22納米制程微顯影曝光設備業(yè)者Mapper傳出設備進度遞延，Mapper目前是與臺積電在新世代半導體曝光設備合作最密切的業(yè)者之一，Mapper的進度遞延已經讓原本預期進駐臺積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設備向后延期。臺積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競爭的曝光技術，Mapper技術出現瓶頸，將為臺積電技術進程埋下未知數。

據了解，受到景氣沖擊，投資者資本支出保守，新興設備業(yè)者Mapper在22納米制程之后的曝光技術投資也受到影響，因而對于先進半導體曝光技術的進展有所減緩，原本預期2009年第1季原型機臺將正式進駐臺積電，不過目前已經遞延了1季左右。臺積電內部目前仍與Mapper維持緊密的合作關系，不過也憂心未來的發(fā)展。

半導體制程世代進入22納米以后，深紫外光與多重電子束何者將成為下一世代的曝光主流技術，半導體圈內目前仍莫衷一是。深紫外光由于光源能(Power Source)目前仍未達到可以大量生產的標準，成本過高，已經遇到技術瓶頸；而多重電子束則為外界懷疑電子束直接書寫效率仍過慢，同樣也未能符合量產效率。

在此情況下，深紫外光、多重電子束技術都未臻于成熟，半導體設備業(yè)者認為，較可行的方向是將目前過渡性45納米浸潤式微顯影(Immersion Lithography)持續(xù)延續(xù)壽命，不是朝向雙重曝光演進，就是未來將浸潤式介質從純水轉換到高曝光的另類液體。但不論是深紫外光、多重電子束技術都已經遇到技術障礙。

Mapper目前的主要股東包括創(chuàng)投業(yè)者Capital-C Ventures，以及包括設備大廠科磊(KLA-Tencor)的旗下創(chuàng)投KT Venture Group以及KBC Private Equity N.V.、Quest for Growth等，其余還包括私人投資者與學術單位。