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臺(tái)系業(yè)者投入砷化鎵晶圓代工領(lǐng)域
胡皓婷 目前臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)以及pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線性度與高電流增益，具功率放大倍率佳
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RFMD進(jìn)一步將晶圓代工服務(wù)擴(kuò)大至MBE制程
設(shè)計(jì)及制造高效能射頻零組件及復(fù)合式半導(dǎo)體技術(shù)供貨商 RF Micro Devices (RFMD)日前宣布，該公司已進(jìn)一步擴(kuò)大其晶圓代工服務(wù)(Foundry Services)，以提供多種分子束外延(MBE)平臺(tái)、外延特性描述及外延開(kāi)發(fā)架構(gòu)，包
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智能型手機(jī)需求攀升 砷化鎵磊芯片廠Kopin漲逾5%
美國(guó)知名財(cái)經(jīng)周報(bào)BarrON`s 4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，砷化鎵(GaAs)HBT磊芯片大廠Kopin Corporation可望因智能型手機(jī)需求攀升而受惠。Kopin 7日聞?dòng)嵞鎰?shì)勁揚(yáng)5.67%，收3.17美元，創(chuàng)8月9日以來(lái)收盤(pán)新高。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，Needham分析師Rajvind
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宏捷科6吋產(chǎn)能發(fā)功，營(yíng)收走高
砷化鎵晶圓代工廠宏捷科（8086）受惠于第3季開(kāi)始蘋(píng)果iPhone 4進(jìn)入大量產(chǎn)期，加上三星、宏達(dá)電、RIM、諾基亞等手機(jī)大廠紛紛推出新品應(yīng)戰(zhàn)，帶動(dòng)手機(jī)零組件需求跳升，而宏捷科則受惠于需求躍升，不僅現(xiàn)有4吋生產(chǎn)線產(chǎn)能全
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穩(wěn)懋半導(dǎo)體 持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)
穩(wěn)懋半導(dǎo)體董事長(zhǎng)陳進(jìn)財(cái)上周股東會(huì)中表示，由于手機(jī)熱銷(xiāo)、低價(jià)手機(jī)的盛行與行動(dòng)上網(wǎng)需求激增，今年砷化鎵無(wú)線通信產(chǎn)業(yè)景氣將呈現(xiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)走勢(shì)。面對(duì)國(guó)際IDM大廠及IC設(shè)計(jì)公司陸續(xù)釋出訂單，今年起穩(wěn)懋將持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，計(jì)劃
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砷化鎵晶圓廠6月?tīng)I(yíng)收續(xù)揚(yáng) 磊晶廠略微回調(diào)
臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓雙雄宏捷科技以及穩(wěn)懋半導(dǎo)體業(yè)者6月?tīng)I(yíng)收皆可望再度改寫(xiě)歷史新高紀(jì)錄。不過(guò)，上游磊晶廠全新光電科技則無(wú) 法同步跟進(jìn)，預(yù)期單月?tīng)I(yíng)收將維持在高點(diǎn)水平，公司下一波攀頂動(dòng)能則可望在7月出現(xiàn)。且不論
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Skyworks訂單火力全開(kāi)，宏捷科6吋產(chǎn)能全被包了
蘋(píng)果訂單加持，宏捷科（8086）大客戶Skyworks對(duì)砷化鎵晶圓代工需求大增，宏捷科6吋生產(chǎn)線第2季來(lái)自Skyworks訂單量?jī)H每周50片，第3季每周訂單量將跳升至200片、第 4季更將達(dá)到每周400片，相當(dāng)于宏捷科今年能開(kāi)出的6吋
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更便宜的砷化鎵薄膜太陽(yáng)能電池處于研發(fā)中
美國(guó)伊利諾伊大學(xué)的研究人員正通過(guò)在一片硅片上“生長(zhǎng)”多層的材料，來(lái)開(kāi)發(fā)成本更低的砷化鎵薄膜太陽(yáng)能電池。砷化鎵是一種半導(dǎo)體化合物，可以用于制作太陽(yáng)能電池，并且在能量轉(zhuǎn)化效率方面，要比傳統(tǒng)硅基太陽(yáng)能電池更
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穩(wěn)懋產(chǎn)品布局
臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓代工大廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體召開(kāi)股東會(huì)，除承認(rèn)2009年財(cái)報(bào)外，并全面改選董事及監(jiān)察人。穩(wěn)懋董事長(zhǎng)陳進(jìn)財(cái)、穩(wěn)懋微波事業(yè)群總經(jīng)理王郁琦、穩(wěn)懋事業(yè)群總經(jīng)理張文銘以及英業(yè)達(dá)集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)葉國(guó)一等原任董事皆繼
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CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機(jī)”夢(mèng)受阻
在基帶、電源管理和射頻收發(fā)等關(guān)鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的“單芯片手機(jī)”的最后堡壘。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOSPA替代砷化鎵PA，其中AXIOM已經(jīng)在2G手
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美研發(fā)砷化鎵晶片批量生產(chǎn)技術(shù)
新一期英國(guó)《自然》雜志報(bào)告說(shuō)，美國(guó)研究人員研發(fā)出一種可批量生產(chǎn)砷化鎵晶片的技術(shù)，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優(yōu)良的材料有望大規(guī)模用于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能相關(guān)產(chǎn)業(yè)。美國(guó)伊利諾伊大學(xué)等機(jī)構(gòu)
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美國(guó)研發(fā)出砷化鎵晶片批量生產(chǎn)技術(shù)
新一期英國(guó)《自然》雜志報(bào)告說(shuō)，美國(guó)研究人員研發(fā)出一種可批量生產(chǎn)砷化鎵晶片的技術(shù)，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優(yōu)良的材料有望大規(guī)模用于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能相關(guān)產(chǎn)業(yè)。 據(jù)介紹，砷化鎵是一種
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砷化鎵IDM廠調(diào)高財(cái)測(cè) 臺(tái)系業(yè)者雨露均沾
隨著下游需求回溫，自2010年初以來(lái)，整體砷化鎵 (GaAs)市場(chǎng)需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業(yè)者紛紛上調(diào)2010年度財(cái)測(cè)后，Avago也宣告調(diào)高 2010年2~4月的營(yíng)收預(yù)估值。受惠于此，臺(tái)系砷化鎵晶圓
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受3G和智能手機(jī)需求增長(zhǎng)穩(wěn)懋半導(dǎo)體Q3業(yè)績(jī)大漲
11月24日，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣目前最大、全球產(chǎn)能排行第三的砷化鎵晶圓廠穩(wěn)懋，今年在市場(chǎng)需求大增下獲利豐厚，2009年第三季度盈利接近3億元新臺(tái)幣，并可望維持此種高利潤(rùn)趨勢(shì)。公司內(nèi)部預(yù)估全年?duì)I收可達(dá)48億新
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穩(wěn)懋代工協(xié)議將推動(dòng)ANADIGICS混合制造新策略發(fā)展
通信市場(chǎng)上的全球領(lǐng)先供應(yīng)商ANADIGICS與全球最大的砷化鎵(GaAs)專業(yè)晶圓代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(WIN Semiconductors)日前宣布就砷化鎵微波單片集成電路的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)達(dá)成策略協(xié)議。砷化鎵集成電路用于無(wú)線手機(jī)和數(shù)據(jù)設(shè)備中，
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ANADIGICS與穩(wěn)懋半導(dǎo)體宣布達(dá)成策略代工合作關(guān)系
Marketwire2009年10月13日臺(tái)灣臺(tái)北和新澤西州沃倫消息―通信市場(chǎng)上的全球領(lǐng)先供應(yīng)商ANADIGICS,Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：ANAD）與全球最大的砷化鎵（GaAs）專業(yè)晶圓代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(WINSemiconductorsCorp.)今天宣布
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德國(guó)科學(xué)家成功讓石墨烯在砷化鎵晶圓片上現(xiàn)形
德國(guó)研究人員表示，砷化鎵(GaAs)晶圓片上的沉積石墨烯(graphene)的純碳原子，可望催生新一代的高性能半導(dǎo)體組件。位于德國(guó)布朗斯威克(Braunschweig)之聯(lián)邦物理技術(shù)研究院(Physikalisch-Technische Bundesanstalt，PT
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