在半導體產(chǎn)業(yè)盛會Semicon West 2010上,GlobalFoundries公布了該公司推動極紫外(EUV)光刻技術投入量產(chǎn)的一些規(guī)劃細節(jié)。按照這份計劃書,GF將在 2014-2015年左右將極紫外光刻技術推向商用,屆時半導體制造工藝也會進化
專家呼吁應對LED燈進行“光生物安全”強制檢測 “光生物安全性”可以理解為“光學輻射”,在一些光源或燈具發(fā)出的光譜中,除了可見光外,還有紫外光和紅外光,對人的眼睛和皮膚會產(chǎn)生不同程度的光化學紫外危害和紅外
在新式半導體光刻技術中,極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一,不過其實現(xiàn)難度也相當高,從上世紀八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年,仍然未能投入實用。 極紫外光刻面臨的關鍵挑戰(zhàn)之一就是尋找合適的光
大家買燈具多數(shù)會關注其漏電安全,但另一種安全——“光生物安全”實際上也值得重視。從負責光電檢驗的專家處了解到,“光生物安全”檢測不合格的燈具可能將人照傷,還可能傷害人的眼睛。特別是利用藍光或者紫外光發(fā)
這項設備將安裝于臺積電的超大晶圓廠——臺積十二廠,用以發(fā)展新世代的工藝技術。臺積電也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術的專業(yè)集成電路制造服務業(yè)者。 【IT商業(yè)新聞網(wǎng)訊】(記者 周元英)2
摩爾定律預測,2015年16奈米的晶體管將邁入量產(chǎn),然而16奈米目前卻有著難以突破的瓶頸。國家奈米組件實驗室研發(fā)的創(chuàng)新技術,讓整個微影制程縮減為只需一個步驟就可以完成,而且不需光罩、光阻,可大幅省下制程成本
TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司共同宣布,TSMC將取得ASML公司TWINSCAN NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影設備,是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。 這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(G
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)日前與荷蘭半導體設備業(yè)者艾司摩爾(ASML)共同宣布,臺積電將取得ASML的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影設備,是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。 該套AS
〔記者洪友芳/新竹報導〕虎年開市,晶圓雙雄股價持穩(wěn)上漲,帶動晶圓代工類股皆收紅,奪得新春好采頭,臺積電(2330)并宣布取得荷商ASML公司的超紫外光微影設備,以發(fā)展新世代制程技術,有機會降低生產(chǎn)成本。 臺
臺積電與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今(22)日共同宣布,臺積公司將取得ASML公司TWINSCAN? NXE:3100 超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影設備,是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。 臺積電指出,這項設備將
全球晶圓代工霸主臺積電(TSM-US;2330-TW)虎年持續(xù)躍進,今(22)日與荷蘭艾司摩爾(ASML;ASML-US)共同宣布,臺積電將取得ASML公司的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影設備,將安裝于臺積電
TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布,TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影設備,是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓
全球最大半導體微顯影設備業(yè)者ASML表示,目前客戶訂單增加相當多,但主是來自半導體業(yè)者制程微縮而非產(chǎn)能擴充的需求,半導體業(yè)者仍持續(xù)微縮半導體制程,摩爾定律預料將持續(xù)延續(xù)。以目前ASML最先進的浸潤式微顯影機種
22納米制程微顯影曝光設備業(yè)者Mapper傳出設備進度遞延,Mapper目前是與臺積電在新世代半導體曝光設備合作最密切的業(yè)者之一,Mapper的進度遞延已經(jīng)讓原本預期進駐臺積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設備向后延
歐洲研究機構IMEC計劃擴充其12吋旗艦晶圓廠以提升產(chǎn)能,并計劃在2010年出開始提供試產(chǎn)用的超紫外光微影(extremeultravioletlithography)工具。該研究機構的總裁暨執(zhí)行長GilbertDeclerck亦透露,IMEC位于比利時Leuven
在第九屆高交會上,廣東雪萊特光電科技股份有限公司推出自己的紫外光激發(fā)平面光源(UFL)技術,UFL是一種以紫外光源激發(fā)外部熒光層,形成均勻平面光源的全新背光技術。有別于傳統(tǒng)的設計,UFL擁有非常出色的廣色域色彩
曾經(jīng)看來大有希望的遠紫外(EUV)光刻技術面臨著重重困難,193納米沉浸式技術似乎成為了必然的選擇,但成本高昂,而且很難延伸到16納米節(jié)點以下。半導體光刻工藝正面臨著技術和成本方面的雙重壓力。 半導體光刻工藝面臨
介紹了單片機內(nèi)部密碼破解的常用方法,重點說明了侵入型攻擊/物理攻擊方法的