分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結果表明:這種新型結構與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關時間,提高器件的動態(tài)性能。
國際電子商情訊 英飛凌科技股份公司近日被指定為參與歐洲合作研究項目MaxCaps 的德國五家合作伙伴的項目協(xié)調(diào)人,該項目旨在使電子設備變得更緊湊、更高效。共有來自半導體和汽車行業(yè)的17家公司和科研機構參與MaxCaps
面板大廠友達持續(xù)強化在臺灣中科的布局。繼LED廠隆達通過將以300億元在中科興建LED晶粒廠,旗下彩色濾光片觸控面板廠達虹也將計劃投資250億元在中科投資興建新廠,用于生產(chǎn)投射式電容觸控面板,第一階段投資金額預估
英飛凌科技股份公司近日被指定為參與歐洲合作研究項目MaxCaps 的德國五家合作伙伴的項目協(xié)調(diào)人,該項目旨在使電子設備變得更緊湊、更高效。共有來自半導體和汽車行業(yè)的17家公司和科研機構參與MaxCaps項目,開發(fā)“適用
分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結果表明:這種新型結構與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關時間,提高器件的動態(tài)性能。
介紹用51單片機和通用分立器件構成的雙積分A/D轉換器,文中給出了詳細的源程序清單。
業(yè)界最小的0201封裝,微型、雙向、超低電容的SESD保護器件(泰科)
愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布,該公司最新的maXTouch™系列電容性觸摸屏控制器解決方案已經(jīng)投入生產(chǎn)。該產(chǎn)品可用于刷新頻率為250 Hz的視頻質量屏幕,能夠支持無限數(shù)目的同時觸摸操作。愛特梅爾全新
愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布,該公司最新的maXTouch™系列電容性觸摸屏控制器解決方案已經(jīng)投入生產(chǎn)。該產(chǎn)品可用于刷新頻率為250 Hz的視頻質量屏幕,能夠支持無限數(shù)目的同時觸摸操作。愛特梅爾全新
最新GHz級DSP之類的數(shù)字負載需要相當快速的瞬時響應,以及相當?shù)偷碾妷浩睢檫_到這些目標,通常需要為DC/DC轉換器加裝多個輸出電容,讓它在回饋回路響應前有足夠的維持時間。使用電源模塊,并加裝電容以符合電壓瞬時容差后,便形成一套完整的電源解決方案。
最新GHz級DSP之類的數(shù)字負載需要相當快速的瞬時響應,以及相當?shù)偷碾妷浩?。為達到這些目標,通常需要為DC/DC轉換器加裝多個輸出電容,讓它在回饋回路響應前有足夠的維持時間。使用電源模塊,并加裝電容以符合電壓瞬時容差后,便形成一套完整的電源解決方案。
1 引言 隨著微電子技術的發(fā)展,寬帶放大器在科研中具有重要作用。寬帶運算放大器廣泛應用于A/D轉換器、D/A 轉換器、有源濾波器、波形發(fā)生器、視頻放大器等電路。這些電路要求運算放大器具有較高的頻帶寬度,電