這次引起關(guān)注的主要原因是網(wǎng)上流傳的一個消息,據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定的“十四五”規(guī)劃。
碳化硅(SiC),與氮化鎵(GaN)、金剛石、氧化鋅(ZnO)等一起,屬于第三代半導(dǎo)體。碳化硅等第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能。
近期,以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起。機(jī)構(gòu)人士指出,第三代半導(dǎo)體的火爆,一方面受國家政策面影響:另外有消息稱,中國正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中;而更重要的是當(dāng)前國內(nèi)的人工智能、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展向好,支撐了板塊內(nèi)相關(guān)細(xì)分行業(yè)的業(yè)績。
2018年12月6日,中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽(以下簡稱為“大賽”)
廈門芯光潤澤科技有限公司自主研發(fā)的國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線,于9月18日正式投產(chǎn)。據(jù)報道,兩個月來,該生產(chǎn)線投產(chǎn)穩(wěn)定,每月生產(chǎn)規(guī)??蛇_(dá)30萬顆,每年可達(dá)360萬顆。
第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)和金剛石等
近日,由東莞多家行業(yè)企業(yè)、新型研發(fā)機(jī)構(gòu)及國內(nèi)行業(yè)領(lǐng)軍單位組建的廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”正式在松山湖成立。這也是廣東省首個第三代半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心。
材料、信息、能源構(gòu)筑的當(dāng)代文明社會,缺一不可。半導(dǎo)體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵,而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下,可謂是“最有料”的材料。在不久的將來,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用,無論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場,都是世界各國爭奪的戰(zhàn)略陣地。
“到2030年,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè),部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng),核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè),國產(chǎn)化率超過70%。”這是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。
“到2030年,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè),部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng),核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè),國產(chǎn)化率超過70%。”這是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。
繼“集成電路產(chǎn)業(yè)”帶動中國在半導(dǎo)體行業(yè)的投資熱潮后,三代半導(dǎo)體如今逐步進(jìn)入人們的視線。今天我(作者)就以一個在三代半導(dǎo)體行業(yè)浸淫近15載的江湖中人角度給大家聊一聊,三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國乃至世界的發(fā)展,以及這個行業(yè)的特點。