。
本文介紹了軟開關(guān)變換相對于傳統(tǒng)電路中的硬開關(guān)變換的優(yōu)點,對幾種典型的軟開關(guān)進行了敘述和比較,并給出了其中兩個有代表性變換電路的Pspice仿真結(jié)果,最后提出了軟開關(guān)技術(shù)可能的發(fā)展趨勢。
摘要:采用無源無損軟開關(guān)功率因數(shù)校正電路技術(shù)及UC3854BN控制器件,完成了一臺1 kW樣機的設(shè)計。實驗結(jié)果驗證了設(shè)計的正確性和可行性,各項性能指標(biāo)均達到設(shè)計要求。 關(guān)鍵詞:軟開關(guān);功率因數(shù)校正(PFC);變換器;控
摘要:雙正激變換器廣泛應(yīng)用于中、大功率場合,為了提高變換器的功率密度和效率,必須提高開關(guān)頻率并減少開關(guān)損耗,這就要求開關(guān)管工作在軟開關(guān)方式。本文系統(tǒng)的分析了雙正激變換器軟開關(guān)拓撲的主要工作原理、優(yōu)缺點和應(yīng)
摘要:雙正激變換器廣泛應(yīng)用于中、大功率場合,為了提高變換器的功率密度和效率,必須提高開關(guān)頻率并減少開關(guān)損耗,這就要求開關(guān)管工作在軟開關(guān)方式。本文系統(tǒng)的分析了雙正激變換器軟開關(guān)拓撲的主要工作原理、優(yōu)缺點和應(yīng)