砷化鎵太陽能電池有望打破能效記錄

美國科學家通過與傳統(tǒng)科學研究相反的新思路，用砷化鎵制造出了最高轉化效率達28.4%的薄膜太陽能電池。該太陽能電池效率提升的關鍵并非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子，未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突

砷化鎵太陽能電池有望打破能效記錄

美國科學家通過與傳統(tǒng)科學研究相反的新思路，用砷化鎵制造出了最高轉化效率達28.4%的薄膜太陽能電池。該太陽能電池效率提升的關鍵并非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子，未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突

乾照光電：行業(yè)調整中 壓力與機遇并存

乾照光電于10月26日公布了2011年三季度報，1-9月公司實現(xiàn)營業(yè)總收入為2.76億元，同比增長32.72%；歸屬于上市公司股東凈利潤1.31億元，同比增長37.45%。實現(xiàn)每股收益為0.44元，同比增長4.76%。其中第三季度公司實現(xiàn)營

無線基礎設施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

隨著移動數(shù)據(jù)消費的持續(xù)猛增，運營商正在改進其無線基礎設施網(wǎng)絡架構，以支持日益增長的數(shù)據(jù)需求，根據(jù)Strategy Analytics公司（波士頓）報告。該公司的最新報告關于砷化鎵和復合半導體市場的預測，像多輸入/多輸出（

無線基礎設施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

根據(jù)市場戰(zhàn)略研究公司StrategyAnalytics分析：全球無線網(wǎng)絡基礎設施中使用砷化鎵（GaAs）半導體的市場預計將增長，從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。隨著移動數(shù)據(jù)消費的持續(xù)猛增，運營商正在改進其

單電源砷化鎵場效應晶體管功率放大器

乾照光電：4年增值20倍 譜寫創(chuàng)投資本傳奇

乾照光電曾經(jīng)創(chuàng)下中國新股上市的一個傳奇，從2006年成立到創(chuàng)業(yè)板上市，只用了4年時間。 與此同時，乾照光電也寫下了創(chuàng)投資本的傳奇。成立僅一年，知名的創(chuàng)投機構紅杉資本便專為入股乾照光電單獨成立紅杉資本中國II基

CMOS PA陷入成本和性能兩難 “單芯片手機”夢受阻

在基帶、電源管理和射頻收發(fā)等關鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的“單芯片手機”的最后堡壘。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOS PA替代砷化鎵PA，其中AXI

射頻集成電路CAD討論

文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點?！　〗陙?，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線因特網(wǎng)接入業(yè)

晶圓材料 5月底恐斷鏈

日本 311強震至今已逾1個月，就在日本科技大廠開始陸續(xù)復工之際，近日內(nèi)強度在6級以上的強烈余震不斷，夏日限電問題又是箭在弦上，包括半導體用12寸矽晶圓、磊晶晶圓、砷化鎵（GaAs）等化合物半導體晶圓等材料，供貨

晶圓材料缺貨問題難解決

日本 311強震至今已逾1個月，就在日本科技大廠開始陸續(xù)復工之際，近日內(nèi)強度在6級以上的強烈余震不斷，夏日限電問題又是箭在弦上，包括半導體用12寸矽晶圓、磊晶晶圓、砷化鎵(GaAs)等化合物半導體晶圓等材料，供貨短

晶圓材料 5月底恐斷鏈

日本 311強震至今已逾1個月，就在日本科技大廠開始陸續(xù)復工之際，近日內(nèi)強度在6級以上的強烈余震不斷，夏日限電問題又是箭在弦上，包括半導體用12寸矽晶圓、磊晶晶圓、砷化鎵（GaAs）等化合物半導體晶圓等材料，供貨

晶圓材料 5月底恐斷鏈

日本311強震至今已逾1個月，就在日本科技大廠開始陸續(xù)復工之際，近日內(nèi)強度在6級以上的強烈余震不斷，夏日限電問題又是箭在弦上，包括半導體用12寸矽晶圓、磊晶晶圓、砷化鎵（GaAs）等化合物半導體晶圓等材料，供貨短

晶圓材料 5月底恐斷鏈

日本311強震至今已逾1個月，就在日本科技大廠開始陸續(xù)復工之際，近日內(nèi)強度在6級以上的強烈余震不斷，夏日限電問題又是箭在弦上，包括半導體用12寸矽晶圓、磊晶晶圓、砷化鎵（GaAs）等化合物半導體晶圓等材料，供貨短

美方稱新一代電子芯片將給軍事電子市場帶來革命性進展

美國《防務新聞》周刊網(wǎng)站2月28日報道 原題：經(jīng)過長時間研發(fā)，國防業(yè)有了高性能芯片(記者戴夫·馬宗達)美國國防工業(yè)及政府官員表示，新一代電子芯片將注定給軍事電子市場帶來革命性的變化。美國國防部高級研究

下游客戶提前備貨　砷化鎵磊晶第1季需求旺

胡皓婷／臺北 目前雖是產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，但砷化鎵(GaAs)產(chǎn)業(yè)最上游的磊晶(epi)供應商則未受到季節(jié)性循環(huán)沖擊，顯示下游客戶后續(xù)需求暢旺，導致廠商紛紛提前備貨所致。 從砷化鎵晶圓代工廠以及國際級整合元件廠(IDM)的

聚光技術商業(yè)應用揚帆 上市企業(yè)擁有先動優(yōu)勢

聚光技術（CPV）是使用透鏡或反射鏡面等光學元件，將大面積的陽光匯聚到一個小面積的太陽能電池片上進行發(fā)電的太陽能發(fā)電技術。實際上，晶硅電池也可以在低倍聚光條件下發(fā)電，但我們平時所說的聚光技術主要指在高倍聚

2011年智能手機廠商擴展PA供應商名單

　　DIGITIMES Research指出，受惠于智能手機（Smartphone）出貨量在2010年大放光采，也同步帶動功率放大器（PA）產(chǎn)品的需求。不過，因國際砷化鎵（GaAs）大廠產(chǎn)能擴充不及，導致在2010全年間功率放大器一直處

缺貨余悸未了，2011年手機廠商擴展PA供應商名單

showAd(2009080513234060,236,236); DIGITIMES Research指出，受惠于智能手機(Smartphone)出貨量在2010年大放光采，也同步帶動功率放大器(PA)產(chǎn)品的需求。不過，因國際砷化鎵(GaAs)大廠產(chǎn)能擴充不及，導致在2010全

臺系業(yè)者投入砷化鎵晶圓代工領域

目前臺系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線性度與高電流增益，具功率放大倍率佳、待機耗電流低