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GlobalWafers成為第六大半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)商
據(jù)網(wǎng)上報(bào)道，環(huán)球晶圓(GlobalWafers)子公司中美硅晶制品(SAS)總裁Doris Hsu在11月12日投資者會(huì)議上說(shuō)，公司已成為第六大半導(dǎo)體級(jí)硅片生產(chǎn)商，占全球市場(chǎng)份額的7.35%，而SAS持有98.6%的股權(quán)。Hsu表示，環(huán)球晶圓擁有三
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國(guó)碩硅晶片訂單供不應(yīng)求同時(shí)獲銀行15億元聯(lián)貸
國(guó)碩硅晶片訂單供不應(yīng)求國(guó)碩科技基于太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)發(fā)產(chǎn)之趨勢(shì)，為擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模并降低相關(guān)成本，以提升競(jìng)爭(zhēng)力與投資價(jià)值，今年10月份收購(gòu)國(guó)內(nèi)主要太陽(yáng)能硅晶片廠商「威富光電」，并取得該公司100%股權(quán)?！竿还怆姟辜{入
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GlobalWafers成為第六大半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)商
據(jù)電子時(shí)報(bào)報(bào)道，環(huán)球晶圓（GlobalWafers）子公司中美硅晶制品（SAS）總裁Doris Hsu在11月12日投資者會(huì)議上說(shuō)，公司已成為第六大半導(dǎo)體級(jí)硅片生產(chǎn)商，占全球市場(chǎng)份額的7.35％，而SAS持有98.6％的股權(quán)。 Hsu表示，
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多晶硅末日后 未來(lái)路在何方？
經(jīng)歷了糟糕的2012年后，2013年多晶硅市場(chǎng)的前景是否會(huì)好一些？馬克？奧斯本(MarkOsborne)對(duì)此進(jìn)行了深入調(diào)查。一年前，《SolarBusinessFocus》創(chuàng)刊之際，我們提供了關(guān)于光伏多晶硅產(chǎn)業(yè)詳盡的最新消息，以及產(chǎn)能過(guò)剩正
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我國(guó)集成電路濺射靶材打破國(guó)外壟斷
中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)中色(寧夏)東方集團(tuán)有限公司完成的極大規(guī)模集成電路300mm硅片工藝用濺射靶材研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)行了鑒定，該項(xiàng)目整體技術(shù)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，打破了發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)集成電路用高端靶材的壟斷。據(jù)了
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我國(guó)集成電路濺射靶材打破國(guó)外壟斷
日前，中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)中色(寧夏)東方集團(tuán)有限公司完成的極大規(guī)模集成電路300mm硅片工藝用濺射靶材研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)行了鑒定，該項(xiàng)目整體技術(shù)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，打破了發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)集成電路用高端靶材的壟斷
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微電子的傳奇“人生”
今年初，美國(guó)有關(guān)方面宣布，將在5年內(nèi)創(chuàng)建6大微電子研究中心，以維持其在世界微電子領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未雨綢繆。近來(lái)世界各軍事強(qiáng)國(guó)為搶占微電子領(lǐng)域戰(zhàn)略制高點(diǎn)，已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之勢(shì)。日本曾提出，誰(shuí)控
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微電子自述：從前是傳奇 今后是核心
今年初，美國(guó)有關(guān)方面宣布，將在5年內(nèi)創(chuàng)建6大微電子研究中心，以維持其在世界微電子領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未雨綢繆。近來(lái)世界各軍事強(qiáng)國(guó)為搶占微電子領(lǐng)域戰(zhàn)略制高點(diǎn)，已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之勢(shì)。日本曾提出，誰(shuí)控
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微電子的傳奇“人生”
今年初，美國(guó)有關(guān)方面宣布，將在5年內(nèi)創(chuàng)建6大微電子研究中心，以維持其在世界微電子領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未雨綢繆。近來(lái)世界各軍事強(qiáng)國(guó)為搶占微電子領(lǐng)域戰(zhàn)略制高點(diǎn)，已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之勢(shì)。日本曾提出，誰(shuí)控
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微電子的傳奇“人生”
今年初，美國(guó)有關(guān)方面宣布，將在5年內(nèi)創(chuàng)建6大微電子研究中心，以維持其在世界微電子領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未雨綢繆。近來(lái)世界各軍事強(qiáng)國(guó)為搶占微電子領(lǐng)域戰(zhàn)略制高點(diǎn)，已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之勢(shì)。日本曾提出，誰(shuí)控
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德古特呼吁達(dá)成中歐雙邊投資協(xié)議 避談反補(bǔ)貼調(diào)查
近日，歐盟貿(mào)易專員卡瑞爾?德古特（KareldeGucht）表達(dá)了他對(duì)中歐投資協(xié)議的支持，但是他避而不談?wù)谶M(jìn)行的中國(guó)反補(bǔ)貼調(diào)查這一話題。而反補(bǔ)貼調(diào)查結(jié)果將很快公布。歐盟貿(mào)易專員卡瑞爾?德古特負(fù)責(zé)商定了中國(guó)光伏組件
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德古特呼吁達(dá)成中歐雙邊投資協(xié)議 避談反補(bǔ)貼調(diào)查
近日，歐盟貿(mào)易專員卡瑞爾?德古特(Karel de Gucht)表達(dá)了他對(duì)中歐投資協(xié)議的支持，但是他避而不談?wù)谶M(jìn)行的中國(guó)反補(bǔ)貼調(diào)查這一話題。而反補(bǔ)貼調(diào)查結(jié)果將很快公布。歐盟貿(mào)易專員卡瑞爾?德古特負(fù)責(zé)商定了中國(guó)光伏組件
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應(yīng)用材料公司新一代Solion XP離子注入系統(tǒng)
制造更高效率的太陽(yáng)能產(chǎn)品并提升整體成品率最新技術(shù)讓?xiě)?yīng)用材料公司走在制造高效低成本電池的前列系統(tǒng)更先進(jìn)的精度和工藝控制實(shí)現(xiàn)高重復(fù)性和高成品率新系統(tǒng)利用經(jīng)市場(chǎng)檢驗(yàn)行之有效的 Solion 平臺(tái)2013 年 9 月 30 日法
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SmartWafer技術(shù)可減少90%高純度硅料使用量
美國(guó)新興企業(yè)Scifiniti日前開(kāi)發(fā)出一款低成本SmartWafer智能硅片，據(jù)稱可提高晶硅產(chǎn)品性能并大幅降低成本。SmartWafers智能硅片具有30微米厚的高質(zhì)量多晶硅活躍層針對(duì)問(wèn)題為持續(xù)下調(diào)成本并促進(jìn)太陽(yáng)能發(fā)電的發(fā)展，整個(gè)
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市場(chǎng)看點(diǎn)：大全新能源二季度前瞻分析
大全延遲公布2季報(bào)到9月11日。我們認(rèn)為主要的原因在于和審計(jì)師討論萬(wàn)州資產(chǎn)減值的尺寸。除去大全擁有的石河子5000噸產(chǎn)能，大全在萬(wàn)州有超過(guò)4300噸多晶硅產(chǎn)能(賬面資產(chǎn)超過(guò)20億人民幣)。我們認(rèn)為此次減值的額度大約在
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軍用檢測(cè)技術(shù)轉(zhuǎn)民用，推動(dòng)國(guó)家工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)
從全球來(lái)看，軍用科技的發(fā)展在某種程度上一直領(lǐng)先于民用科技。20世紀(jì)90年代，美國(guó)政府率先采用各種有力措施，加速軍用技術(shù)轉(zhuǎn)民用項(xiàng)目和軍民兩用技術(shù)項(xiàng)目開(kāi)發(fā)。在我國(guó)，目前軍用技術(shù)轉(zhuǎn)民用還處于緩步推進(jìn)階段。2009年
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歐盟披露對(duì)華光伏反傾銷終裁 硅片被移出調(diào)查
歐盟委員會(huì)本周二(27)披露了對(duì)中國(guó)光伏反傾銷調(diào)查的終裁結(jié)果，硅片(wafers)被排除出本次調(diào)查，這意味著今后出口到歐盟的硅片將不受反傾銷的約束。然而據(jù)環(huán)球律師事務(wù)所合伙人杭國(guó)良律師介紹，由于硅片被排除出反傾銷
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多用途晶體硅硅片的制造
美國(guó)納米工程研究中心（CRNE）的一個(gè)研究組與巴塞羅那大學(xué)電子工程系的研究人員共同開(kāi)發(fā)出一種更便捷更便宜的晶體硅制備方法。他們的研究成果刊登在最近一期的應(yīng)用物理學(xué)報(bào)上。這種很薄的硅片厚度在10微米左右，造價(jià)
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IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革 面臨三大難題
半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開(kāi)始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時(shí)在10nm徘徊。
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IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革 面臨三大難題
半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開(kāi)始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時(shí)在10nm徘徊。
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