雖然目前在個人電腦(PC)市場上,絕大多數(shù)桌上型電腦產(chǎn)品均采用光學式觸控實現(xiàn)多點觸控功能,但對筆記型電腦而言,光學式架構的厚度仍是制造商導入時的一大顧忌。這片真空地帶已引發(fā)電容式觸控廠商投入角逐,惟考量觸
超級電容模式是針對以上兩種結構的局限而產(chǎn)生的,因為前兩種結構的最大輸出電流受到電池使用規(guī)格的限制。如果假定工作電流均可以達到1A,且輸出電壓是輸入電壓的2倍,根據(jù)前面給出的效率表達式,假定各自的平均效率可
P4是USB 端口,USB 總線包括一對5V 電源線和一對數(shù)據(jù)信號線,通常,+5V 電源線是紅色,接 地線是黑色,D+信號線是綠色,D-信號線是白色。USB 總線提供的電源電流最大可以達到500mA,一般情況下,CH341 芯片和低功耗
考慮到調制解調時可靠性,利用紅外線專用接收集成芯片CX20106 進行調制解調,其 內(nèi)部結構框圖如下圖 所示。 前置電路將接收到的信號,轉換成 CX2010 可以接收的標準數(shù)字信號,送到CX20106 的①腳,CX20106 的總放
變換器若能實現(xiàn)并聯(lián)模塊的交錯運行,就可以減小總的電壓和電流紋渡以及電磁干擾。因此,隨著電子信息技術的發(fā)展。交錯并聯(lián)供電方式在通信電源、航空等領域中應用的越來越廣泛。為此,本文在采用UC3846為控制芯片時,通過使用晶振、反相器和脈沖計數(shù)器來共同產(chǎn)生振蕩頻率。從而在兩路電源并行工作時很好地解決了交錯并聯(lián)時的同步問題。
USB(通用串行總線)規(guī)格要求,一個連接的USB設備對主機或集線器給出一個與44Ω并聯(lián)的不大于10μF的負載,它包含了通過器件穩(wěn)壓器的所有可見旁路電容。這個限制可避免當浪涌電流為電容充電時,設備上有過高的壓降。
0 引言 在模擬電子技術課程中,判別振蕩電路能否產(chǎn)生振蕩的步驟的是:先看直流通路,看放大器件是否工作在放大區(qū);再看交流通路,看是臺滿足振蕩條件。RC振蕩也好,LC振蕩電路也好,振蕩條件為: AF=1
California Micro Devices (CAMD) 近日宣布針對最先進的數(shù)字消費品和計算機應用推出一款超低電容靜電放電 (ESD) 裝置 PicoGuard CM1227。 CM1227 提供四通道+/-15kV 接觸靜電放電保護,并且超越了 IEC61000-4-2的四級
2008年年底,上海海爾集成電路有限公司委托律師事務所對美國微芯科技公司在臺灣的專利發(fā)動大規(guī)模專利舉發(fā)攻勢,歷時近一年的審查,目前已取得實質進展。上海海爾集成電路有限公司已于近日收到臺灣“經(jīng)濟部智慧財
充磁機存儲電容脈沖放電,最大瞬間放電電流可達到30ka以上,在10ms時間內(nèi)產(chǎn)生極高強度的磁場,不會對電網(wǎng)造成沖擊影響。配合合適的充磁線圈,在瞬間產(chǎn)生30000 oe(奧斯特)以上的磁場,針對釹鐵硼等高矯頑力磁體,充磁效果更好。充磁和磁通檢測為一體適合流水線作業(yè),具有高效、可靠、抗干擾的特點,但是,減少電力電子器件在通斷時對周圍影響待于進一步研究。
分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結果表明:這種新型結構與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關時間,提高器件的動態(tài)性能。
國際電子商情訊 英飛凌科技股份公司近日被指定為參與歐洲合作研究項目MaxCaps 的德國五家合作伙伴的項目協(xié)調人,該項目旨在使電子設備變得更緊湊、更高效。共有來自半導體和汽車行業(yè)的17家公司和科研機構參與MaxCaps
面板大廠友達持續(xù)強化在臺灣中科的布局。繼LED廠隆達通過將以300億元在中科興建LED晶粒廠,旗下彩色濾光片觸控面板廠達虹也將計劃投資250億元在中科投資興建新廠,用于生產(chǎn)投射式電容觸控面板,第一階段投資金額預估
英飛凌科技股份公司近日被指定為參與歐洲合作研究項目MaxCaps 的德國五家合作伙伴的項目協(xié)調人,該項目旨在使電子設備變得更緊湊、更高效。共有來自半導體和汽車行業(yè)的17家公司和科研機構參與MaxCaps項目,開發(fā)“適用
分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結果表明:這種新型結構與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關時間,提高器件的動態(tài)性能。