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先進製程持續(xù)推進 聯(lián)華電子擴大校園徵才
聯(lián)華電子(13日)宣佈，為因應先進製程的持續(xù)推進，擴大參與校園徵才活動，包含3/9(日)臺灣大學、3/15(六)交通大學、3/16(日)成功大學，以及3/22(六)清華大學接連舉行的徵才博覽會。預計今年度將招募超過1,200名工程與
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聯(lián)華電子與ARM擴展28納米硅智財合作
聯(lián)華電子與ARM日前共同宣布，協(xié)議將在聯(lián)華電子28納米高效能低功耗(HLP)制程上，提供ARM Artisan物理IP平臺與POP IP。為了支持各種不同的消費電子產(chǎn)品客戶，諸如智能手機、平板電腦、無線通信與數(shù)字家庭等，聯(lián)華電子與
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聯(lián)華電子55納米SDDI客戶芯片已出貨逾1500萬顆
聯(lián)華電子7日宣布，采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅(qū)動客戶芯片(SDDI)，現(xiàn)已出貨超過1500萬顆?？蛻舨捎么酥瞥逃诟叻直媛实母唠A智能手機，此55納米eHV制程在聯(lián)華電子臺灣與新加坡的12吋晶圓
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聯(lián)華電子55納米客戶芯片已出貨逾1500萬顆
高分辨率智能手機適用的55納米顯示器驅(qū)動芯片，制程良率達優(yōu)異水平聯(lián)華電子7日宣布，采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅(qū)動客戶芯片(SDDI)，現(xiàn)已出貨超過1500萬顆。客戶采用此制程于高分辨率
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聯(lián)華電子55納米SDDI客戶芯片已出貨逾1500萬顆
高分辨率智能手機適用的55納米顯示器驅(qū)動芯片，制程良率達優(yōu)異水平 聯(lián)華電子7日宣布，采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅(qū)動客戶芯片(SDDI)，現(xiàn)已出貨超過1500萬顆?？蛻舨捎么酥瞥逃诟叻?/p>
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聯(lián)華電子55納米SDDI客戶芯片已出貨逾1500萬顆
高分辨率智能手機適用的55納米顯示器驅(qū)動芯片，制程良率達優(yōu)異水平聯(lián)華電子7日宣布，采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅(qū)動客戶芯片(SDDI)，現(xiàn)已出貨超過1500萬顆?？蛻舨捎么酥瞥逃诟叻直媛?/p>
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聯(lián)華電子和SuVolta共同開發(fā)28nm工藝技術(shù)
臺灣聯(lián)華電子（UMC）和美國SuVolta于2013年7月23日宣布，將共同開發(fā)28nm CMOS工藝技術(shù)（英文發(fā)布資料）。將把SuVolta獨自開發(fā)的工藝技術(shù)“Deeply Depleted Channel（DDC）”嵌入到聯(lián)華電子基于28nm高介電率（high-k）
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聯(lián)華電子與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)
聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,日前宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel™ (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效
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聯(lián)華與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)
臺灣新竹, 加州洛斯加托斯— 聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米H
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臺積電Q4財報發(fā)布 凈利潤10億美元
臺積電今天發(fā)布了2005年第四季度財報。報告顯示，由于芯片產(chǎn)品市場需求強勁，臺積電第四季度凈利潤同比增長52.8%，達到了分析師的預期。在截至2005年12月底的這一財季，臺積電的凈利潤為新臺幣339億元(約合10億美元)
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聯(lián)華與新思攜手 加速聯(lián)華電子14奈米FinFET制程研發(fā)
聯(lián)華電子與全球半導體設計制造提供軟件、IP與服務的領(lǐng)導廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare®邏輯庫的IP組合及 Galaxy™實作平臺的一部分-寄生
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聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM 共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10納米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與know-how，聯(lián)電將
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聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與know-how，聯(lián)電將
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聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與 IBM 共同宣布，聯(lián)電將加入 IBM 技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米 CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之 14奈米 FinFET 合作協(xié)議。 擁有IBM的支援與know-
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聯(lián)電宣布于韓國成立業(yè)務辦公室
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)宣布成立韓國業(yè)務辦公室，以協(xié)助拓展區(qū)域業(yè)務，同時就近為當?shù)乜蛻籼峁┓?。?lián)電表示，該公司為韓國客戶所新設立的辦公室，由于地利之便，將可創(chuàng)造工作上的綜效，并進而協(xié)助促進與客戶間的合作
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聯(lián)電宣布于韓國成立業(yè)務辦公室
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)宣布成立韓國業(yè)務辦公室，以協(xié)助拓展區(qū)域業(yè)務，同時就近為當?shù)乜蛻籼峁┓?。?lián)電表示，該公司為韓國客戶所新設立的辦公室，由于地利之便，將可創(chuàng)造工作上的綜效，并進而協(xié)助促進與客戶間的合作
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聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10奈米制程技術(shù)
聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。IBM半導體研發(fā)副總Gary Patton表示：「IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年，聯(lián)盟伙伴可整合運用我們的專業(yè)知識，團隊研究合作與
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聯(lián)電宣布于韓國成立業(yè)務辦公室
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)宣布成立韓國業(yè)務辦公室，以協(xié)助拓展區(qū)域業(yè)務，同時就近為當?shù)乜蛻籼峁┓?。?lián)電表示，該公司為韓國客戶所新設立的辦公室，由于地利之便，將可創(chuàng)造工作上的綜效，并進而協(xié)助促進與客戶間的合作
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聯(lián)華和Kilopass攜手 進行先進制程28奈米硅智財合作
聯(lián)華電子與半導體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)硅智財領(lǐng)導廠商Kilopass日前共同宣布，雙方已簽署技術(shù)開發(fā)協(xié)議，Kilopass非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財將于聯(lián)華電子兩個28奈米先進制程平臺上使用，分別為：適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統(tǒng)
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聯(lián)華電子公布2013 年第一季財務報告
預期第二季晶圓齣貨季成長雙位數(shù)，40nm營收到達二成聯(lián)華電子股份有限公司8日公佈首次以TIFRSs為編製基礎之2013年第一季財務報告，營業(yè)收入為新檯幣277.8億元。本季毛利率為16.2%?營業(yè)凈利率為1.1%?歸屬母公司凈利為新
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