蓄電池技術(shù)是下一代汽車(chē)--電動(dòng)汽車(chē)的核心技術(shù)之一。蓄電池是復(fù)雜的電化學(xué)系統(tǒng),國(guó)內(nèi)外對(duì)電池管理技術(shù)都進(jìn)行了大量的研究,取得了許多成果。一般認(rèn)為電池管理系統(tǒng)主要有如下
在日前于美國(guó)舊金山舉行的 Semicon West 半導(dǎo)體設(shè)備展上,仍在開(kāi)發(fā)中的超紫外光(EUV)微影技術(shù)又一次成為討論焦點(diǎn);歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Luc Van den Hove在一場(chǎng)座談會(huì)中表示:「EUV仍然是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界
天河2號(hào)已經(jīng)報(bào)道了很多次了,但關(guān)于這部全球第一的超級(jí)計(jì)算機(jī),很多細(xì)節(jié)還是一團(tuán)迷霧,特別是升級(jí)了“ARCH”聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的內(nèi)部細(xì)節(jié),16000個(gè)節(jié)點(diǎn)是怎么通過(guò)這個(gè)ARCH堆到一起的?希望本文能稍微滿足一下大家的好
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對(duì)下一代移動(dòng)處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要。應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開(kāi)發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù),繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來(lái)的領(lǐng)先
與傳統(tǒng)有線檢測(cè)系統(tǒng)相比,低功耗無(wú)線技術(shù)正在使傳感器網(wǎng)絡(luò)的成本大幅降低,并為采用有線方法根本不可能實(shí)現(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)提供了實(shí)現(xiàn)的可能性。低功耗無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò) (WSN)
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對(duì)下一代移動(dòng)處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要 應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開(kāi)發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù),繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來(lái)的領(lǐng)
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對(duì)下一代移動(dòng)處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要 應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開(kāi)發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù),繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來(lái)的領(lǐng)
有一種常見(jiàn)的工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用,即按一個(gè)長(zhǎng)間隔(如每分鐘一次)對(duì)環(huán)境條件,如GPS(全球定位系統(tǒng))位置、電壓、溫度或光線進(jìn)行采樣的系統(tǒng)。這類系統(tǒng)正越來(lái)越多地采用無(wú)線和電池供
由于汽車(chē)產(chǎn)業(yè)不斷追求安全可靠、極致性能、舒適方便以及低成本等目標(biāo),但汽車(chē)內(nèi)高復(fù)雜的系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò),使得線束過(guò)于龐大,導(dǎo)致成本提高且網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)也難以持續(xù)提升,與前者形成沖突。于是德國(guó)Bosch在1985年提出CAN BUS(Con
在日前召開(kāi)的“互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)國(guó)際交流專題研討會(huì)”上,工信部電信研究院政策與經(jīng)濟(jì)研究所副主任馬志剛表示,寬帶建設(shè)能大幅度提升互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展水平。以三家基礎(chǔ)電信企業(yè)為主體,加快“光進(jìn)銅退”進(jìn)
根據(jù)SemicoResearch的報(bào)告顯示,采用28nm制程的系統(tǒng)級(jí)晶片(SoC)設(shè)計(jì)成本較前一代40nm制程節(jié)點(diǎn)增加了78%,此外,軟體成本增加的比重更高,提高約一倍以上。Semicon估計(jì),推出系統(tǒng)晶片所需的軟體開(kāi)發(fā)成本,目前已經(jīng)遠(yuǎn)高
根據(jù)SemicoResearch的報(bào)告顯示,采用28nm制程的系統(tǒng)級(jí)晶片(SoC)設(shè)計(jì)成本較前一代40nm制程節(jié)點(diǎn)增加了78%,此外,軟體成本增加的比重更高,提高約一倍以上。Semicon估計(jì),推出系統(tǒng)晶片所需的軟體開(kāi)發(fā)成本,目前已經(jīng)遠(yuǎn)高
根據(jù)SemicoResearch的報(bào)告顯示,采用28nm制程的系統(tǒng)級(jí)晶片(SoC)設(shè)計(jì)成本較前一代40nm制程節(jié)點(diǎn)增加了78%,此外,軟體成本增加的比重更高,提高約一倍以上。Semicon估計(jì),推出系統(tǒng)晶片所需的軟體開(kāi)發(fā)成本,目前已經(jīng)遠(yuǎn)高
根據(jù)SemicoResearch的報(bào)告顯示,采用28nm制程的系統(tǒng)級(jí)晶片(SoC)設(shè)計(jì)成本較前一代40nm制程節(jié)點(diǎn)增加了78%,此外,軟體成本增加的比重更高,提高約一倍以上。Semicon估計(jì),推出系統(tǒng)晶片所需的軟體開(kāi)發(fā)成本,目前已經(jīng)遠(yuǎn)高
雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽(yáng)能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer,宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃,為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評(píng)估和實(shí)施銅(Cu)填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是Alchime
雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽(yáng)能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer,宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃,為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評(píng)估和實(shí)施銅(Cu) 填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是 Alchi
越來(lái)越多的高性價(jià)比的無(wú)線技術(shù)和可應(yīng)用于更廣領(lǐng)域的解決方案的出現(xiàn),帶來(lái)了無(wú)線傳感網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的激增。無(wú)線系統(tǒng)制造商的目標(biāo)就是提供更加靈活可靠的方案,在獲得最長(zhǎng)的電池壽命的同時(shí)盡可能擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)的傳輸距離。
雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽(yáng)能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer,宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃,為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評(píng)估和實(shí)施銅(Cu) 填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是 Alchi
雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽(yáng)能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer,宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃,為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評(píng)估和實(shí)施銅(Cu)填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是Alchime
1、天河2概要21ic電子網(wǎng),在五月底在長(zhǎng)沙舉辦的國(guó)際HPC大會(huì)上,國(guó)防科技大組員透露了天河2的詳細(xì)信息。天河2將會(huì)被安置在廣州的國(guó)家超算中心,為華南的教育和研究機(jī)構(gòu)提供高性能計(jì)算服務(wù)。天河2將會(huì)由16000個(gè)浪潮的節(jié)