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歐美運營商今年進行小型基站接入技術(shù)首次部署
全球運營商將在今年進行小型基站（Small-Cell）接入技術(shù)的首次部署，以達到3G和4G網(wǎng)絡(luò)容量高密集度覆蓋的目的。無線運營商對小型基站技術(shù)情有獨鐘，主要目的是為了在用戶常用手機的地方大規(guī)模增加帶寬，包括商場，體
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升職越快越好嗎
升職越快越好嗎?這對很多人來說似乎根本不能算一個問題。好多人參加同學聚會，明明是一起混了四年的熟人，還要彼此換一下名片，不就是為了相互秀一下自己的頭銜是什么，看看誰發(fā)展得快。就算不跟別人比，升職帶來的更
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農(nóng)村電網(wǎng)主變壓器調(diào)壓要點
隨著國民經(jīng)濟的快速發(fā)展和全社會用電負荷的高速增長，有載調(diào)壓變壓器在電網(wǎng)中得到了大量的使用。毋庸諱言，在縣級供電企業(yè)中由于部分調(diào)度及相關(guān)技術(shù)管理人員，對電網(wǎng)電壓的調(diào)整和樞紐變電所中低壓母線節(jié)點的電壓水平
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電機溫度監(jiān)測系統(tǒng)低功耗無線節(jié)點模塊設(shè)計
摘要：提出了一種用于電機溫度監(jiān)測系統(tǒng)的無線數(shù)據(jù)收發(fā)節(jié)點模塊設(shè)計方案，利用LPC1114的省電耗模式配合Si4432集成芯片實現(xiàn)無線收發(fā)模塊的低功耗。另外，針對模塊硬件實現(xiàn)RF前端高頻電路設(shè)計和前期仿真做出詳細說明，模
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RS-485的多機通信方案探究
引言 在嵌入式系統(tǒng)中，多個孤立節(jié)點之間的通信越來越重要，尤其是物聯(lián)網(wǎng)時代的到來，多節(jié)點間通信已經(jīng)成為必不可少的功能。由此出現(xiàn)了許多通信手段，如RS-232、RS-485、CAN總線、ZigBee等，綜合考慮性能和成本，
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低能耗節(jié)點位置未知無線傳感器網(wǎng)絡(luò)控制方案
摘要：介紹了一種低能耗節(jié)點位置未知的網(wǎng)絡(luò)控制方案，根據(jù)不同的網(wǎng)絡(luò)運行輪數(shù)設(shè)定網(wǎng)絡(luò)節(jié)點的通信半徑，使網(wǎng)絡(luò)具有良好的能量有效性。網(wǎng)絡(luò)中基站經(jīng)過構(gòu)建階段的啟動過程、節(jié)點信息收集過程和節(jié)點信息上報過程，獲得了
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浸潤式微影壽命延長EUV恐無出頭天？
當193奈米微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程技術(shù)藍圖上已經(jīng)接近終點，下一代應(yīng)該是157奈米微影；德州儀器( TI )前段制程部門經(jīng)理Jim Blatchford雖然才剛完成采購先進157奈米微影系統(tǒng)的協(xié)商，他還是有點擔心這種未經(jīng)驗證的技術(shù)。
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下一代FD－SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20奈米節(jié)點，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOIConsortium所展示的文件顯示，F(xiàn)D-SOI制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根據(jù)SOICon
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FD-SOI制程藍圖:跳過20奈米節(jié)點，直沖14奈米
14奈米FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14奈米FinFET相當，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)D-SOI的成本則應(yīng)該會比FinFET低得多。近日，在一場于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20奈米節(jié)點，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)
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產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點是重大考驗
2012年度國際電子元件大會( IEDM )于美國時間12月10日在舊金山登場，與會專家表示，半導(dǎo)體制程邁向14奈米節(jié)點時，可能無法達到通常每跨一個世代、晶片性能可提升30%的水準，甚至只有一半；但仍會增加大量成本，主要是
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超低空分布式多傳感器探測節(jié)點的設(shè)計
由于雷達探測存在盲區(qū),低空與超低空飛行的入侵目標給雷達防御系統(tǒng)帶來困難與威脅?；贕PS技術(shù)、多傳感器技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)及單片機技術(shù)設(shè)計出一種分布式多傳感器探測節(jié)點,把遠程分布的多傳感器探測節(jié)點所探測到的信息實
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獨家解讀英特爾凌動微處理器：面向三大市場 延伸生態(tài)系統(tǒng)
12月13日早間消息（桑菊）面對ARM咄咄逼人的攻勢，英特爾開始了自己的反擊。昨天，英特爾宣布推出為高密度微型服務(wù)器以及新級別節(jié)能存儲和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備打造的凌動(Atom)S1200產(chǎn)品家族，同時這也是全球首個低功耗64位服務(wù)
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產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點是重大考驗
2012年度國際電子元件大會( IEDM )于美國時間12月10日在舊金山登場，與會專家表示，半導(dǎo)體制程邁向14奈米節(jié)點時，可能無法達到通常每跨一個世代、晶片性能可提升30%的水準，甚至只有一半；但仍會增加大量成本，主要是
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產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點是重大考驗
2012年度國際電子元件大會(IEDM)于美國時間12月10日在舊金山登場，與會專家表示，半導(dǎo)體制程邁向 14奈米節(jié)點時，可能無法達到通常每跨一個世代、晶片性能可提升30%的水準，甚至只有一半；但仍會增加大量成本，主要是
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非規(guī)則LDPC碼譯碼改進算法及其DSP實現(xiàn)
非規(guī)則LDPC碼譯碼改進算法及其DSP實現(xiàn)
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使用參數(shù)化約束進行PCB設(shè)計
如今PCB設(shè)計考慮的因素越來越復(fù)雜，如時鐘、串擾、阻抗、檢測、制造工藝等等，這經(jīng)常使得設(shè)計人員要重復(fù)進行大量的布局布線、驗證以及維護等工作。參數(shù)約束編輯器能將這些參數(shù)編到公式中，協(xié)助設(shè)計人員在設(shè)計和生產(chǎn)過
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光纖通道存儲網(wǎng)絡(luò)分區(qū)攻略
光纖通道(FC)的內(nèi)在安全機制比多數(shù)人通常所認為的還要多，但是它們經(jīng)常得不到充分利用，而且還被誤解，因此SAN(存儲局域網(wǎng))才被說成有安全問題。本期存儲課堂所講的內(nèi)容就是探索光纖通道分區(qū)：光纖通道交換機最容易和
