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Littelfuse 新推新平臺(tái)開發(fā)的首批產(chǎn)品1200V碳化硅肖特基二極管 具有更低的開關(guān)損耗與更高的效率
混合pn肖特基 (MPS) 結(jié)構(gòu)可增強(qiáng)抗浪涌能力并降低泄漏電流Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管，以
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深度挖掘肖特基二極管應(yīng)用要點(diǎn)
肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中，每一個(gè)從事電子行業(yè)的人都有聽過肖特基，但我們是否真正了解,肖特基內(nèi)部結(jié)構(gòu)、應(yīng)用范圍以及為什么肖特基廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中?那么下面就讓我們一起走進(jìn)肖特基的世界尋找我們
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全新小型SOD-962封裝的肖特基二極管（SL2，0.62×0.32mm）：DSF01S30SL（低VF），DSR01S30SL（低IR）
東芝已推出了肖特基二極管“DSF01S30SL、DSR01S30SL”，它們可應(yīng)用于智能手機(jī)和可穿戴式器件等移動(dòng)設(shè)備的電源電路中。SOD-962(SL2)封裝屬于小型封裝，其體積僅為
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根據(jù)雪崩性能選擇肖特基二極管
汽車電子模塊要求采取反向電池保護(hù)措施，以避免不良電池操作可能導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。肖特基二極管是這種應(yīng)用的首選器件，因?yàn)樗鼈兙哂泻艿偷那跋驂航敌阅?。雖然肖特基二極管能
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英飛凌推出第五代1200V thinQ碳化硅肖特基二極管
英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ在升壓拓?fù)浜凸β室蛩匦Ｕ≒FC）升壓拓?fù)渲薪Y(jié)合新的1200V thinQ碳化硅肖特基二極管和英飛凌出類拔萃的1200V Highspeed3 IGBT能夠全面提升系統(tǒng)性能。相比于采用傳統(tǒng)硅二極管
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英飛凌推出第五代1200V thinQ! 碳化硅肖特基二極管
21ic訊 英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二極管，進(jìn)一步擴(kuò)展了碳化硅產(chǎn)品陣容。新的1200V碳化硅二極管在工作溫度范圍內(nèi)提供超低正向電壓，其
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頻率3.37THz太赫茲肖特基二極管及電路已研制出
【導(dǎo)讀】據(jù)了解，我國(guó)科學(xué)院微電子研究所微波器件與集成電路研究室太赫茲器件研究組研制出截止頻率達(dá)到3.37THz的太赫茲肖特基二極管和應(yīng)用于太赫茲頻段的石英電路。其中，該器件作為太赫茲倍頻器核心元件，經(jīng)中電集團(tuán)
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碳化硅肖特基二極管功率器件量產(chǎn)意義重大
在電能的產(chǎn)生、輸送和分配過程中，電力傳送效率和使用效率至關(guān)重要。當(dāng)前，電力傳輸功率器件主要是基于硅材料，由于發(fā)展了30年，硅材料的物理性能已經(jīng)發(fā)掘殆盡。碳化硅作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，具有巨
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科銳推出業(yè)界更高性能碳化硅肖特基二極管
6日，科銳（Nasdaq: CREE）宣布推出新款CPW5 Z-Rec?高功率碳化硅肖特基二極管以及業(yè)界首款商業(yè)化量產(chǎn)50A碳化硅整流器。新款二極管產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)，使得碳化硅技術(shù)能夠在50kW至超過1MW的高功率系統(tǒng)中得到應(yīng)用
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第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 概念股有望爆發(fā)
中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn)，在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出，這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。據(jù)中新網(wǎng)報(bào)道，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二極管
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肖特基二極管與TVS管
(1)肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其做工比普通二極管要精細(xì)復(fù)雜，價(jià)格也要貴，但在外在
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用
功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)
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標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
隨著射頻無(wú)線通訊事業(yè)的發(fā)展，高性能低成本的射頻設(shè)計(jì)方案越來越受到人們的親睞。肖特基勢(shì)壘二極管在射頻電路中是重要的元件組成，屬于一種多數(shù)載流子器件，高頻性能非常優(yōu)越。本文主要介紹一種在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的基礎(chǔ)上，提出的集成肖特基二極管設(shè)計(jì)方法，并且該方法在charted 0.35μm工藝中以MPW的方式得以實(shí)現(xiàn)。
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肖特基二極管組成的電荷泵多電壓輸出電路
概要在需要價(jià)格便宜的多電源輸出的方案或者一個(gè)簡(jiǎn)單的負(fù)電壓、高電壓輸出回路的時(shí)候, 用二極管和電容組成的電荷泵很有用.在不用芯片和電感線圈的情況下,二極管電荷泵能夠高
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利用開關(guān)器件提高PFC效率的實(shí)現(xiàn)
為了滿足能源之星(ENERGY STAR)等規(guī)范的要求以及消費(fèi)者降低碳排放的愿望，功率電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)正在不斷努力提高系統(tǒng)效率，以求盡量接近額定100%效率的終極目標(biāo)。此外，目前
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Diodes推出首款采用晶圓級(jí)芯心尺寸封裝的肖特基二極管 實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級(jí)芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管，為智能手機(jī)及平板電腦的設(shè)計(jì)提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇
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Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級(jí)芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管，為智能手機(jī)及平板電腦的設(shè)計(jì)提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實(shí)現(xiàn)
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肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別
工作多年了，但對(duì)肖特基(Schottky)二極管的工作機(jī)理卻不太明了，網(wǎng)上收集資料，整理如下：兩種二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流?chǎng)合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流
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肖特基二極管作用
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子
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GaN和SiC功率半導(dǎo)體將以18%的速度穩(wěn)增
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億
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